氮化硼纳米管的制备方法
    51.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101717077A

    公开(公告)日:2010-06-02

    申请号:CN200910310305.1

    申请日:2009-11-24

    Abstract: 氮化硼纳米管的制备方法,它涉及一种纳米管的制备方法。本发明解决了现有方法得到的硼纳米管产率低的问题。本方法如下:将氨硼烷和催化剂的混合粉末或氨硼烷加入到以石墨纸或滤纸为内衬的坩埚中,再将坩埚置于气压炉中,向气压炉内充入高纯氮气,然后以5℃/min~30℃/min的升温速度升温,再保温,然后冷却至室温,即得氮化硼纳米管。本发明方法制备氮化硼纳米管的产率为60%~85%。

    一种应用硼酸提高碳化硅纳米纤维产率的方法

    公开(公告)号:CN101597058A

    公开(公告)日:2009-12-09

    申请号:CN200910072347.6

    申请日:2009-06-22

    Abstract: 一种应用硼酸提高碳化硅纳米纤维产率的方法,它涉及了一种硼酸的应用方法。本发明解决了现有SiC纳米纤维制备方法存在产率低的缺陷以及硼酸未被应用到SiC纳米纤维生产领域的问题。本发明应用硼酸提高SiC纳米纤维产率的方法按照如下步骤进行:一、将蔗糖与硅溶胶混合,再将硼酸加入到混合液中,干燥,得到干凝胶;二、将步骤一得到的干凝胶置入管式炉中,通入氮气,升温,保温,即得凝胶粉末;三、球磨3h,加入无水乙醇,气氛烧结炉,冷却至室温;即得到呈羊毛毡状的SiC纳米线毛层。本发明在纳米纤维生产中应用硼酸,应用硼酸后,SiC纳米纤维的产率提高了10倍以上,纤维长度达到5~6cm。

    一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN100467374C

    公开(公告)日:2009-03-11

    申请号:CN200610151102.9

    申请日:2006-12-06

    Inventor: 温广武 张晓东

    Abstract: 一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线的制备方法,它涉及一种带有伴生结构的纳米线的制备方法。一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线由6~24%的碳、53~68%的硅和11~40%的氧制成。一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线的制备方法通过以下步骤实现:(一)配制混合溶胶;(二)搅拌;(三)凝胶化处理;(四)将得到的凝胶放入坩埚内并置于管式加热炉中,抽真空;(五)向管式加热炉中通入氩气;(六)进行气氛烧结;(七)冷却到室温,即得到含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线。

    一种伴有串状结构的碳化硅纳米线及其制备方法

    公开(公告)号:CN101319399A

    公开(公告)日:2008-12-10

    申请号:CN200810064810.8

    申请日:2008-06-25

    Abstract: 一种伴有串状结构的碳化硅纳米线及其制备方法,本发明涉及一种准一维纳米结构及其制备方法。伴有串状结构的碳化硅纳米线:立方相碳化硅的单晶体。方法:将非晶态的碳/二氧化硅纳米复合粉体放入坩埚内并置于气氛烧结炉中,抽真空后向炉内充入氩气使初始气压达0.1~2.0MPa,然后以5~30℃/min的升温速度加热至1500~1800℃保温0.5~6小时,随炉冷却到室温,即得到伴有串状结构的碳化硅纳米线,中心线或中心杆的直径分布在50~100纳米范围内,中心线或中心杆上串状结构的碳化硅纳米线的直径分布在100~500纳米范围内。本发明制备工艺简单、成本低、制备周期短,且能够实现对产物结构和形貌的控制。

    一种适用于含氢燃料燃气轮机的多层结构热防护涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN119980121A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202510276965.1

    申请日:2025-03-10

    Abstract: 本发明公开了一种适用于含氢燃料燃气轮机的多层结构热防护涂层及其制备方法,所述多层结构热防护涂层涂层以高温合金为基体,在基体表面依次喷涂粘结底层、YSZ热障中间层、YSZ+硅酸盐功能过渡层以及硅酸盐环境障顶层。本发明利用多层陶瓷涂层结构和成分的变化,构建热膨胀系数逐层过渡的、可大幅提升热循环寿命的多层结构热防护涂层。整个涂层设置了合理的结构,有效缓解了双陶瓷涂层之间由于热失配而引起的过早失效现象,可有效提升含氢燃料燃气轮机用热防护涂层的热循环寿命。本发明多层结构热防护涂层制备简便、实用性高,经试验验证,对含氢燃料燃气轮机用高温合金起到了有效的隔热降温、抵御水氧腐蚀和延长使用寿命的作用。

    一种高熵锆酸盐EB-PVD靶材及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN119822823A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202411992498.4

    申请日:2024-12-31

    Inventor: 张晓东 韩旭 王铀

    Abstract: 本发明公开了一种高熵锆酸盐EB‑PVD靶材及其制备方法,所述高熵锆酸盐EB‑PVD靶材的化学式为(Sm0.2Eu0.2Tb0.2Dy0.2Lu0.2)2Zr2O7,纳米Sm2O3粉体、纳米Eu2O3粉体、纳米Tb2O3粉体、纳米Dy2O3粉体、纳米Lu2O3粉体和纳米ZrO2粉体五种稀土氧化物与氧化锆先通过喷雾造粒获得靶材原料粉体;经过筛分获得不同粒径配比球型粉体,利用冷等静压制作靶材生胚,随后烧结生胚靶材。本发明利用粒径分级调配技术,将稀土氧化物球型粉体压制生胚,为保证靶材整体体积收缩率最小并且具备一定孔隙率的要求,将固相合成烧结路线与靶材烧结路线结合,可以严格控制孔隙率以及体积收缩。

    一种EB-PVD用纳米结构YSZ靶材的制备方法

    公开(公告)号:CN119638415A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411992511.6

    申请日:2024-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种EB‑PVD用纳米结构YSZ靶材的制备方法,所述方法包括如下步骤:一、将不同粒径纳米结构YSZ球型粉体进行配比,得到具有不同粒径的纳米结构YSZ球型混合粉体;二、向YSZ球型混合粉体中加入去离子水,随后搅拌粉体,平铺放置陈化粉体以提高成型性能,得到陈化粉体;三、将陈化粉体利用上下双轴压力机进行压制,退模后的生坯装入密封袋中抽真空处理;四、将真空密封后的生坯进一步利用冷等静压方法进行压制,得到靶材生胚;五、对靶材生胚进行烧结,得到纳米结构YSZ靶材。本发明通过控制烧结路线、粒径级配技术,可以精确控制靶材体积收缩率,简化了靶材制备工艺流程,降低了生产成本。

    一种高熵锆酸盐PVD陶瓷薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN119638414A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411992505.0

    申请日:2024-12-31

    Inventor: 张晓东 韩旭

    Abstract: 本发明公开了一种高熵锆酸盐PVD陶瓷薄膜的制备方法,所述方法以纳米Sm2O3粉体、纳米Eu2O3粉体、纳米Tb2O3粉体、纳米Dy2O3粉体、纳米Lu2O3粉体和纳米ZrO2粉体五种稀土氧化物与氧化锆先通过喷雾造粒获得靶材原料粉体;经过筛分获得不同粒径配比球型粉体,利用冷等静压制作靶材生胚,随后烧结生胚靶材;利用PVD技术将高熵锆酸盐EB‑PVD靶材沉积在表面平整、光洁的PVD基材表面,形成高熵锆酸盐PVD陶瓷薄膜。利用PVD技术制备的高熵陶瓷薄膜高温稳定性显著提高,能够承受高达1500℃以上的环境,界面结合力增强,适应多次热循环的使用要求。

    一种利用纳米改性硅粘结层提高环境障涂层结合强度的方法

    公开(公告)号:CN114293132B

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202111662233.4

    申请日:2021-12-30

    Abstract: 一种利用纳米改性硅粘结层提高环境障涂层结合强度的方法,涉及一种提高环境障涂层结合强度的方法。为了解决现有环境障涂层中Si粘接层易脱落失效和造成界面处产生应力,进而造成环境障涂层结合强度低的问题。方法:湿法球磨制备改性Si粉,改性剂为纳米CeO2粉体和纳米HfO2粉体,采用等离子喷涂在基体上依次制备Si粘结层、莫来石层和Yb2SiO5层得到环境障涂层。本发明通过改性Si粘结层,使界面处部分组分合金化,并通过后续热处理,释放基体与涂层制备过程中产生的残余应力,提高环境障涂层体系的结合强度,延长环境障涂层使用寿命。本发明适用于制备环境障涂层。

    一种结构样件耦合变形测量装置及系统

    公开(公告)号:CN116642769A

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202310926522.3

    申请日:2023-07-27

    Abstract: 本发明涉及材料检测技术领域,并提供一种结构样件耦合变形测量装置及系统,所述结构样件耦合变形测量装置包括环境箱、基准架、数控载荷加载机构、引出杆及位移传感器,基准架连接于环境箱内,且基准架的一端伸出环境箱设置,位移传感器连接于基准架上伸出环境箱的端部,基准架用于连接结构样件的一端,引出杆的一端用于与结构样件的另一端连接,引出杆的另一端伸出环境箱设置,并与数控载荷加载机构连接,位移传感器的检测端朝向引出杆设置,结构样件位于环境箱内,环境箱用于为结构样件提供不同的测量环境。进而在符合结构样件实际应用的环境中可高精度地测量结构样件的耦合变形,更加具有参考价值。

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