公开(公告)号：CN106435241B

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201610726196.1

申请日：2016-08-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶枫 ,  金义程 ,  丁俊杰 ,  马杰 ,  杨春萍 ,  高晔 ,  刘强 ,  张标

IPC: C22C1/08 ,  C04B35/565 ,  C04B38/00 ,  C04B41/00 ,  C04B41/50 ,  C04B41/85

Abstract: 一种多孔Si3N4/SiC复相陶瓷增强金属基复合材料的制备方法，涉及一种陶瓷增强金属基复合材料的制备方法。本发明为了解决目前的陶瓷增强金属基复合材料热膨胀系数高以及增强体易发生团聚且较难分散均匀的技术问题。本发明：一、制备浆料；二、制备多孔Si3N4/SiC复相陶瓷；三、多孔复相陶瓷的表面改性；四、制备复合材料。本发明的多孔复相陶瓷的孔径较小，限制了复合材料中金属晶粒的长大，“细晶强化”有效提高了复合材料的综合力学性能；本发明的多孔复相陶瓷中Si3N4纳米线均匀分布；本发明的金属基复合材料中陶瓷增强体呈连续分布，使金属基复合材料有低的热膨胀系数，较高的金属含量使复合材料具有较高的热导率。

公开(公告)号：CN104693688B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201510136815.7

申请日：2015-03-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶枫 ,  张标 ,  高晔 ,  刘强 ,  刘仕超 ,  马杰 ,  丁俊杰

IPC: C08L63/00 ,  C08L79/04 ,  C08K3/22 ,  C04B35/622

Abstract: PCB基板用微波介质陶瓷/树脂双连续复合材料的制备方法，它涉及一种树脂基复合材料的制备方法。本发明是为了解决现有方法制备的陶瓷/树脂复合材料介电常数低且介电损耗大的技术问题。制备方法：一、制备浆料；二、制备定向孔分布的多孔陶瓷生坯；三、制备多孔微波介质陶瓷预制体；四、将温度为室温～-20℃的树脂倒入模具中，抽真空至熔化的树脂完全进入多孔微波介质陶瓷预制体内，固化，即得。由于微波介质陶瓷多孔预制体的比表面积大大低于粉体的比表面积，因此有利于降低界面极化，从而降低介电损耗；此外，可以根据材料要求制备出不同陶瓷含量的复合材料，介电常数可调。本发明属于复合材料的制备领域。