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公开(公告)号：CN108249929A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810059342.9
申请日：2018-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/628 , C04B35/64
CPC classification number: C04B35/62894 , C04B35/565 , C04B35/58078 , C04B35/622 , C04B35/62828 , C04B35/62834 , C04B35/62839 , C04B35/64 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/666 , C04B2235/9607
Abstract: 一种多尺度增韧的砖‑泥结构超高温陶瓷材料的制备方法。本发明涉及结构陶瓷材料的制备领域，特别是涉及一种砖‑泥结构超高温陶瓷材料的制备方法。本发明是要解决现有多组分ZrB2‑SiC陶瓷的严重的各向异性和抗损伤容限差的问题。方法：一、通过造粒制备ZrB2‑SiC陶瓷微球；二、通过喷涂包覆法在ZrB2‑SiC陶瓷微球表面包覆ZrB2‑SiC‑Graphene界面层；三、通过放电等离子烧结制备多尺度增韧的砖‑泥结构超高温陶瓷材料。本发明用于制备多尺度增韧的砖‑泥结构超高温陶瓷材料，其临界裂纹尺寸和断裂功分别达到了161.8μm和150.3J/m2，临界热冲击温差高达861℃。
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公开(公告)号：CN104191319B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410443022.5
申请日：2014-09-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B24B1/00
Abstract: 一种硼化物陶瓷材料表面磨削的方法，它涉及一种硼化物陶瓷材料的磨削方法。本发明目的是要解决传统的硼化物陶瓷材料的磨削方法存在磨削效率低的问题，方法：一、超声清洗，得到清洗后硼化物陶瓷材料；二、表面加热氧化，得到表面氧化后硼化物陶瓷材料；三、将表面氧化后硼化物陶瓷材料在抛光机上进行磨削处理，即实现硼化物陶瓷材料表面磨削。优点：磨削加工速率提高了50％～300％，减少磨料用量20％～60％。本发明主要用于硼化物陶瓷材料表面磨削。
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公开(公告)号：CN105218103A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510701406.7
申请日：2015-10-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/81 , C04B35/622
Abstract: 一种石墨烯/陶瓷层状材料的制备方法，它属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种石墨烯/陶瓷层状材料的制备方法。本发明的目的是要解决传统流延或轧膜成型制备层状陶瓷材料存在工艺繁琐，成本高的问题。方法：一、制备含氧化石墨烯的层状陶瓷坯体，得到含氧化石墨烯的层状陶瓷坯体A，得到含氧化石墨烯的层状陶瓷坯体B，得到含氧化石墨烯的层状陶瓷坯体C，得到含氧化石墨烯的层状陶瓷坯体D；二、热压烧结，采用交替叠放的形式装入模具中，然后在真空或氩气惰性气氛保护下进行热压烧结，得到石墨烯/陶瓷层状材料。优点：室温断裂韧性为8～10MPa·m0.5，三点弯曲强度为400～600MPa。本发明主要用于制备石墨烯/陶瓷层状材料。
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公开(公告)号：CN104843726A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510160865.9
申请日：2015-04-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种分散纳米ZrB2-SiC复合粉体的方法，涉及一种分散纳米复合粉体的方法。本发明是要解决现有纳米ZrB2-SiC复合粉体在水中容易团聚问题。方法：一、用碱滴定去离子水得到pH为11的溶剂；二、称取ZrB2-SiC复合粉体和分散剂，并先后加入到溶剂中，超声14～16min，得到分散均匀的浆料，即完成纳米ZrB2-SiC复合粉体的分散。本发明方法分散效果好，分散均匀，可在24h内不发生明显聚沉。本发明用于分散纳米ZrB2-SiC复合粉体。
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公开(公告)号：CN103819227B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410001380.0
申请日：2014-01-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种ZrB2-SiC/SiC陶瓷涂层的制备方法，涉及一种陶瓷涂层的制备方法。本发明是要解决目前的石墨材料、C/C复合材料和C/SiC复合材料表面的硅基陶瓷涂层抗氧化性能差的技术问题。本发明的制备方法采用包埋法：一、中间层SiC的制备；二、ZrB2-SiC/SiC陶瓷涂层的制备。本发明制备的陶瓷涂层抗氧化性能强。本发明主要应用于制备硼化锆基陶瓷涂层领域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104499270A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410809082.4
申请日：2014-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D06M11/79 , D06M11/64 , D06M13/144 , D06M101/40
Abstract: 一种纳米二氧化硅表面改性碳纤维的方法，涉及一种表面改性碳纤维的方法。本发明是要解决目前碳纤维的力学和热学性能较差的问题。方法：一、对纳米二氧化硅进行表面卤化，得到产物；二、纳米二氧化硅表面叠氮化处理；三、碳纤维的氧化处理；四、碳纤维表面修饰炔基化处理；五、碳纤维表面接枝纳米二氧化硅。修饰二氧化硅之后，碳纤维表面的浸润性有显著提高，粗糙度明显增加，有利于增强复合材料中基体和界面之间的传递效应，可以有效的缓解应力集中，阻止材料的破坏，进而提高复合材料的力学性能。经过纳米二氧化硅的表面改性，碳纤维的热稳定性得到了显著提高。本发明用于改性碳纤维。
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公开(公告)号：CN104437154A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410631871.3
申请日：2014-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种分散纳米SiC粉体的方法，涉及一种纳米SiC粉体的分散方法。本发明是要解决现有纳米SiC粉体在水中容易团聚的问题。方法：一、用碱滴定去离子水得到pH为12的溶剂；二、称取SiC粉体和分散剂，将SiC粉体和分散剂先后加入到溶剂中，超声14～16min，得到分散均匀的浆料，即完成纳米SiC粉体的分散。本发明方法的分散效果好、分散均匀、浆料可24h不发生明显沉淀。纳米SiC粉体的团聚尺寸较小，SiC粉体的团聚尺寸小于100nm，Zeta电位约为40mv。本发明应用于纳米材料领域。
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公开(公告)号：CN104191319A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410443022.5
申请日：2014-09-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B24B1/00
CPC classification number: B24B1/00
Abstract: 一种硼化物陶瓷材料表面磨削的方法，它涉及一种硼化物陶瓷材料的磨削方法。本发明目的是要解决传统的硼化物陶瓷材料的磨削方法存在磨削效率低的问题，方法：一、超声清洗，得到清洗后硼化物陶瓷材料；二、表面加热氧化，得到表面氧化后硼化物陶瓷材料；三、将表面氧化后硼化物陶瓷材料在抛光机上进行磨削处理，即实现硼化物陶瓷材料表面磨削。优点：磨削加工速率提高了50％～300％，减少磨料用量20％～60％。本发明主要用于硼化物陶瓷材料表面磨削。
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公开(公告)号：CN103819227A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410001380.0
申请日：2014-01-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种ZrB2-SiC/SiC陶瓷涂层的制备方法，涉及一种陶瓷涂层的制备方法。本发明是要解决目前的石墨材料、C/C复合材料和C/SiC复合材料表面的硅基陶瓷涂层抗氧化性能差的技术问题。本发明的制备方法采用包埋法：一、中间层SiC的制备；二、ZrB2-SiC/SiC陶瓷涂层的制备。本发明制备的陶瓷涂层抗氧化性能强。本发明主要应用于制备硼化锆基陶瓷涂层领域中。
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公开(公告)号：CN103757603A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410005289.6
申请日：2014-01-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种二硼化锆涂层的制备方法，它涉及一种陶瓷涂层的制备方法。本发明是要解决现有化学气相沉积法制备ZrB2过程中，采用先将ZrCl4加热到升华温度以上，然后再经过流量计通入反应室的方法需要对气路进行保温处理，而且对气体流量计要求很高的问题。制备方法：使用双温区加热方式，以ZrCl4、BCl3和H2作为源气体、Ar气或N2作为载气和保护性气体，采用化学气相沉积法制备二硼化锆涂层。采用本发明的方法不需要对气路进行专门保温处理，ZrCl4流量的控制可以通过控制温度的方法来实现。本发明可用于制备二硼化锆涂层。
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