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公开(公告)号：CN101928915B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201010200513.9
申请日：2010-06-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/06
Abstract: 一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法，它涉及一种在纳米材料表面镀氮化硼膜的方法。本发明解决了由于一维纳米材料间的接触，导致一维纳米材料易被氧化、寿命短、稳定性差的问题。本方法如下：将氨硼烷加入到石墨坩埚或氧化铝坩埚中，将待包覆的一维纳米材料固定于坩埚内部，再将坩埚置于气压炉中，然后在700℃～1600℃的条件下保温0.5h～4h，然后冷却至室温，即得表面镀氮化硼膜的一维纳米材料。本发明在一维纳米材料表面镀上了厚度为3nm～50nm的氮化硼膜，防止一维纳米材料间互相接触，从而避免了一维纳米材料在使用的过程中被氧化、寿命短、稳定性差的问题。
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公开(公告)号：CN101723675B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910308549.6
申请日：2009-10-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C07F5/05 , C04B35/583
Abstract: 氮化硼陶瓷有机先驱体及其制备方法，它涉及陶瓷有机先驱体及其制备方法。本发明解决了目前氮化硼陶瓷聚合物先驱体热稳定性差、陶瓷产率低，制备方法条件苛刻、生产周期长的问题。本发明的氮化硼陶瓷有机先驱体的结构式为：其中n＝1、2或3。本发明方法如下：将三氯硼吖嗪和苯胺加入到甲苯中，搅拌，过滤除去深沉物质，然后将滤液加热并保温，最后再减压蒸馏脱除甲苯得到氮化硼陶瓷有机先驱体。本发明氮化硼陶瓷有机先驱体可以用于制备氮化硼陶瓷纤维、薄膜、泡沫、异形体和粉体。
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公开(公告)号：CN101870800B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010184682.8
申请日：2010-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 中空碳纤维布环氧树脂复合材料及其制备方法，它涉及碳纤维环氧树脂复合材料及其制备方法。本发明解决了现有的碳纤维环氧树脂复合材料密度大及碳纤维环氧树脂复合材料的过程中需要首先要对碳纤维进行复杂的改性的问题。本发明中空碳纤维布环氧树脂复合材料是由中空碳纤维布和环氧树脂胶制成的；方法：将尿素和乙二醇放入石墨坩埚中，然后在气氛烧结炉中制成中空碳纤维布；然后将中空碳纤维布浸渍在由双酚A型环氧树脂、丙酮和二乙烯三胺组成的环氧树脂胶中，取出后经压制和真空干燥后，得到中空碳纤维布环氧树脂复合材料。中空碳纤维布无需表面处理，复合材料密度为1.00～1.05g/cm3，可于宇宙飞船、人造卫星、航天飞机和导弹上。
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公开(公告)号：CN101224877B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810063928.9
申请日：2008-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/068 , C04B35/584
Abstract: 一种氮化硅纳米线的制备方法，它涉及一种氮化硅纳米线的制备方法。它解决了现有技术中氮化硅纳米线的制备工艺复杂、成本较高、污染环境的问题。制备方法：将含碳质量为20～60％的碳/二氧化硅纳米复合粉体装入坩埚后，在氮气氛下烧结，随炉冷却至室温，得氮化硅纳米线。本发明一种氮化硅纳米线的制备方法，工艺简单、成本较低、不产生污染环境的有害气体。
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公开(公告)号：CN101870800A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010184682.8
申请日：2010-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 中空碳纤维布环氧树脂复合材料及其制备方法，它涉及碳纤维环氧树脂复合材料及其制备方法。本发明解决了现有的碳纤维环氧树脂复合材料密度大及碳纤维环氧树脂复合材料的过程中需要首先要对碳纤维进行复杂的改性的问题。本发明中空碳纤维布环氧树脂复合材料是由中空碳纤维布和环氧树脂胶制成的；方法：将尿素和乙二醇放入石墨坩埚中，然后在气氛烧结炉中制成中空碳纤维布；然后将中空碳纤维布浸渍在由双酚A型环氧树脂、丙酮和二乙烯三胺组成的环氧树脂胶中，取出后经压制和真空干燥后，得到中空碳纤维布环氧树脂复合材料。中空碳纤维布无需表面处理，复合材料密度为1.00～1.05g/cm3，可于宇宙飞船、人造卫星、航天飞机和导弹上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101805943A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010152182.6
申请日：2010-04-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种中空碳纤维的制备方法，它涉及碳纤维的制备方法。本发明解决了现有的制备中空碳纤维的纺丝法制备过程温度高、弹性模量低和化学气相生长法制备的中空碳纤维中含有杂质、难以合成管径为几百纳米至几微米的中空纤维的问题。本方法：一、将碳源材料放入石墨坩埚中，并将石墨坩埚置于气氛烧结炉中，然后抽真空至0.1～1Pa；二、向炉内充入高纯氮气或氩气使压强达到0.2～2.5MPa；三、以5～30℃/min的速度使温度升至900～1500℃后保温1～4h，然后随炉冷却到室温，即得中空碳纤维。本方法的反应温度低，不使用催化剂，合成的中空碳纤维石墨化程度高，无杂质，纯度为100%。可以用作电容器、储氢和复合材料。
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公开(公告)号：CN101723675A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910308549.6
申请日：2009-10-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/583 , C07F5/05
Abstract: 氮化硼陶瓷有机先驱体及其制备方法，它涉及陶瓷有机先驱体及其制备方法。本发明解决了目前氮化硼陶瓷聚合物先驱体热稳定性差、陶瓷产率低，制备方法条件苛刻、生产周期长的问题。本发明的氮化硼陶瓷有机先驱体的结构式为：其中n＝1、2或3。本发明方法如下：将三氯硼吖嗪和苯胺加入到甲苯中，搅拌，过滤除去深沉物质，然后将滤液加热并保温，最后再减压蒸馏脱除甲苯得到氮化硼陶瓷有机先驱体。本发明氮化硼陶瓷有机先驱体可以用于制备氮化硼陶瓷纤维、薄膜、泡沫、异形体和粉体。
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公开(公告)号：CN101708828A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910310297.0
申请日：2009-11-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/064 , B82B3/00
Abstract: 氮化硼纳米管的提纯方法，它涉及一种纳米管的提纯方法。本发明解决了套娃状氮化硼纳米管中金属催化剂粒子通常被包覆在氮化硼管的内部，不容易被除去的问题。本发明方法如下：将氮化硼纳米管超声处理、过滤，然后将滤渣氧化0.5小时～6小时，得到氧化物，再将氧化物在去离子水中水洗0.5小时～10小时，然后酸洗1小时～50小时，最后再用去离子水洗3次、醇洗1次，然后过滤、烘干，即得纯净的氮化硼纳米管。经过本发明方法提纯后的氮化硼纳米管的质量百分含量可达到95％以上。
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公开(公告)号：CN101555162A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910072023.2
申请日：2009-05-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B41/80 , C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: Al4SiC4陶瓷的热处理方法，它涉及一种增强陶瓷力学性能的方法，具体涉及一种热处理陶瓷的方法。本发明解决了现有Al4SiC4陶瓷室温下其弯曲强度小的问题。本发明方法如下：将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为600～1600℃的条件下保温10分钟～20小时，即得经过热处理的Al4SiC4陶瓷。采用本发明方法处理后的Al4SiC4陶瓷在室温下的弯曲强度的涨幅为25.7％～80％。
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公开(公告)号：CN101224876A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810063927.4
申请日：2008-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/068 , C04B35/584
Abstract: 一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，它涉及一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法。它解决了现有技术中氮化硅纳米线和纳米带的制备工艺复杂、成本较高、污染环境的问题。制备方法：将工业硅粉装入坩埚后，在氮气氛下烧结，随炉冷却至室温，得氮化硅纳米线和氮化硅纳米带。本发明一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，工艺简单、成本较低、不产生污染环境的有害气体。
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