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公开(公告)号：CN105047434B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510381811.5
申请日：2015-07-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用气相扩渗法制备氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料的方法，它涉及一种复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有现有二氧化钛纳米管的电阻大和电容性能差的问题。制备方法：一制备表面光亮的钛片；二、对表面光亮的钛片进行清洗；三、对钛片进行电解反应；四、取出钛片后烘干得到氧化钛纳米管；五、排空气；六、气相扩渗，得到氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料。本发明得到的氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料的电容值是氧化钛纳米管的近乎10倍；本发明得到的氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料的电阻减小了三个数量级，显著地提高了导电性。本发明可以获得一种氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN104857963B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510187513.2
申请日：2015-04-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种枝状结构ZnFe2O4与TiO2复合半导体的制备方法，它涉及一种复合半导体的制备方法。本发明的目的是要解决现有ZnFe2O4半导体电子空穴复合几率大，光催化性能低的问题。方法：使用带有阴离子选择透过膜的反应器制备合金粉体，再将合金粉体进行烧结，得到枝状结构ZnFe2O4半导体粉末；再使用枝状结构ZnFe2O4半导体粉末、无水乙醇、冰乙酸和钛酸丁酯制备溶胶；再将溶胶进行干燥，得到凝胶，再将凝胶在温度为250℃～550℃的管式炉中和空气气氛的条件下烧结，得到枝状结构ZnFe2O4与TiO2复合半导体。本发明可获得一种枝状结构ZnFe2O4与TiO2复合半导体的制备方法。
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公开(公告)号：CN105040070B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510586138.9
申请日：2015-09-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 一种钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层的制备方法，它涉及一种钛合金TA2表面陶瓷膜层的制备方法。本发明的目的是要解决现有钛合金TA2表面的涂层存在太阳能吸收率低，自身发射率高，膜层与基体的结合力不高的问题。方法：钛合金TA2前处理；二、微弧氧化，得到钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层。本发明制备的钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层的厚度为0.3μm～1μm，膜层的粗糙度为0.2μm～0.25μm，太阳吸收率为0.82～0.9，发射率为0.08～0.13。本发明可获得一种钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层的制备方法。
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公开(公告)号：CN105944737A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610330311.3
申请日：2016-05-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01J27/043 , C01B3/04
CPC classification number: Y02E60/364 , B01J27/043 , B01J35/004 , B01J37/10 , C01B3/042 , C01B2203/1058 , C01B2203/1076
Abstract: 一种Ni掺杂的ZnS光驱动制氢催化剂的制备方法，它涉及一种制氢催化剂的制备方法。本发明的目的是要解决现有ZnS半导体光催化剂太阳光利用率低、电子和空穴复合几率大和光催化制氢速率低的问题。方法：一、制备Ni(NO3)2·6H2O和Zn(Ac)2·2H2O的混合溶液；二、制备硫脲溶液；三、制备反应液；四、将反应液加入到反应釜中，水热反应，得到Ni掺杂的ZnS光驱动制氢催化剂。本发明制备的Ni掺杂的ZnS光驱动制氢催化剂在氙灯照射下分解H2O产氢速率可达到178μmol/h/g～500μmol/h/g，相比未掺杂Ni的ZnS提高了1倍～4倍。本发明可以获得一种Ni掺杂的ZnS光催化剂的制备方法。
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公开(公告)号：CN103320838B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310216285.8
申请日：2013-06-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 一种TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层的方法，它涉及一种钛合金表面原位生长陶瓷膜层的方法。本发明是要解决现有微弧氧化方法在TC4钛合金表面原位生长陶瓷膜层的方法中电解液含重金属元素，成本较高，污染严重，不适用于绿色化的工业生产缺点的技术问题。本发明方法如下：一、表面处理；二、配制电解液；三、微弧氧化处理；四、冲洗、干燥即可在TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层。本发明主要用于在TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105297108A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510785645.5
申请日：2015-11-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/34 , B01J37/34 , B01J35/10 , C02F1/72 , C02F101/34
Abstract: 一种利用等离子体电解氧化法在Q235碳钢表面制备陶瓷膜层类芬顿催化剂的方法和应用，它涉及一种制备类芬顿催化剂的方法和应用。本发明的目的是要解决现有传统的类芬顿催化剂分离回收复杂和力学性能差的问题。方法：一、Q235碳钢前处理；二、将步骤一中得到的光亮的Q235碳钢置于不锈钢电解槽中的电解液中，作为阳极；不锈钢电解槽与电源负极相连接，作为阴极；三、采等离子体电解反应，得到陶瓷膜层类芬顿催化剂。本发明制备的陶瓷膜层类芬顿催化剂在180min内对苯酚的降解效率可达96％；其拉伸强度可达14MPa。本发明可获得一种利用等离子体电解氧化法在Q235碳钢表面制备陶瓷膜层类芬顿催化剂的方法。
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公开(公告)号：CN104927761A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510245661.5
申请日：2015-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种SiC@C核壳结构纳米线的制备方法，它涉及一种核壳结构纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有SiC存在频散特性低的问题。制备方法：一、混合得到混合物；二、反应得到反应物；三、分离干燥得到固体粉末；四、高温碳化处理得到SiC@C核壳结构纳米线。优点：一、整个工艺简单，操作方便，使用设备简单，成本低，不会造成污染；二、避免了杂质的引入和结构缺陷问题，制备的SiC@C核壳结构纳米线外壳表面光滑，包覆层致密均一；三、所用碳源原料廉价易得，可以通过调节反应液浓度来有效地控制包覆壳层的厚度；四、有良好的吸波性能。本发明主要用于制备SiC@C核壳结构纳米线。
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公开(公告)号：CN104846393A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510337523.X
申请日：2015-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C25B1/00 , C25B11/0415
Abstract: 一种以含Ag电极为工作电极的CO2电化学还原方法，它涉及一种CO2电化学还原方法。本发明目的是解决现有CO2电化学还原方法存在产物效率低的问题。方法：一、将离子液体和超纯水进行混合得到电解液；二、设备组装；三、进行CO2电化学还原，即完成以含Ag电极为工作电极的CO2电化学还原。本发明优点：一、以含Ag电极为工作电极，还原性能稳定；二、利用离子液体和超纯水进行混合得到电解液，结合以含Ag电极为工作电极，促进阴极区生成CO，大大提高了产物效率；三、本发明利用离子交换膜将阴极池与阳极池隔开，防止了阳极区生成的氧气进入阴极区后对还原反应造成负面的影响。本发明主要用于CO2电化学还原。
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公开(公告)号：CN102903895B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210394944.2
申请日：2011-03-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 用于超级铅酸电池的电极材料、其制备方法及利用其制备超级铅酸电池负极的方法，它涉及电极材料、其制备方法及制备电池负极。本发明解决了现有的超级电容的多孔碳电极与铅酸电池负极的工作电势相差大的问题。用于超级铅酸电池的电极材料是由多孔碳材料和改性材料组成；制备方法：将改性材料制成溶液与多孔碳材料混合，加入稀硫酸，经过滤、干燥制得；或者将改性材料与多孔碳材料机械混合得到；将电极材料制成电极板再与铅酸电池负极并联，或者将电极材料与铅酸电池材料混合后制备成电极，得到超级铅酸电池负极。本发明的用于超级铅酸电池的电极的起始工作电势与氢气析出电势与铅酸电池相当，可用于超级铅酸电池或超级电容器。
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公开(公告)号：CN103397313A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310344925.3
申请日：2013-08-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C18/08
Abstract: 一种SiC/Co异质复合纳米线的制备方法，它涉及一种复合纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有SiC/Co复合材料化学镀制备方法的存在步骤繁琐、可控性差和沉积粒子尺寸过大的问题。方法：一、混合；二、回流反应；三、磁分离，即得到SiC/Co异质复合纳米线。本发明优点：一、克服传统化学镀存在步骤繁琐和可控性差的问题；二、本发明SiC纳米线表面沉积的Co粒子的尺寸为5nm～10nm。本发明主要用于制备SiC/Co异质复合纳米线。
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