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公开(公告)号：CN102976324A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210516420.6
申请日：2012-12-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种β-SiC纳米线的合成方法，它涉及一种SiC纳米材料的合成方法。它要解决现有合成SiC纳米线方法需要高温、产物纯度低以及对设备要求高的问题。合成方法：一、按质量百分数比将硅粉、SiO2粉体和碳纳米管粉体均匀混合，放入管式炉里置于氩气中1200～1500℃的温度进行烧结，得到初级产物；二、将初级产物放入加热设备中,在300~700℃下保温去碳，放入氢氟酸中处理，经减压过滤后用水和乙醇洗涤，干燥后得到β-SiC纳米线。采用本发明合成方法得到的产品纯度高，可控性好，烧结温度较低，无需经过减压处理，对设备要求低。本发明主要应用于SiC纳米材料的合成。
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公开(公告)号：CN103011166B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210578947.1
申请日：2012-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种SiC/SiO2纳米线增强体的合成方法，它涉及一种SiC/SiO2纳米材料的合成方法。它要解决现有SiC/SiO2纳米材料的合成方法复杂，产率低和反应随机性大的问题。合成方法：一、按摩尔百分比将硅粉、SiO2和碳纳米管粉体混合，得到混合粉体；二、将混合粉体放于管式炉或烧结炉中，在氩气氛中以1100～1500℃的温度烧结混合粉体；三、混合粉体再置于加热设备中烧结，保温去碳后得到SiC/SiO2纳米线增强体。本发明的合成方法工艺简单，产品重现性高、可控性好，产率可达80%以上。本发明主要应用于金属基复合材料增强体SiC/SiO2纳米材料的合成。
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公开(公告)号：CN103397313A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310344925.3
申请日：2013-08-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C18/08
Abstract: 一种SiC/Co异质复合纳米线的制备方法，它涉及一种复合纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有SiC/Co复合材料化学镀制备方法的存在步骤繁琐、可控性差和沉积粒子尺寸过大的问题。方法：一、混合；二、回流反应；三、磁分离，即得到SiC/Co异质复合纳米线。本发明优点：一、克服传统化学镀存在步骤繁琐和可控性差的问题；二、本发明SiC纳米线表面沉积的Co粒子的尺寸为5nm～10nm。本发明主要用于制备SiC/Co异质复合纳米线。
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公开(公告)号：CN103011166A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210578947.1
申请日：2012-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种SiC/SiO2纳米线增强体的合成方法，它涉及一种SiC/SiO2纳米材料的合成方法。它要解决现有SiC/SiO2纳米材料的合成方法复杂，产率低和反应随机性大的问题。合成方法：一、按摩尔百分比将硅粉、SiO2和碳纳米管粉体混合，得到混合粉体；二、将混合粉体放于管式炉或烧结炉中，在氩气氛中以1100~1500℃的温度烧结混合粉体；三、混合粉体再置于加热设备中烧结，保温去碳后得到SiC/SiO2纳米线增强体。本发明的合成方法工艺简单，产品重现性高、可控性好，产率可达80%以上。本发明主要应用于金属基复合材料增强体SiC/SiO2纳米材料的合成。
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