一种泡沫镍基光热转换材料的制备方法

    公开(公告)号:CN110257811A

    公开(公告)日:2019-09-20

    申请号:CN201910675183.X

    申请日:2019-07-24

    Abstract: 一种泡沫镍基光热转换材料的制备方法,它涉及一种光热转换材料的制备方法。本发明的目的是要解决传统的光热转换由于需要对液体进行整体加热,存在较大的热损失,而且存在制备工艺复杂、成本较高和占地面积较大的问题。方法:一、泡沫镍预处理;二、溶剂热反应,得到泡沫镍基光热转换材料。本发明通过水热法制备的光热转换材料为一种半导体材料,呈现多跟针状物质团簇形成的花状结构,具有较高的吸收率,可以充分吸收波长在0.25μm~2.5μm的光,此外,材料本身具有优异的光热转换性能,可以充分将吸收的光能转换为热能并将材料微观结构表面的水分蒸发。本发明可获得一种泡沫镍基光热转换材料。

    一种碳包覆四氧化三铁/铁多形貌复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN106693970B

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201611072943.0

    申请日:2016-11-29

    Abstract: 一种碳包覆四氧化三铁/铁多形貌复合材料的制备方法,它涉及一种多形貌复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有固体催化剂存在多次循环性能严重下降,造成二次污染,对水体中污染物的降解效率低及现有铁基纳米材料应用于水处理中效果差的问题。方法:一、配制葡萄糖溶液;二、将枝状α‑Fe吸波材料加入到葡萄糖溶液中,超声分散后加入到聚四氟乙烯反应釜中,水热反应,得到碳包覆四氧化三铁/铁多形貌复合材料。本发明制备的碳包覆四氧化三铁/铁多形貌复合材料降解浓度为35ppm的苯酚溶液5min,苯酚的降解率达到90%。本发明可获得碳包覆四氧化三铁/铁多形貌复合材料。

    一种高效异相类芬顿催化剂微纳枝状铁铜合金的制备方法

    公开(公告)号:CN106984316B

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:CN201710350154.7

    申请日:2017-05-15

    Abstract: 一种高效异相类芬顿催化剂微纳枝状铁铜合金的制备方法,它属于水处理领域,具体涉及一种高效异相类芬顿催化剂的制备方法。本发明的目的是要解决现有高效异相催化剂制备复杂,活性差,比表面小,Fe离子溶出而产生铁泥造成二次污染的问题。方法:一、活化电极;二、配制电解液;三、制备枝状铜合金粉体;四、清洗,干燥。本发明制备的高效异相类芬顿催化剂微纳枝状铁铜合金可以在15min内完全降解苯酚,与市售铁粉相比,本发明制备的高效异相类芬顿催化剂微纳枝状铁铜合金的催化活性增加了20%~100%,铁溶出降低60%‑80%。本发明可获得一种高效异相类芬顿催化剂微纳枝状铁铜合金的制备方法。

    一种铁@四氧化三铁@碳复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN105597674B

    公开(公告)日:2018-01-30

    申请号:CN201511019161.6

    申请日:2015-12-29

    Abstract: 一种铁@四氧化三铁@碳复合材料的制备方法,它涉及一种铁复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有处理水污染的材料及技术成本高,易产生二次污染和处理效果差的问题。方法:一、制备葡萄糖溶液;二、制备滴加葡萄糖溶液后的枝状α‑Fe吸波材料;三、热处理,得到粉体;四、研磨,得到铁@四氧化三铁@碳复合材料。本发明制备的铁@四氧化三铁@碳复合材料不仅可以降低Fe2+离子的溶出,增加对污染物的吸附,同时又具备可磁性回收的特性,在水处理领域具有良好的应用前景;本发明制备的铁@四氧化三铁@碳复合材料的尺寸为4μm~7μm。本发明可获得一种铁@四氧化三铁@碳复合材料的制备方法。

    一种利用四氯化钛水解制备同质阻挡层/骨架结构的方法及其应用

    公开(公告)号:CN107633951A

    公开(公告)日:2018-01-26

    申请号:CN201710886921.6

    申请日:2017-09-26

    Abstract: 一种利用四氯化钛水解制备同质阻挡层/骨架结构的方法及其应用,它涉及一种光阳极的制备方法及其应用。本发明的目的是要解决现有介孔材料作为敏化太阳能电池的光阳极使用时电子传输效率低,光电子在传输过程中易发生复合的问题。方法:一、制备去除杂质的导电基底;二、利用TiCl4水解制备阻挡层;三、以水热体系制备TiO2骨架,得到同质阻挡层/骨架结构。本发明制备的同质阻挡层/骨架结构作为无机的量子点敏化太阳能电池的光阳极制备的无机的量子点敏化太阳能电池的光电转化效率PCE达到5.45%~6.24%。本发明可获得同质阻挡层/骨架结构。

    一种钛合金表面高太阳能吸收率高发射率黑色消光膜层的制备方法

    公开(公告)号:CN105177672B

    公开(公告)日:2017-10-03

    申请号:CN201510586137.4

    申请日:2015-09-15

    Abstract: 一种钛合金表面高太阳能吸收率高发射率黑色消光膜层的制备方法,它涉及一种钛合金表面陶瓷膜层的制备方法。本发明的目的是要解决现有钛合金表面的涂层存在太阳能吸收率低,自身发射率低,膜层与基体的结合力不高的问题。方法:一、钛合金前处理;二、微弧氧化,得到钛合金表面高太阳能吸收率高发射率黑色消光膜层。本发明制备的钛合金表面高太阳能吸收率高发射率黑色消光膜层的厚度为20μm~30μm,膜层的粗糙度为0.5μm~3μm,太阳吸收率为0.95~0.98,发射率为0.93~0.97。本发明一种钛合金表面高太阳能吸收率高发射率黑色消光膜层的制备方法。

    一种钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层的制备方法

    公开(公告)号:CN105040070B

    公开(公告)日:2017-06-20

    申请号:CN201510586138.9

    申请日:2015-09-15

    Abstract: 一种钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层的制备方法,它涉及一种钛合金TA2表面陶瓷膜层的制备方法。本发明的目的是要解决现有钛合金TA2表面的涂层存在太阳能吸收率低,自身发射率高,膜层与基体的结合力不高的问题。方法:钛合金TA2前处理;二、微弧氧化,得到钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层。本发明制备的钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层的厚度为0.3μm~1μm,膜层的粗糙度为0.2μm~0.25μm,太阳吸收率为0.82~0.9,发射率为0.08~0.13。本发明可获得一种钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层的制备方法。

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