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公开(公告)号：CN113088919A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110359050.9
申请日：2021-04-02
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/455
Abstract: 本发明的一种在聚晶金刚石复合片表面生长金刚石膜的方法属于超硬材料技术领域。主要步骤包括：对聚晶层进行脱钴预处理、多晶金刚石膜的沉积、沉积后缓慢降至室温，得到具有三层结构的复合超硬材料。本发明通过在PDC表面使用CVD法沉积了一层无钴且致密的多晶金刚石膜，使PDC的聚晶金刚石层表面得到增强，减少了PDC的表面孔隙并进一步提高其耐磨性。
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公开(公告)号：CN102288668A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110209306.4
申请日：2011-07-26
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/453 , G01N27/447
Abstract: 本发明的导电金刚石膜作为电极的电泳槽属于生物器械的技术领域。结构有电泳槽体(1)、电极、连接电极和电源的导线(4)、电极固定装置(3)；所述的电极，是导电金刚石膜电极(2)，是利用化学气相沉积方法，在基底上生长的硼或氮掺杂的金刚石膜或是自支撑硼或氮掺杂的金刚石膜，电阻率在10-4～10-2Ω·cm数量级。所述的电极固定装置(3)，是固定插槽式的。本发明的导电金刚石膜电极的电泳核酸以及蛋白质分子结果，与铂丝电极效果相近，甚至优于铂丝电极，并可方便地取下并可反复清洗，不损坏，经多次实验及清洗电泳结果无显著变化；具有使用寿命长，维护费用低，制备方法简单，无污染，耐腐蚀性强等特点。
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公开(公告)号：CN101786026B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010131050.5
申请日：2010-03-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的n型TiO2纳米管/p型金刚石异质结光催化材料及制备方法，属于光催化材料及其制备领域。本发明光催化材料是锐钛矿结构的n型TiO2纳米管生长在p型金刚石上。制备方法的第1步，生长硼掺杂的p-型多晶金刚石膜或硼掺杂的p型金刚石单晶；第2步，在p型金刚石溅射ZnO籽晶层；第3步，在乙酸锌和六次甲基四胺的混合水溶液中，在ZnO籽晶层上生长ZnO纳米棒；第4步，在氟钛酸氨和硼酸的混合溶液中，以ZnO纳米棒为模板在p型金刚石生长n型TiO2纳米管。本发明利用液相合成法在金刚石上制备了TiO2纳米管，获得光催化性能优越的异质结；方法简单成本低，适合大规模生产及应用。
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公开(公告)号：CN102021649A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010603983.X
申请日：2010-12-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的利用添加N2O气体化学气相沉积金刚石单晶的方法属金刚石单晶材料及其制备方法的技术领域。采用微波等离子体化学气相沉积系统，将单晶金刚石基底经抛光超声清洗处理后置于样品托放在沉积室内，向沉积室内充入氢气、甲烷和笑气，流量比为H2∶CH4∶N2O＝750∶75～90∶2～10，在微波功率2～2.5kw、基底温度900～1100℃，气压13～40kPa下生长金刚石单晶。本发明具有方法简单，生长速度快，质量好，成本低，污染小等优点，在N2O浓度的增加对全球气候增温效应越来越显著情况下，既利用废气节能减排，又促进了金刚石的生产。
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公开(公告)号：CN101012129B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200610131606.4
申请日：2006-11-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的金刚石膜或天然金刚石的表面改性的方法，属金刚石膜或天然金刚石的应用技术领域。工艺过程有配置过程、改性过程。配置过程是按底托、防连接层、金属层、金刚石膜或天然金刚石颗粒加底托的配置顺序摆好，在其上施加约20KPa的压力。改性过程是将上述单元试件放入真空加热炉中，充入氢气或甲烷作为还原保护气体至500～3000Pa，对试件加温至800～1000℃，保温10～50分钟。本发明的改性方法工艺简单，使金刚石膜或天然金刚石与其他材料牢固焊接，与传统的PCD金刚石复合片的焊接工艺兼容，适合于金刚石制品的规模化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101587902A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910067164.5
申请日：2009-06-23
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L27/12 , H01L23/552 , H01L21/84 , H01L21/762 , H01L21/20 , H01L21/00
Abstract: 本发明的一种纳米绝缘体上硅结构材料及其制作方法属集成电路芯片材料的技术领域。通过改进传统SOI结构中绝缘材料，制得以纳米抗辐射材料，如纳米金刚石，掺氮纳米金刚石，纳米氮化硼等作为绝缘层(8)的新型SOI结构。采用注氢键合技术和化学气相沉积方法，制成连接器件表层硅(3)-纳米绝缘层(8)-金刚石膜或/和单晶体Si衬底(4)的SOI结构。这种结构不仅具有传统SOI和SOD结构的优势，而且工艺更为简单，增强抗总剂量辐射，进一步提高SOI器件的总体抗辐射能力。适用于航空、航天、军工等领域的应用。
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公开(公告)号：CN100500951C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710055326.4
申请日：2007-02-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的高速生长金刚石单晶的装置和方法属金刚石材料技术领域。所说的装置是在化学气相沉积系统沉积室内的衬底架上装有的样品托5；样品托5是在多晶金刚石薄膜1上面装有闭合的环形框2。也可以在环形框2内的孔洞中放置金刚石微粉3。本发明的方法是，将单晶金刚石籽晶4置于环形框2的孔洞中放入沉积室，对籽晶进行在位等离子体先期刻蚀；然后在甲烷、氢气和氮气气氛中生长金刚石单晶。方法包括在位观测生长面亮度变化确定处理可能出现的非金刚石相及结构孔洞。本发明的装置结构简单适用；易于加工；对生长单晶金刚石不产生任何污染；导热好。本发明的方法可以获得透明的金刚石单晶，生长速度能大于100微米/小时。
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公开(公告)号：CN101422988A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810051572.7
申请日：2008-12-10
Applicant: 吉林大学 , 长春八方金刚石科技有限公司
Abstract: 本发明的打标机的金刚石针头及其制作方法属于打标、刻字的技术领域。由针座(1)、针杆(2)、针尖(3)以及连接孔(4)、镶嵌孔(5)组成；针尖(3)由金刚石条构成，顶端表面为球面形状；在镶嵌孔(5)与金刚石条的侧面之间充有焊料。制作有部件的选料加工、金刚石条的镶嵌、针尖的刃磨、针杆与针座连接的过程。本发明在使用过程中金刚石不脱落，性能稳定，寿命长，针尖硬度高，可多次修磨。不仅可替代传统的硬质合金针头或碳化硅针头，而且能实现上述针头无法满足的硬质材料工件的打标，扩展气动打标和电动打标的应用领域。
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公开(公告)号：CN101012129A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200610131606.4
申请日：2006-11-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的金刚石膜或天然金刚石的表面改性的方法，属金刚石膜或天然金刚石的应用技术领域。工艺过程有配置过程、改性过程。配置过程是按底托、防连接层、金属层、金刚石膜或天然金刚石颗粒加底托的配置顺序摆好，在其上施加约20KPa的压力。改性过程是将上述单元试件放入真空加热炉中，充入氢气或甲烷作为还原保护气体至500～3000Pa，对试件加温至800～1000℃，保温10～50分钟。本发明的改性方法工艺简单，使金刚石膜或天然金刚石与其他材料牢固焊接，与传统的PCD金刚石复合片的焊接工艺兼容，适合于金刚石制品的规模化生产。
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公开(公告)号：CN1583354A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410010895.3
申请日：2004-06-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的金刚石厚膜与硬质基体形成牢固连接的方法属超硬材料的焊接领域。工艺分前处理过程、装料过程、焊接过程。按基体、Ag－Cu合金、Ti箔、金刚石厚膜的顺序叠放置于真空炉的装料台上；真空炉抽真空至2×10－3Pa，以10℃～20℃/min升温速率升温至870℃，恒温40～60min，之后以8℃～12℃/min的降温速率降温至500℃，再自然降温至室温。Ag－Cu合金是片状或片网状的，Ti箔制成网状或使用TiH2或Ti粉。本发明能够避免Ti以层的形式存在对熔化后的Ag－Cu合金流动形成的阻碍，使Ag－Cu合金到达结合面的各个部位；工艺条件有利于消除在焊接过程中产生的内应力，从而连接牢固。
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