一种LED芯片的封装产品
    51.
    实用新型

    公开(公告)号:CN208538852U

    公开(公告)日:2019-02-22

    申请号:CN201821327076.5

    申请日:2018-08-16

    Abstract: 本实用新型公开了一种LED芯片的封装产品,包括若干颗LED芯片、基板、固晶层、引线和光学透镜;若干颗LED芯片通过固晶层分别键合在基板上,引线的两端分别与LED芯片的上电极和基板上的电路固定连接,光学透镜安装在基板上,并将若干颗LED芯片、基板、固晶层、引线密封在基板上;所述LED芯片为AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构的黄绿光LED芯片和AlGaInP材料体系制备的高光效垂直结构的红光LED芯片。通过本实用新型,解决了荧光粉使用带来的色温和光效难以协调发展的问题,实现了高光效超低色温的金黄光,避免当前LED芯片的封装产品中蓝光成分对用户的潜在危害。

    一种无荧光粉型黄白光LED路灯

    公开(公告)号:CN207097867U

    公开(公告)日:2018-03-13

    申请号:CN201720633003.8

    申请日:2017-06-02

    Abstract: 本实用新型公开了一种无荧光粉型黄白光LED路灯,包括LED光源、基板、散热板、后盖、电线、电源模块、安装支架和配光元件,LED光源由LED芯片组成,LED芯片为AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构的黄光LED芯片和AlGaInP材料体系制备的高光效垂直结构的红光LED芯片。该LED路灯采用无荧光粉技术,通过LED芯片光源直接出光,解决了荧光粉使用带来的色温和光效难以协调发展的问题,降低了光型控制的难易程度,简化了灯具制作工艺,同时提高灯具模块的可靠性。同时,由于黄光LED芯片和红光LED芯片直接合成的光源,实现钠黄光色的超低色温LED路灯。避免当前高色温LED路灯中蓝光成分对周边生物的潜在危害,降低光污染。

    一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料

    公开(公告)号:CN208986010U

    公开(公告)日:2019-06-14

    申请号:CN201821715724.4

    申请日:2018-10-23

    Abstract: 本实用新型公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料,自下而上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、第一腐蚀阻挡层、第二腐蚀阻挡层、第一N型粗化层、第二N型粗化层、N型限制层、N侧空间层、多量子阱发光区、P侧空间层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层。本实用新型的外延材料可直接在第一N型粗化层上制备N电极,消除了欧姆接触层的光吸收问题,还可提高N电极的粘附性,简化N面出光AlGaInP LED薄膜芯片制备工艺,有效提高芯片指标并降低成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种直接板上芯片的LED封装结构

    公开(公告)号:CN207367968U

    公开(公告)日:2018-05-15

    申请号:CN201720646865.4

    申请日:2017-06-06

    Abstract: 本实用新型公开了一种直接板上芯片的LED封装结构,该LED封装结构是将LED芯片通过固晶层直接键合在基板上,引线的两端分别与LED芯片的上电极、基板上的电路固定连接,在基板上直接模顶成型光学透镜。本实用新型采用一次光学透镜配光,提高了封装模块的出光效率,结构紧凑,光源尺寸小。同时,省略了封装支架,简化封装工艺,由芯片‑支架和支架‑基板两处界面热阻减少为芯片‑基板一处界面热阻,降低了热阻,从而散热能力更好,结温更低,可靠性更高。本实用新型专利解决了垂直结构LED芯片的混光问题,提高其出光效率,尤其适用于对混光空间有较高要求的灯具,如T8、T5灯管和直下式平面灯等,同时具有工艺简单、可靠性高等优点。

    一种无荧光粉多基色LED灯具的混光结构

    公开(公告)号:CN214672604U

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202120208246.3

    申请日:2021-01-26

    Abstract: 本实用新型公开了一种无荧光粉多基色LED灯具的混光结构,该混光结构包括底板、基板、第一混光单元、第二混光单元。第一混光单元包含无荧光粉多基色LED灯珠,无荧光粉多基色LED灯珠包含四种不同主波长LED芯片。第二混光单元由呈四边形分布的第一混光单元组成,第二混光单元内具有包含四种不同主波长LED芯片的补色单元。本实用新型能够消除无荧光粉多基色LED灯具中,不同单色光分别在不同方向富集而导致的灯具部分区域较明显的混光偏色现象,提高出光的光色均匀性。

    一种无荧光粉型金黄光LED放大镜

    公开(公告)号:CN211979323U

    公开(公告)日:2020-11-20

    申请号:CN202020688370.X

    申请日:2020-04-29

    Abstract: 本实用新型公开了一种无荧光粉型金黄光LED放大镜,包括若干颗LED光源、基板、放大镜镜片、电源模块、开关、电池、二次光学元件、电线和外壳,LED光源直接采用LED芯片作为光源,所述LED芯片为AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构的黄绿光LED芯片和AlGaInP材料体系制备的高光效垂直结构的红光LED芯片,黄绿光LED芯片和红光LED芯片直接合成金黄光。本实用新型采用无荧光粉型LED光源直接出光,LED光源由LED芯片直接合成,避免了荧光粉的使用,提高了LED光源的可靠性。本实用新型解决了荧光粉使用带来的色温和光效难以协调发展的问题,使色温和光效协调发展,实现了高光效超低色温的金黄光,避免当前白光LED中的蓝光成分对用户的潜在危害。

    一种发光面为平面几何图形的LED芯片

    公开(公告)号:CN208889689U

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201821360051.5

    申请日:2018-08-22

    Abstract: 本实用新型公开了一种发光面为平面几何图形的LED芯片,所述LED芯片包括基板层,基板层从下至上依次包括接触层、基板反面保护层、支撑基板、基板正面保护层、键合层;基板层的上面从下至上依次设有粘结保护层、反射金属接触层,在反射金属接触层的上面设有图形化外延层;图形化外延层从下至上依次包括:互补结构层、p型层、发光层、n型层;在图形化外延层上面设有第一钝化层、N电极和第二钝化层;所述的图形化外延层形状为平面几何图形。本实用新型能够节省LED封装制造端的设计制造环节和批量生产的成本,而又不增加LED芯片制造成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片

    公开(公告)号:CN207967032U

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201820161161.2

    申请日:2018-01-31

    Abstract: 本实用新型公开了一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片,该LED芯片包括:具有正反面的键合基板;从键合基板正面往上依次为:基板侧金属键合层、外延侧金属键合层、P面扩散阻挡金属层、P面反射欧姆接触层;从P面反射欧姆接触层往上依次为P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层、N型粗化层、N型欧姆接触层,N电极;键合基板的反面为P电极。本实用新型采用的P面反射欧姆接触层,同时具备光反射和欧姆接触功能;通过P面反射欧姆接触层的区块化,通过优化区块的间隔距离和N电极的宽度,可以抑制N电极对应区域电流注入集中问题,有效减少N电极遮挡效应。本实用新型具有能有效提高电光转换效率、结构简单等优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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