环网柜断路器状态监测方法、装置、计算机设备和介质

    公开(公告)号:CN114705977A

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202210295773.1

    申请日:2022-03-24

    Abstract: 本申请涉及一种环网柜断路器状态监测方法、装置、计算机设备、存储介质。所述方法包括:通过多个信号传感器,获取多个监测数据;通过分合闸线圈状态监测模块,获取第一电气量监测数据并得到分合闸线圈状态监测结果;通过开关触头行程状态监测模块,获取加速度监测数据、振动监测数据以及第一温度监测数据,并得到开关触头行程状态监测结果;通过储能电机状态监测模块,获取第二电气量监测数据、压力监测数据以及第二温度监测数据,并得到储能电机状态监测结果;将分合闸线圈状态监测结果、开关触头行程状态监测结果,以及储能电机状态监测结果,作为针对目标环网柜断路器的状态监测结果。采用本方法能够提高环网柜断路器状态监测的准确性。

    一种采用低掺杂硅衬底的压电压阻型电场传感器

    公开(公告)号:CN114487546A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202210043314.4

    申请日:2022-01-14

    Abstract: 本发明提供一种采用低掺杂硅衬底的压电压阻型电场传感器,包括基底;设置在基底上的低掺杂的硅衬底;设置在硅衬底上的第一氧化硅层;设置在第一氧化硅层上的半导体薄膜;设置在半导体薄膜上的第二氧化硅层;硅衬底中心区域设有一个圆台状的通孔;通孔直径大的一端与基底的上表面耦合;通孔直径小的一端与第一氧化硅层的下表面耦合;基底的上表面的中心区域还设有置于通孔内的压电晶体;压电晶体的第一端粘接在基底的上表面;压电晶体的第二端与第一氧化硅层的下表面耦合;且压电晶体的外壁与通孔的内壁均不接触;半导体薄膜的上表面设有两组离子掺杂区;同时两组离子掺杂区通过设置的四个电极通过金属线路与离子掺杂区连接并组成惠斯通电桥。

    电流传感器、电流测量设备、系统、装置和存储介质

    公开(公告)号:CN113049873B

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202110284529.0

    申请日:2021-03-17

    Abstract: 本申请涉及一种电流传感器、电流测量设备、系统、装置和存储介质。电流传感器包括:第一单轴TMR芯片、第二单轴TMR芯片和第三单轴TMR芯片;第一单轴TMR芯片、第二单轴TMR芯片和第三单轴TMR芯片位于同一虚拟圆环上;第一单轴TMR芯片的磁敏感方向、第二单轴TMR芯片磁敏感方向和第三单轴TMR芯片磁敏感方向均垂直于虚拟圆环的半径;第一单轴TMR芯片的磁敏感方向垂直于第二单轴TMR芯片的磁敏感方向;第二单轴TMR芯片的磁敏感方向垂直于第三单轴TMR芯片的磁敏感方向;第一单轴TMR芯片、第二单轴TMR芯片和第三单轴TMR芯片均用于采集待测导线的磁感应强度;待测导线的磁感应强度用于计算待测导线的目标电流值。采用本电流传感器进行电流测量时,测试方式简单、成本低。

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