一种采用低掺杂硅衬底的压电压阻型电场传感器

    公开(公告)号:CN114487546A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202210043314.4

    申请日:2022-01-14

    Abstract: 本发明提供一种采用低掺杂硅衬底的压电压阻型电场传感器,包括基底;设置在基底上的低掺杂的硅衬底;设置在硅衬底上的第一氧化硅层;设置在第一氧化硅层上的半导体薄膜;设置在半导体薄膜上的第二氧化硅层;硅衬底中心区域设有一个圆台状的通孔;通孔直径大的一端与基底的上表面耦合;通孔直径小的一端与第一氧化硅层的下表面耦合;基底的上表面的中心区域还设有置于通孔内的压电晶体;压电晶体的第一端粘接在基底的上表面;压电晶体的第二端与第一氧化硅层的下表面耦合;且压电晶体的外壁与通孔的内壁均不接触;半导体薄膜的上表面设有两组离子掺杂区;同时两组离子掺杂区通过设置的四个电极通过金属线路与离子掺杂区连接并组成惠斯通电桥。

    O3传感器及其制备方法、O3浓度的检测方法及检测装置

    公开(公告)号:CN117871615A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202311307004.X

    申请日:2023-10-10

    Abstract: 本申请涉及一种O3传感器及其制备方法、O3浓度的检测方法及检测装置。O3传感器包括带有叉指电极的衬底和设置在叉指电极表面的敏感材料层,敏感材料层为四方CH3NH3PbI3,叉指电极为石墨叉指电极,衬底为陶瓷衬底。将四方CH3NH3PbI3半导体材料作为敏感材料,与石墨叉指电极和陶瓷衬底制备O3传感器,O3可吸附在碘的空位上,与四方CH3NH3PbI3中的pb2+成键进行电子传输,从而增加半导体材料的载流子浓度;而载流子浓度会影响电流,从而影响O3传感器的电阻,进而实现在室温条件下检测O3的浓度。且四方CH3NH3PbI3的八面体[PbI6]2‑骨架提供了电子传输通道,可有效促进O3的快速响应。

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