-
公开(公告)号：CN115312616A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211094096.3
申请日：2022-09-08
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/20 , H01L31/105 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种全平面离子注入倾斜高阻终端的4H‑SiC雪崩光电探测器，抑制雪崩光电探测器件边缘电场强度的终端结构为离子注入倾斜高阻终端。本发明终端通过高温光刻胶回流与离子注入工艺形成一种倾斜高阻终端台面，解决了SiC APD现有技术中小角度倾斜台面钝化层/SiC界面缺陷态多、可靠性差的缺点，有效抑制了SiC APD边缘电场聚集效应，制备简单，可靠性好。
-
公开(公告)号：CN113054969A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110255008.2
申请日：2021-03-09
Applicant: 南京大学
IPC: H03K17/567 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓三极管栅极驱动电路及其控制方法，栅极驱动电路包括驱动电路和输出电路；驱动电路包含电源模块、变换器模块、半桥模块和调压模块；电源模块、变换器模块、半桥模块和调压模块串联；半桥模块、调压模块和输出电路构成正栅压控制电路和负栅压控制电路。本发明将栅极电压信号范围扩宽为‑20V到20V，满足了增强型和耗尽型氮化镓三极管的驱动需求，同时正栅压控制电路和负栅压控制电路互不干扰，确保了安全高可靠操作，并且仅需单电源V1供电，电路设计简单。
-
公开(公告)号：CN113009310A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110255859.7
申请日：2021-03-09
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率器件电学参数测量电路及测量方法，测量电路包括：信号控制电路和参数测量电路；信号控制电路包含直流DC电源、储能电容C1、变压器原边线圈T1和控制三极管Q2；参数测量电路包含变压器副边线圈T2、保护二极管D2、开关S1、开关S2、待测三极管Q1和待测二极管D1；信号控制电路和参数测量电路通过变压器T完成信号传递。上述利用开关使变压器原边产生脉冲导通电流，该电流信号流过变压器初级线圈时，变压器磁芯中产生的交流磁通促使次级线圈中感应出脉冲电压和脉冲电流，感应的脉冲电流信号会流经串联在次级线圈中的待测功率器件，因而可得到待测功率器件的I‑V电学特性；操作灵活，成本低；扩大了测试范围，提升了测试效率。
-
公开(公告)号：CN112230115A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011088858.X
申请日：2020-10-13
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种集成氮化镓二极管和三极管的雪崩测试电路及其控制方法，雪崩测试电路包括电源保护电路、测试电路和控制电路；电源保护电路与测试电路串联；电源保护电路包含直流DC电源、稳压电容C1、滤波电容C2、保护三极管Q3和保护二极管D3；测试电路包含待测二极管D1、待测三极管Q1、旁路三极管Q2、保护二极管D2和负载电感L1,负载电感L1存储的雪崩能量有两条泄放支路，保护二极管D2与两条泄放支路分别构成泄放回路；控制电路分别连接待测三极管Q1、旁路三极管Q2和保护三极管Q3的栅极。本发明实现了在固定电路中对氮化镓二极管和三极管的雪崩参数进行测量，提升了测试效率，降低了测试成本，并且利用泄放回路消除了雪崩能量对电路的冲击，保护了电源设备。
-
公开(公告)号：CN109192796A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811242157.X
申请日：2018-10-24
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/105
Abstract: 本发明公开了一种UVC增强型PIN结构的4H-SiC紫外探测器，上电极4H-SiC欧姆接触层采用非均匀掺杂的掺杂分布，在该层欧姆接触层内形成一个内建电场，有效降低了光生载流子在该层欧姆接触层内的复合几率，提升了电极的收集效率，在保持PIN结构4H-SiC紫外探测器二极管整流特性、低欧姆接触电阻、低暗电流的同时，有效提升了PIN结构4H-SiC紫外探测器在UVC波段的响应度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108538923A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810467277.3
申请日：2018-05-16
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/868 , H01L29/207 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种复合终端结构的氮化镓二极管，包括i型GaN本征层和p型GaN接触层，复合终端结构的氮化镓二极管为准垂直p-i-n结构；p型GaN接触层与i型GaN本征层之间加了一层低掺杂的p型GaN过渡层。本发明复合终端结构的氮化镓二极管，经仿真结果表明，比传统结构器件有着更均匀的电场分布和更大的反向击穿电压。
-
公开(公告)号：CN119828207A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510334586.3
申请日：2025-03-20
IPC: G01T7/00
Abstract: 本发明涉及半导体漂移室探测器测量领域，具体涉及一种半导体漂移室探测器漂移特性的测试系统及方法。测试系统包括双面探针台、半导体漂移室探测器、第一双通道数字万用表、第二双通道数字万用表、激光器和光纤夹具。双面探针台用于固定和连接探测器，数字万用表分别施加偏压和采集数据，激光器通过光纤照射探测器背面。测试时，先选激光器波长并调光功率，将探测器置于暗室双面探针台并连接设备，光照后设置电压并监测电流，调整光照位置，依据不同光照位置电流差判断横向漂移特性是否合格。该测试系统及方法，相比传统集成测试，有效减少测试时间，提高器件迭代速度，能便捷表征半导体漂移室探测器中电子的横向漂移特性。
-
公开(公告)号：CN119208373B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411676742.6
申请日：2024-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: H10D30/47 , H01L23/552 , H10D30/01
Abstract: 本发明提供了一种辐照下维持阈值电压稳定的增强型GaN晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该增强型GaN晶体管包括自下而上设置的衬底层、氮化镓层和势垒层，所述势垒层上方设置有呈条状分布的p‑GaN层，所述p‑GaN层上方设置有栅极金属层，所述p‑GaN层的两侧平行间隔设置有源极和漏极，所述p‑GaN层靠近所述源极的一侧平行间隔设置有欧姆金属层，所述欧姆金属层与所述p‑GaN层之间填充有绝缘介质层。能够解决现有技术中氮化镓功率二极管因辐照后发生空穴积聚而导致的抗辐照能力差、器件阈值电压不稳定的技术问题。
-
公开(公告)号：CN119364881A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411937687.1
申请日：2024-12-26
IPC: H10F30/29 , H10F77/14 , H10F77/1226
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅探测器及其制作方法，涉及半导体领域，包括：碳化硅衬底层；位于碳化硅衬底层一侧的碳化硅基体层，碳化硅基体层包括层叠的第一碳化硅层、第二碳化硅层和第三碳化硅层；第三碳化硅层为阳极层，位于第二碳化硅层的第一区域，裸露第二碳化硅层的第二区域；第二碳化硅层的第二区域内具有N个漂移环，N个漂移环中，第1漂移环为闭环，其他漂移环围绕所述第1漂移环呈螺旋排布，第i+1漂移环的首端和所述第i漂移环的尾端相连；在平行于衬底层所在平面的平面内，阳极层位于第1漂移环的闭合区域内。本申请实施例所提供的碳化硅探测器，更容易获得极低漏电流的高性能器件，且无需制备分压器，工艺难度和成本大大降低。
-
公开(公告)号：CN119170656A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411676733.7
申请日：2024-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/872 , H01L23/552 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种抗单粒子烧毁辐照效应的GaN整流器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该GaN整流器件包括背面阴极金属层、n+氮化镓衬底层和n‑氮化镓漂移层，n‑氮化镓漂移层上开设有多个环形槽结构且内部生长有p+氧化镍层，n‑氮化镓漂移层上方设有肖特基接触金属层，p+氧化镍层上方设置有欧姆接触金属层并设置绝缘钝化层进行隔离。绝缘钝化层上开设有第一接触通孔和第二接触通孔，上方生长有相互隔离的正面第一阳极金属层和正面第二阳极金属层，分别通过第一接触通孔和第二接触通孔与肖特基接触金属层和欧姆接触金属层连接。能够解决现有GaN整流器因空穴在阳极附近积累，产生辐照损伤甚至单粒子烧毁的技术问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
70
records
(took 0.018 seconds)
