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公开(公告)号：CN108538923A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810467277.3
申请日：2018-05-16
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/868 , H01L29/207 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种复合终端结构的氮化镓二极管，包括i型GaN本征层和p型GaN接触层，复合终端结构的氮化镓二极管为准垂直p-i-n结构；p型GaN接触层与i型GaN本征层之间加了一层低掺杂的p型GaN过渡层。本发明复合终端结构的氮化镓二极管，经仿真结果表明，比传统结构器件有着更均匀的电场分布和更大的反向击穿电压。
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