-
公开(公告)号：CN103296222A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310189987.1
申请日：2013-05-21
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了属于聚合物太阳能电池材料领域的一种高性能聚合物太阳能电池阴极修饰材料。所述聚合物太阳能电池阴极修饰材料为乙酰丙酮锆，将乙酰丙酮锆引入太阳电池中取代原有活泼低功函金属，可选择性地收集电子、阻挡空穴，与活性层之间可形成欧姆接触，使器件的开路电压达到最优值；且该修饰层还有光学间隔的作用，使得内部的光电场重新分配，从而增强光吸收，在聚合物太阳能电池中表现出优异的性能。本发明的聚合物太阳能电池阴极修饰层的制备也具有工艺简单，成本低廉，安全无污染，实验重复性好、适合于大规模工业化生产等特点。
-
公开(公告)号：CN101692481B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910093531.9
申请日：2009-10-12
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种平面-本体异质结集成结构太阳能电池及其制备方法。本发明太阳能电池包括依次层叠的玻璃衬底、阳极、阳极修饰层、光电活化层、阴极，其特征在于在阳极修饰层和光电活化层之间设有厚度为2-30nm的共轭聚合物电子给体材料层，用旋转涂膜或喷墨打印的方法制备共轭聚合物电子给体材料涂层和共轭聚合物电子给体材料与半导体纳米晶电子受体材料混合而成的光电活化层。本发明兼备平面结构和本体异质结结构电池的优点，具有制作工艺简单、控制容易，重现性好，可溶液加工等多种优点，同时使用该结构的太阳能电池较普通本体异质结结构的能量转换效率有显著提高。
-
公开(公告)号：CN102447069A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110359001.1
申请日：2011-11-11
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于聚合物太阳能电池技术领域的一种聚合物太阳能电池阴极修饰材料及应用该修饰材料的电池。所述聚合物太阳能电池，包括依次层叠的衬底、阳极层、阳极修饰层、光电活性层、阴极修饰层和阴极层，其中，所述阴极修饰层为乙酰丙酮氧化钛膜。所述阴极修饰材料为乙酰丙酮氧化钛。本发明以乙酰丙酮氧化钛为阴极修饰层，采用旋涂法制备阴极修饰层，将乙酰丙酮氧化钛引入聚合物太阳电池中，实现了电子的高效收集；并且与现有的溶胶凝胶法制备的二氧化钛和真空蒸镀的LiF相比，本发明也具有光电转换效率高、工艺简单，成本低廉，实验重复性好、适合于大规模工业化生产等特点。
-
公开(公告)号：CN102412370A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110410185.X
申请日：2011-12-09
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了聚合物太阳能电池技术领域的一种聚合物太阳能电池及其制备方法。本发明中的聚合物太阳能电池，包括依次层叠的衬底、阳极层、阳极修饰层、光电活性层、阴极修饰层(也可以没有)和低功函阴极层，其中，所述阳极修饰层为醋酸镍薄膜。在衬底上制备阳极层；在阳极层上旋涂水合醋酸镍与溶剂的混合溶液，经烘烤，得到阳极修饰层；在阳极修饰层上依次制备光电活性层和低功函阴极层，或者在阳极修饰层上依次制备光电活性层、阴极修饰层(也可以没有)和低功函阴极层，即可。本发明中的阳极界面修饰层可形成厚度薄且致密性高的阳极界面修饰层，适用于聚合物太阳能电池修饰阳极的要求。
-
公开(公告)号：CN102315392A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110289068.2
申请日：2011-09-26
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了属于聚合物太阳能电池技术领域的一种无PEDOT的聚合物太阳能电池及其制备方法。聚合物太阳能电池，包括依次层叠的衬底、透明导电金属氧化物电极层、阳极修饰层、光电活性层、阴极修饰层(可以没有)和低功函阴极层，所述阳极修饰层为二(乙酰丙酮)氧化钒膜。在衬底上制备透明导电金属氧化物电极层，作为电池的阳极；在透明导电阳极上旋涂二(乙酰丙酮)氧化钒与溶剂的混合溶液，经烘烤，得到阳极修饰层；在阳极修饰层上依次制备光电活性层、阴极修饰层(可以没有)和低功函阴极层即可。将二(乙酰丙酮)氧化钒膜作为阳极修饰层，可以有效的实现空穴的收集，提高阳极尤其是ITO的功函，在聚合物太阳能电池中表现出优异的性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114695672A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210331083.7
申请日：2022-03-31
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明提供了一种叠层太阳电池，包括依次设置的导电基底、电子传输层、全无机钙钛矿层、中间复合层、有机活性层、空穴传输层和金属电极层。本发明提供的叠层太阳电池半透明叠层的设计是在提高电池效率的同时实现选择性的滤光设计，可调谐的吸收人眼不可见的紫外以及红外区的光，透射出与人眼视觉具有良好响应的可见光，从而在有效降低成本且提升PCE，同时保持良好的人眼舒适度，提供卓越而稳定的发电、节能和隐私保护性能。本发明提供的基于选择性滤光设计的叠层太阳电池，具有良好的显色特性，可作为用于遮挡日光、保护隐私的光伏玻璃应用，实现太阳电池在BIPV、幕墙、航空和汽车智能窗等美学应用领域进一步的广泛应用。
-
公开(公告)号：CN110212862A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910594006.9
申请日：2019-07-03
Applicant: 华北电力大学
IPC: H02S50/15
Abstract: 本发明公开了一种室内光伏电池电流-电压测试系统及方法，使用本发明中的室内光伏电池电流-电压测试系统时，根据待测试光伏电池与室内光源之间的距离需求确定样品台的位置并进行固定，利用照度计根据光伏电池与室内光源之间的距离测得光功率；将待测光伏电池安装在3M测试夹上，确保仿室内试验箱形成密闭环境，开始测试；控制器获取数字源表测量的电流、电压和填充因子，结合光功率计算出待测试光伏电池的光电转换效率。通过以上手段可满足对色温范围为1000K-10000K、照度范围为10-200000lux的光辐照下的光伏电池的测量，从而完成对不同室内光条件下的光伏电池的指标标准量化测试。
-
公开(公告)号：CN105206752B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510524251.4
申请日：2015-08-24
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L51/44
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于聚合物太阳能电池技术领域的一种聚合物太阳能电池阴极修饰材料及电池阴极修饰方法。本发明中的聚合物太阳能电池为层状结构，包括依次层叠的衬底、透明导电金属氧化物电极层、光电活性层、阴极修饰层和低功函阴极层。所述阴极修饰层为四乙醇乙酰丙酮钽。在光电活性层上旋涂四乙醇乙酰丙酮钽的溶液，得到阴极修饰层。本发明是首次将四乙醇乙酰丙酮钽溶液制成的薄膜用于制作聚合物太阳电池的阴极修饰层。实现了电子的高效收集；并且与现有的溶胶凝胶法制备的二氧化钛和真空蒸镀的LiF相比，本发明也具有光电转换效率高、工艺简单，成本低廉，实验重复性好、适合于大规模工业化生产等特点。
-
公开(公告)号：CN103972416B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201410206672.8
申请日：2014-05-15
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于发光二极管器件制备技术领域，特别涉及一种基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法。本发明半导体量子点发光二极管依次包括层叠的衬底、透明导电金属氧化物电极层、电子注入层、量子点发光层、空穴注入层和对电极层，其中涉及的电子注入层采用乙酰丙酮钛膜材料。可采用旋涂等溶液加工的方法制备电子注入层，将乙酰丙酮钛引入反向结构量子点发光二极管器件制备中，实现了电子的有效注入；并且与传统的正向结构和溶胶凝胶法制备的二氧化钛、氧化锌相比，本发明具有发光颜色纯、制备工艺简单，成本低廉，实验重复性和稳定性好、适合于大规模工业化生产等特点。
-
公开(公告)号：CN104022185B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410268812.4
申请日：2014-06-17
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0264
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳电池技术领域，特别涉及一种钙钛矿膜及其制备与应用方法。本发明采用两步法生成钙钛矿膜，PbI2膜采用溶液加工的方法制备，使得工艺简单，高效。另外两步法有效的提高了膜表面的平整度，大大的降低了载流子在活性层界面的复合，有效提高材料的抗溶剂性能，显著的提高了器件的性能。本发明还具有制备工艺简单，成本低廉，实验重复性好、适合于大规模工业化生产等特点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
71
records
(took 0.021 seconds)
