-
公开(公告)号:CN109066063A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201810790330.3
申请日:2018-07-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种低剖面LTCC毫米波双极化阵列天线,包括:由端口1输入的电磁波在中间层功分结构传输,通过缝隙3耦合进入上层功分结构,通过缝隙1耦合进入天线单元,并产生方向1的极化;由端口2输入的电磁波在下层功分结构传输,通过缝隙5耦合进入中间层功分结构,通过缝隙4耦合进入上层功分结构,通过缝隙2耦合进入天线单元,并产生方向2的极化;当接收方向1极化电磁波时,电磁能量通过缝隙1进入上层功分结构,并通过缝隙3进入中间层功分结构;当接收方向2极化电磁波时,电磁能量通过缝隙2进入上层功分结构,并通过缝隙4耦合进入中间层功分结构,再通过缝隙5耦合进入下层功分结构。本发明实现天线高增益、宽频带和双端口的高隔离度。
-
公开(公告)号:CN105948723A
公开(公告)日:2016-09-21
申请号:CN201610505162.X
申请日:2016-06-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/64
CPC classification number: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3418 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/96
Abstract: 本发明公开了一种氧化铝微波介质陶瓷及其制备方法。该氧化铝微波介质陶瓷包括氧化铝、氧化钇、氧化锆和CMS混合物,氧化铝的质量百分比为95%~98%,氧化钇的质量百分比为0.25%~0.75%,氧化锆的质量百分比为0%~3%,CMS混合物的质量百分比为1.25%~3.25%;CMS混合物包括氧化镁、氧化钙和氧化硅,氧化镁的质量百分比为18.6%,氧化钙的质量百分比为50.1%~56.0%,氧化硅的质量百分比为25.4%~31.3%。制备方法为:按配比将氧化铝、氧化钇、氧化锆和CMS混合物混合,球磨烘干、造粒并压成坯片,排胶烧结制得陶瓷。通过添加组合氧化物,使陶瓷有高微波介电性能和高耐击穿强度。
-
公开(公告)号:CN104098337A
公开(公告)日:2014-10-15
申请号:CN201410320880.0
申请日:2014-07-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/634 , B28B3/00
Abstract: 本发明公开了一种连体式同轴介质滤波器坯体的成型方法,包括:轧膜法制备陶瓷膜片,将陶瓷膜片叠层并加热加压处理使膜片紧密结合成为密实生坯块,对生坯块按所设计的滤波器结构进行切割打孔等机械操作,最后对陶瓷生坯进行排胶及烧结。本发明与干压成型相比,不需要复杂结构的钢制模具,避免了模具加工难、成本高、成型后脱模困难、坯体易碎的缺点。本发明制作的介质滤波器生坯由于聚乙烯醇含量较高,使得生坯韧性高,不易破碎,而且烧结前容易进行机械加工,可以灵活制作复杂结构的陶瓷器件生坯,能够有效的提高生产率、成品率。与凝胶注模成型相比,本发明使用的聚乙烯醇、甘油等有机物,廉价安全,对人体和环境均无害,满足绿色化生产的要求。
-
公开(公告)号:CN100361932C
公开(公告)日:2008-01-16
申请号:CN200610019081.5
申请日:2006-05-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 一种钛酸铋钠基无铅压电陶瓷,属于压电陶瓷材料,目的在于降低矫顽场,提高压电性能。本发明基料摩尔比和成分表达式为:(1-x-y)(Bi1/2Na1/2)TiO3-x(Bi1/2K1/2)TiO3-yKNbO3,式中0≤x<1,0<y<0.2,0<(x+y)<1;并采用下述方法制备:(1)按所述表达式的化学计量比称取Bi2O3、Na2CO3、(COOK)2·H2O、TiO2、Nb2O5为原料,用纯酒精作为介质球磨;(2)球磨后的粉料烘干后在800℃~850℃预烧2h,加粘合剂成型;(3)在1100℃~1180℃之间烧结2~3小时;(4)烧结后的陶瓷片上制备银电极,在30℃~60℃的硅油中,在4~5kV/mm的电压下极化10~15分钟;本发明压电陶瓷组合物的d33可达190pC/N以上,Kp可达0.37以上,且工艺稳定,适合应用于压电振子和超声换能器等领域。
-
公开(公告)号:CN101050103A
公开(公告)日:2007-10-10
申请号:CN200710051796.3
申请日:2007-04-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/057 , C04B35/495 , C04B35/63 , C04B35/64 , H01B3/12 , H01P7/10
Abstract: 微波介质陶瓷材料及其制备方法,属于低介电常数微波介质陶瓷材料,目的是具有低介电常数、低损耗与良好的温度稳定性,同时具有良好的机械加工性能。本发明为主材料表达式为uCaO-vWO3-wTiO2的固溶体介质陶瓷,各组分含量:45mol.%≤u≤55mol.%,40mol.%≤v≤53mol.%,0mol.%≤w≤7mol.%,u+v+w=100mol.%;按所述u、v、w的摩尔比称量原料,经球磨、干燥、预烧、再球磨、造粒成型和烧结制成。本发明方法,包括球磨、干燥、预烧、再球磨、造粒成型和烧结步骤。本发明的材料具有低微波介电损耗、较小的谐振频率温度系数、优良的机械加工性能,可用于通讯系统中介质天线、介质基板等微波元器件,模具简单,加工方便,有利于大批量生产。
-
公开(公告)号:CN1528705A
公开(公告)日:2004-09-15
申请号:CN200310111238.3
申请日:2003-10-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/465 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01B3/12
Abstract: 本发明公开了一种微波介质陶瓷,包括主成分:p[m(aCaO.bNd2O3)·cMgO·TiO2]·q[1/4Li2O·1/4Sm2O3·TiO2],以摩尔百分比计算,其中:p+q=100摩尔%,m+c=1,a+3b=1,30摩尔%≤q≤55摩尔%,0.3摩尔≤a≤0.75摩尔,0.8摩尔≤m≤0.95摩尔;副成分为ZnO,以主成分的重量为100计,副成份的含量u为主成分的0.5至2.0wt%。本发明还提供了其制备方法。所制备的微波介质陶瓷,其介电常数为90~120,同时具有低损耗与可调的谐振频率温度系数,利用本发明提供的微波介质陶瓷可使介质谐振器与滤波器等微波元器件适应更高的频率。同时,本发明提供的陶瓷亦可应用于高频陶瓷电容器或温度补偿陶瓷电容器等。
-
公开(公告)号:CN1453574A
公开(公告)日:2003-11-05
申请号:CN03128070.6
申请日:2003-05-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高介低损耗陶瓷微波复介电常数的测试方法,该方法能够严格求解介质柱谐振器中有关TE0ml模的正反问题,能够简单可靠地测量金属板表面电阻和样品的介电损耗。通过测量试样的半径a、高度L和TE011模的谐振频率,利用反问题算法计算得到试样的复介电常数。通过测量谐振频率相近的两个高次TE模的谐振频率、有载品质因数及谐振频率点的散射参数S21,代入所获得的关系式,就能得到试样的介电损耗。本发明能够对εr=20~150、tanδ=1×10-4~5×10-3,半径a小于15mm、厚度L大于4mm,且的上下表面平整的圆柱形微波陶瓷样品在1~20GHz范围内进行测试,εr的相对误差小于0.1%,f0/tanδ的相对误差小于2.5%。
-
-
公开(公告)号:CN2747587Y
公开(公告)日:2005-12-21
申请号:CN200420072099.8
申请日:2004-07-26
Applicant: 深圳华中科技大学研究院
IPC: G01R31/00
Abstract: 一种铁电材料参数测试仪,用于铁电材料的电滞回线、I-V特性和开关特性测量,包括机壳,面板和位于机壳内的电路,所述面板上包括用于与示波器相连的X接线柱、Y接线柱以及接地柱,用于与被测铁电材料相连的一对接线柱,该对接线柱分别与所述X接线柱和Y接线柱短接,所述Y接线柱与接地柱之间串有用于电滞回线测量的标准电容/用于I-V特性和开关特性测量的标准电阻;所述机壳内的电路包括电压源、模拟信号产生电路、功率驱动电路、高压驱动电路、高压选择开关、正矩形脉冲产生电路、负矩形脉冲产生电路、双极性双脉冲合成电路和模拟/脉冲信号选择开关。本测试仪,能够满足一般工程技术人员的实际需要,并且构建成本低。
-
-
-
-
-
-
-
-