公开(公告)号：CN101799440B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010133486.8

申请日：2010-03-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 张建生 ,  杨君友 ,  张晖 ,  肖承京 ,  冯双龙 ,  朱虎 ,  朱云峰 ,  朱文 ,  彭江英

IPC: G01N25/20

Abstract: 本发明公开了一种测试薄膜热导率的新方法。通过样品上两个金属加热薄膜对有膜区域与无膜区域的同时加热，通过调整串联在电路中的精密可调电阻箱，使两个金属加热薄膜具有相同的加热功率密度。当两个金属加热薄膜具有相同的功率密度，形状相同，尺寸高度相近，作用在同一个较小的样品上时，可以认为两个金属加热薄膜的温升差，即为待测薄膜样品两个侧面的温差。通过高精度高速数据采集卡采集两个已知精密参考电阻和两个金属加热薄膜的电压信号，处理后得到两个金属薄膜的加热功率和温度变化，即待测薄膜的传热功率密度和薄膜两侧的温差，结合薄膜厚度，计算得到薄膜膜厚方向热导率。该方法原理简单，设备和测试成本较低，精度较高，数据处理容易。

公开(公告)号：CN101786658A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010111203.X

申请日：2010-02-05

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 朱文 ,  刘喜 ,  柳慧琼 ,  仝大利

IPC: C01G23/047 ,  B82B3/00 ,  B01J21/06

Abstract: 本发明提供了一种有序阵列的同轴异质结结构的纳米管，以及具有这种同轴异质结结构的纳米管阵列薄膜的制备方法。它通过欠电势沉积过程形成表面化学限制生长，从单原子层角度来实现外延生长。外延敏化异质相均匀地覆盖在TiO2纳米管管壁上，与纳米管阵列形成一种同轴异质结结构，避免了出现外延敏化层堵塞纳米管的现象。这种同轴异质结结构不会减小TiO2纳米管阵列的比表面积和吸附能力，有利于提高敏化剂与TiO2表面的接触面积，能有效提高TiO2纳米管有序阵列的可见光响应性能，该方法所得CdS/TiO2同轴异质结纳米管阵列的光电转换效率在全谱模拟太阳光照下达到了8.13％，可广泛应用于光催化领域、太阳能电池、气敏传感、生物医学等领域。

公开(公告)号：CN101038265A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710051933.3

申请日：2007-04-23

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 杨君友 ,  肖承京 ,  朱文 ,  鲍思前 ,  樊希安 ,  段兴凯 ,  张亲亲 ,  李良彪 ,  李凯 ,  张同俊

IPC: G01N27/18 ,  G01N27/04

Abstract: 本发明公开了一种测量半导体薄膜材料室温下塞贝克系数和电阻率的装置，热电堆与冷、热端导热铜块固定一体，其下部形成空腔，空腔内布置有电位探针。Seebeck电势检测点和冷、热端热电偶安置在导热铜块的下端；电位探针，检测点、热电偶分别与采集模块相连；参考电阻与转换开关串接，并与检测点相连；恒流源与转换开关相连；转换开关与数据采集模块相连；采集模块与计算机相连，采集的数据通过虚拟仪器软件处理获得检测结果。测试台分为上下两部分，上部分固定测试组件，下部分支撑样品，并有螺杆向上抬升样品，实现样品与各检测点的接触。该装置可以同时进行测定塞贝克系数和电阻率但不破坏薄膜，并且测试过程简单，装置和测试成本较低。

公开(公告)号：CN201041559Y

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200720084694.7

申请日：2007-05-11

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 杨君友 ,  肖承京 ,  朱文 ,  鲍思前 ,  樊希安 ,  段兴凯 ,  张亲亲 ,  李良彪 ,  李凯 ,  张同俊

IPC: G01N27/18 ,  G01N27/02

Abstract: 本实用新型公开了一种测量半导体薄膜材料室温下塞贝克系数和电阻率的装置，热电堆与冷、热端导热铜块固定一体，其下部形成空腔，空腔内布置有电位探针。Seebeck电势检测点和冷、热端热电偶安置在导热铜块的下端；电位探针，检测点、热电偶分别与采集模块相连；参考电阻与转换开关串接，并与检测点相连；恒流源与转换开关相连；转换开关与数据采集模块相连；采集模块与计算机相连，采集的数据通过虚拟仪器软件处理获得检测结果。测试台分为上下两部分，上部分固定测试组件，下部分支撑样品，并有螺杆向上抬升样品，实现样品与各检测点的接触。该装置可以同时进行测定塞贝克系数和电阻率但不破坏薄膜，并且测试过程简单，装置和测试成本较低。