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公开(公告)号：CN1118877C
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN99109808.0
申请日：1999-07-14
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/144 , H01S5/00 , G02B6/42
Abstract: 本发明涉及一种光电子器件和其实现方法，特别涉及一种具有非平行腔结构的半导体光波与光电子器件和其实现方法。本发明其特征在于半导体光波与光电子器件内部的两个半导体分器件的相邻表面之间形成一个θ角，其中0°＜θ＜90°。本发明所提出的非平行腔半导体光波与光电子器件结构将成为半导体器件实现的一种新的基本结构，其作用就如同光元件中的光栅与棱镜结构或电路系统中的电容与电感一样，势必将对今后光波与光电子器件的发展产生重要而久远的影响。
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公开(公告)号：CN112151629B
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202011003961.X
申请日：2020-09-22
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
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公开(公告)号：CN110544732B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201910807033.X
申请日：2019-08-29
Applicant: 北京邮电大学 , 河北光森电子科技有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/109
Abstract: 本发明实施例提供一种单行载流子光电二极管，该单行载流子光电二极管通过将传统的收集区中的部分结构进行湿氮氧化工艺，获得部分氧化型收集区。由于经氧化工艺的部分结构形成的氧化物绝缘层的折射率较低，因此降低了单行载流子光电二极管的寄生结电容，减小了RC时间常数，由此提高了单行载流子光电二极管的响应速度。
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公开(公告)号：CN109817788B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201811556261.6
申请日：2018-12-19
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种管壁内嵌化学合成量子点的管状微腔及其制备方法。该管状微腔为内嵌化学合成量子点的无源介质薄膜通过释放应力自卷曲形成的中空管状结构；所述化学合成量子点完全被所述无源介质薄膜包裹。本发明将化学合成量子点嵌设在自卷曲微米管的管壁中，相对于外延生长量子点方式，化学合成量子点的尺寸和分布的可控性和均匀性良好，发光特性优异，制作成本很低且适合大规模制备；特别是，本发明相对于将化学合成量子点包覆在自卷曲微米管管壁表面方式，不仅大幅度提高了量子点发光与微腔谐振模式之间的耦合效率，还避免了化学合成量子点因受到外界气体或液体环境影响而导致微腔光学性能恶化甚至失效的情况。
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公开(公告)号：CN109867959B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201811623376.2
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种在弹性体薄膜表面形成褶皱的方法。该方法包括如下步骤：(1)在硬质基底表面形成纳米线网络，并以此作为模板；(2)在所述模板的含有纳米线网络的表面覆盖流动的弹性体材料，使所述弹性体材料填充至所述纳米线网络的全部空隙中并附着于所述硬质基底上；(3)使所述弹性体材料固化；(4)除去所述硬质基底，得到表面含有纳米褶皱的弹性体薄膜。本发明通过将由纳米线或纳米纤维构筑的纳米线网络转移至弹性体薄膜中，在弹性体薄膜表面大面积制备出纳米尺度的褶皱结构，纳米褶皱的形貌调控非常简便。利用本发明制备褶皱结构，无需光刻、纳米压印、电子束刻蚀等微纳加工技术，制备工艺简单、快速、成本低、重复性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109489539B
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201810996027.9
申请日：2018-08-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明实施例提供一种柔性应变传感器的制备方法及柔性应变传感器。该方法包括：在弹性织物内浸入液态导电材料；在弹性织物的两端各设置一个电极，并在电极上连接电极引线；在弹性织物的外表面包覆弹性体材料，并使电极引线从弹性体材料中露出；弹性体材料固化后，获得柔性应变传感器。本发明实施例，选择弹性织物作为液态导电材料存储通道，传感器在被施加拉力或压力时，液态导电材料都能够从弹性织物中流出，致使弹性织物的导电性能下降；当撤除施加的外力后，流出的液态导电材料重新流回到弹性织物中，致使弹性织物的导电性能恢复，从而使得传感器同时具备拉力传感和压力传感的功能，不仅扩大柔性传感器的应变感知范围，还简化了其制备工艺。
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公开(公告)号：CN107703624B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201710791448.3
申请日：2017-09-05
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子器件领域，提供了一种基于非周期亚波长光栅和分布布拉格反射镜的谐振腔，具有可以控制谐振腔内驻波光场的分布的特性。所述谐振腔的结构自下而上为：分布布拉格反射镜、谐振腔、非周期亚波长光栅反射镜。平面入射光通过谐振腔到达非周期亚波长光栅反射镜，实现偏向谐振腔中心的斜反射，斜反射在谐振腔内多次振荡耦合，形成光场能量集中于腔中部的稳定驻波场，驻波场宽度由非周期亚波长光栅结构决定，从而通过改变非周期亚波长光栅结构实现了对谐振腔内驻波场宽度的控制。本发明解决了传统谐振腔不能控制驻波场宽度的问题，能够广泛应用于光通信及光学系统领域。
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公开(公告)号：CN106876418B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201710149708.7
申请日：2017-03-14
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明提供一种光电探测器阵列，包括半绝缘的衬底层；覆盖在所述衬底层表面的绝缘钝化层；设置在所述衬底层上且位于所述钝化层内的至少2个光电探测器；在每个所述光电探测器的N接触层上蒸镀的N接触电极；在每个所述光电探测器的P接触层上蒸镀的P接触电极；在所述N接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的接地大电极；以及在所述P接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的信号大电极。本发明将多个光电探测器按照以信号大电极为中心的对称结构设计，克服了单个光电探测器无法处理过大功率的光信号的弊端，以及传统光电探测器阵列的各光电探测器电信号容易在输出端产生相位失配而引起信号畸变的缺点；工艺简单、饱和功率大且响应度高。
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公开(公告)号：CN108418095B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201810119727.X
申请日：2018-02-06
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法，包括：S1、通过PECVD方法、干法刻蚀技术和湿法刻蚀技术在单晶硅衬底上制作纳米尺寸图形掩膜；S2、基于MOCVD方法在所述图形掩膜上依次制作InP低温成核层、n‑InP高温缓冲层、位错阻挡层、n型限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、p型限制层和p型欧姆接触层。通过优化两步生长法和选区外延条件，利用制备在硅片上的纳米尺寸的大高宽比二氧化硅掩膜图形衬底结构，将生长窗口区的穿透位错阻挡在二氧化硅掩膜侧壁上，同时采用应变超晶格结构作为位错阻挡结构，使得上层InP材料的位错密度进一步降低。
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公开(公告)号：CN107703624A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710791448.3
申请日：2017-09-05
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子器件领域，提供了一种基于非周期亚波长光栅和分布布拉格反射镜的谐振腔，具有可以控制谐振腔内驻波光场的分布的特性。所述谐振腔的结构自下而上为：分布布拉格反射镜、谐振腔、非周期亚波长光栅反射镜。平面入射光通过谐振腔到达非周期亚波长光栅反射镜，实现偏向谐振腔中心的斜反射，斜反射在谐振腔内多次振荡耦合，形成光场能量集中于腔中部的稳定驻波场，驻波场宽度由非周期亚波长光栅结构决定，从而通过改变非周期亚波长光栅结构实现了对谐振腔内驻波场宽度的控制。本发明解决了传统谐振腔不能控制驻波场宽度的问题，能够广泛应用于光通信及光学系统领域。
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