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公开(公告)号：CN117739789A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311774741.0
申请日：2023-12-21
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种嵌套物体同轴度测量调控装置及其方法，包括载物台、设置于载物台上方的中心齿轮、及设置于载物台下方的载物支架；载物台上表面的中心设置有用于安装中心齿轮的轮轴，轮轴周侧的不同水平面分布有互相垂直设置的两组第一悬臂组，两组第一悬臂组均与中心齿轮进行啮合；载物支架包括连接于载物台下方的中心轴、及互相垂直设置于中心轴周侧的两组第二悬臂组，中心轴的中轴线与所述轮轴的中轴线重合。本发明齿轮安装在载物台中心轮轴上，分别控制两组第一悬臂伸缩运动；通过第一悬臂和第二悬臂可准确确定内套物与外套物的中心，从而测量并调控同轴度；操作简便，测量调控精度高。
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公开(公告)号：CN117626435A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311667754.8
申请日：2023-12-05
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于特斯拉阀的氮化镓单晶生长装置及方法，其中，基于特斯拉阀的氮化镓单晶生长装置包括装有熔体的反应釜以及加热组件；反应釜内的第一通道的顶端部与第二通道的顶端部通过第一横道相连通，第一通道的底端部与第二通道的底端部通过第二横道相连通；第一通道与第二通道内分别安装有第一特斯拉阀和第二特斯拉阀。上述设计中，第一特斯拉阀以及第二特斯拉阀具有单向流通特征，在温场的条件下，熔体在第一横道、第一特斯拉阀、第二横道以及第二特斯拉阀依次循环流动，熔体内的氮离子也随着熔体循环流动，第一特斯拉阀以及第二特斯拉阀防止熔体出现湍流或者对流现象，有利于氮离子在熔体中的均匀流动，从而籽晶表面的氮化镓生长速率分布更加均匀。
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公开(公告)号：CN117604636A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311471457.6
申请日：2023-11-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种大尺寸单晶金刚石的制备方法，包括：在异质衬底表面外延生长高取向的多晶金刚石外延层，除去异质衬底得到自支持高取向的多晶金刚石薄片；对多晶金刚石薄片的成核面抛磨找平，再沿着标记方向对多晶金刚石薄片的生长面做直线单向或往复研磨与抛光；在处理后的多晶金刚石薄片的生长面继续外延生长高取向的多晶金刚石外延层，再次对多晶金刚石薄片的成核面抛磨找平和沿着标记方向对多晶金刚石薄片的生长面做直线单向或直线往复研磨与抛光，重复此步骤直至得到单晶金刚石薄片。本发明先在异质衬底上生长多晶金刚石，然后从多晶金刚石逐步过渡为单晶金刚石，降低了对设备、技术及原材料的要求，便于规模化生长大尺寸单晶金刚石。
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公开(公告)号：CN115929960A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211686084.X
申请日：2022-12-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种自动补气装置，包括基体和通气柱，基体内部为一圆柱形腔体，所述通气柱上段套设有套筒、弹簧、O型垫圈和螺帽，所述通气柱下段设有旁道；所述通气柱的内部设有通气道，所述通气道的上部是进气通道，所述通气道的下部是进气辅道；所述进气通道连通外部高压腔体，所述进气辅道连通旁道，通气道的底部密封，通气柱在基体内部上下滑动。本发明装置不仅可实现反应釜的自动补气功能，使釜内外压力差处于可控范围之内，而且旁道结构可阻碍釜内蒸汽的外溢，保证了反应运行的稳定性与实验结果的可靠性。
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公开(公告)号：CN115910782A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211708231.9
申请日：2022-12-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种常关型高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：在衬底上依次外延生长功能层、沟道层、异质结层、盖帽层和钝化层；衬底背面通过再生长硅单晶层；在衬底上一个指定区域形成贯穿衬底的通孔及在衬底的正面和背面分别沉积电极和电介质层。本发明通过在硅上外延生长GaN/AlGaN结构形成高电子迁移率晶体管，并在硅衬底背面形成MOS器件，通过级联的方式制备出了常关型高电子迁移率晶体管的方案，可有效避免栅电流衰减和开启电压低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113946089B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202111249632.8
申请日：2021-10-26
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: G03B21/16
Abstract: 本发明涉及投影设备技术领域，尤指一种散热激光投影仪机箱，包括箱体、光源、拉瓦尔喷管、进风风扇及出风风扇，箱体包括相互连通的外腔和内腔；光源设置在内腔内，拉瓦尔喷管设置在外腔和内腔的连接处；进风风扇的出风端与外腔连通；出风风扇的进风端与内腔连通，其出风端与箱体外连通。本发明通过进风风扇将气体在外腔淤积，形成高压区，在外腔与内腔之间形成一定压差，使气体在通过拉瓦尔喷管后，气体变成超音速气体，以高速射流喷射到光源的表面，并快速从内腔流动到腔体外，有效带走热量。
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公开(公告)号：CN111430218B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201910019649.0
申请日：2019-01-09
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , C30B25/18 , C30B29/40
Abstract: 本发明涉及一种自分离制备GaN单晶衬底的方法，其在GaN复合衬底的异质衬底上制造穿孔，将带有穿孔的GaN复合衬底浸没在金属镓与金属助溶剂的混合溶液中、并采用液相外延工艺生长得到GaN厚膜材料，生长过程中，金属助溶剂通过异质衬底的穿孔与GaN外延层界面层接触，一方面通过所述穿孔孔洞腐蚀与异质衬底相连的GaN外延层界面层，促使生长形成的GaN厚膜材料与异质衬底缓慢自分离，得到高质量和大尺寸的GaN单晶衬底，另一方面，金属助溶剂与氮形成中间体，该中间体为金属镓提供氮元素而促使GaN单晶生长，应用于钠流法技术制备时，改善钠流法制备技术中氮的溶解度低及不均匀的问题，提高GaN单晶的晶体质量与生长速率。
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公开(公告)号：CN113584580B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110895167.9
申请日：2021-08-05
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B25/02 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B29/04 , C23C16/458 , C23C16/511
Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域，尤指一种金刚石圆片径向生长方法及装置，该包括升降式旋转支架和晶圆夹持单元；升降式旋转支架包括升降杆装置、横架、距离调整组件、旋转驱动组件和至少两组平行设置的旋转轴；而该生长方法通过晶圆夹持单元将多片金刚石圆片同轴夹持成柱状，然后安置在升降式旋转支架，升降式旋转支架带动金刚石圆片转动、升降及间隙控制作用下，金刚石圆片侧面暴露在工艺气体激发后的等离子体中，使得金刚石圆片只沿着侧面径向旋转生长，从而生长出大直径金刚石圆片，通过晶圆夹持单元保持金刚石圆片的厚度，通过旋转轴的研磨保持金刚石圆片的圆度。
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公开(公告)号：CN110557621B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201910796327.7
申请日：2019-08-27
Applicant: 咪咕文化科技有限公司 , 北京大学
IPC: H04N9/77
Abstract: 本发明提供一种参数获取方法、像素点对选择方法及相关设备。其中，参数获取方法包括：确定色度预测块对应的N个像素点集合，以及亮度预测块对应的N个像素点集合，所述色度预测块与所述亮度预测块对应，N为大于1的整数；根据所述色度预测块对应的N个像素点集合，以及所述亮度预测块对应的N个像素点集合，获取N组参数，所述N组参数用于预测所述色度预测块的色度值。本发明可以增加参数获取的组数，从而可以提高获取到的参数的准确性。
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公开(公告)号：CN114334611A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111630538.7
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本申请公开了一种金刚石上生长氮化物的方法，所述金刚石上生长氮化物的方法包括如下步骤：制备一组金刚石单晶衬底和三组金刚石多晶抛光衬底，在其中一组金刚石单晶衬底上制备氮化镓/石墨烯/金刚石的材料，在另三组金刚石多晶抛光衬底上制备氮化镓/硫化钼/金刚石的材料。本申请解决氮化物直接在金刚石上生长遇到的晶格失配及应力失配问题，通过本申请，可以实现直接在金刚石上生长高质量的氮化物外延材料。
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