公开(公告)号：CN104851897A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510068263.0

申请日：2015-02-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大藤将人 ,  渡边实 ,  横山启吾 ,  川锅润 ,  藤吉健太郎 ,  和山弘

IPC: H01L27/146

CPC classification number: A61B6/4233 ,  A61B6/50 ,  G01T1/2018 ,  G01T1/2928 ,  H01L27/14663

Abstract: 本发明涉及辐射检测装置和辐射检测系统。辐射检测装置包括：转换元件，包含针对各像素分割的第一电极、半导体层和第二电极；切换元件，与第一电极电连接；以及第一绝缘层，分离相邻像素的转换元件。半导体层位于第一电极与第二电极之间。半导体层的外周位于第一电极的外周和第二电极的外周的外面。半导体层包括第一杂质半导体层、第二杂质半导体层和位于第一杂质半导体层与第二杂质半导体层之间的本征半导体层。限定该装置的参数，以将接通切换元件之后10μs的残留电荷设定为不高于2％。

公开(公告)号：CN104218046A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410232324.8

申请日：2014-05-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 川锅润 ,  渡边实 ,  横山启吾 ,  大藤将人 ,  藤吉健太郎 ,  和山弘

IPC: H01L27/146 ,  G01T1/16

CPC classification number: H01L27/14692 ,  H01L27/14663

Abstract: 本发明涉及检测装置、其制造方法和放射线检测系统。提供了包含像素的检测装置的制造方法。该方法包括：在基板之上形成有机绝缘层，所述基板之上形成有开关元件；在有机绝缘层之上形成对于各个像素分割的像素电极；在有机绝缘层的未覆盖有像素电极的部分之上形成无机材料部分；形成覆盖所述多个像素电极和无机材料部分的无机绝缘膜；形成覆盖无机绝缘膜的半导体膜；以及通过使用无机材料部分与无机绝缘膜的叠层结构作为蚀刻阻止体进行蚀刻，对于各个像素分割半导体膜。

公开(公告)号：CN104167421A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410204548.8

申请日：2014-05-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边实 ,  横山启吾 ,  大藤将人 ,  川锅润 ,  藤吉健太郎 ,  和山弘

IPC: H01L27/146 ,  G01T1/24

CPC classification number: H01L27/14663

Abstract: 本发明涉及检测装置和检测系统。检测装置包括：允许可见光穿过的基板；包含从与基板相邻的侧起依次布置的像素电极、杂质半导体层和半导体层并被配置为将放射线或光转换成电荷的转换元件；和被配置为经基板向转换元件发射可见光的光源。像素电极包含允许可见光穿过的金属层。

公开(公告)号：CN103716551A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310465678.2

申请日：2013-10-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边实 ,  望月千织 ,  横山启吾 ,  大藤将人 ,  川锅润 ,  藤吉健太郎 ,  和山弘

IPC: H04N5/32 ,  H04N5/378 ,  H04N5/374 ,  H04N5/357 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14612 ,  H01L27/14663

Abstract: 本发明公开了检测装置和检测系统。一种在基板上形成的检测装置，包括：以矩阵布置的多个像素，和与像素电连接的信号线。每个像素包括：把放射线或者光转换成电荷的感测元件，输出基于电荷的量的电信号的放大薄膜晶体管，保持由放大薄膜晶体管输出的电信号的电容器，和把保持在电容器中的电信号传送给信号线的传输薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN103579271A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310335357.0

申请日：2013-08-05

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 藤吉健太郎 ,  望月千织 ,  渡边实 ,  横山启吾 ,  大藤将人 ,  川锅润 ,  和山弘

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14692 ,  H01L27/14663 ,  H01L27/14812

Abstract: 本发明涉及检测装置、检测系统和检测装置的制造方法。一种检测装置包括布置于基板上的多个像素和多个信号布线，其中，多个像素中的每一个包含布置于基板上的开关元件和布置于开关元件上的转换元件，转换元件包含布置于开关元件上并与开关元件电连接的第一电极和布置于多个第一电极之上的半导体层，多个开关元件与多个信号布线电连接，并且，检测装置还包括被供给恒定电势的恒定电势布线，其中，在多个像素之中的一部分像素中，第一电极与恒定电势布线电连接。

公开(公告)号：CN102810548A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210175540.4

申请日：2012-05-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 藤吉健太郎 ,  望月千织 ,  渡边实 ,  大藤将人 ,  横山启吾 ,  川锅润 ,  和山弘

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14676 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14692

Abstract: 本发明涉及一种检测器件制造方法、检测器件和检测系统。在制造检测器件的方法中，所述检测器件包括在基板上的像素，每个像素包括开关元件和转换元件，所述转换元件包括设置在电极上的杂质半导体层，所述电极设置在所述开关元件之上，并且针对每个像素被隔离，所述开关元件和所述电极在形成于保护层和层间绝缘层中的接触孔中连接，所述保护层和所述层间绝缘层设置在所述开关元件与所述电极之间，所述方法包括：在所述层间绝缘层之上、在与所述层间绝缘层接触的电极之间形成绝缘构件；形成覆盖所述绝缘构件和所述电极的杂质半导体膜；以及形成覆盖所述保护层中所述电极的一部分的正交投影图像位于其中的区域的涂覆层，所述部分在所述接触孔内包括水平差。