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公开(公告)号：CN1547767A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN03800627.8
申请日：2003-01-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种方便测量半导体外延晶片击穿电压的测量方法以及一种实现较高耐受电压的半导体外延晶片。在根据本发明的半导体外延晶片(10)的耐受电压测量方法中，仅仅使用肖特基触点来测量触点(12、12)之间的耐受电压，而不需要使用电阻触点。由于相应地省略了形成电阻触点的制造过程，从而半导体外延晶片可以方便地用于耐受电压测量的测试。因此，可以方便地测量晶片(10)的耐受电压。另外，因为在由晶片(10)制造成实际装置之前可以对电极之间的耐受电压进行测量，从而可以在不合格晶片(10)进入实际装置制造过程之间将其去除。因此，与在实际装置制作后测量触点间的击穿电压V2的传统测量方法相比，所产生的损失得以降低。
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公开(公告)号：CN105144410A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480022894.2
申请日：2014-04-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L33/06 , H01S5/343
CPC classification number: H01L31/035236 , H01L27/1464 , H01L27/14652 , H01L31/03046 , H01L31/109 , H01L31/1844 , H01S5/0425 , H01S5/305 , H01S5/3422 , H01S5/34306 , H01S2301/173
Abstract: 提供一种在近红外至红外区中具有高量子效率或高灵敏度的半导体器件等。半导体器件包括：衬底；设置在衬底上且包括层a和层b的多个对的多量子阱结构；以及设置在衬底和多量子阱结构之间的晶体调整层。晶体调整层包括由与衬底相同的材料制成并与衬底接触的第一调整层，以及由与多量子阱结构的层a或层b相同的材料制成并与多量子阱结构接触的第二调整层。
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公开(公告)号：CN102025104B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201010284406.9
申请日：2010-09-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01S5/0014 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/3211
Abstract: 一种III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法，在六方晶系III族氮化物的c轴朝向a轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能够实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第1和第2切断面(27、29)与a-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在a-n面和半极性面(17a)的交叉线方向上延伸的激光波导。因此，能够利用可实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第1面(13a)是第2面(13b)的相反侧的面。第1及第2切断面从第1面的边缘(13c)延伸至第2面的边缘(13d)。切断面不通过干法蚀刻形成，并且与c面、m面或a面等现有的解理面不同。
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公开(公告)号：CN102203960B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201080003113.7
申请日：2010-07-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L21/02392 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02507 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/0262 , H01L31/1035 , H01L31/109 , H01L31/1844 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，其中能够有效地生长具有许多对量子阱的多量子阱结构并同时确保优异的晶体品质。本发明还提供了通过这种方法制造的半导体器件。本发明制造半导体器件的方法包括形成具有50对以上由III-V族化合物半导体构成的量子阱的多量子阱结构(3)的步骤。在所述形成多量子阱结构(3)的步骤中，通过全金属有机气相淀积法(全金属有机MOVPE法)来形成所述多量子阱结构。
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公开(公告)号：CN103503165A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280021545.X
申请日：2012-10-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/105 , H01L31/035236 , H01L31/1844 , Y02E10/544 , Y02P70/521 , H01L31/02363 , H01L31/109
Abstract: 提供了以下内容：一种光电探测器，其中，在具有近红外区到远红外区中的灵敏度的III-V半导体中，可以以高精度来控制载流子浓度；一种外延晶片，其形成用于光电探测器的材料；以及，一种用于制作外延晶片的方法。本发明提供有：衬底，其包括III-V族化合物半导体；光接收层，其用于接收光；窗口层，其具有比光接收层大的带隙能量；以及，p-n结，其至少被定位在光接收层处；并且特征在于，窗口层表面的均方根表面粗糙度为10nm或更大且40nm或更小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101958509B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201010231379.9
申请日：2010-07-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S2302/00
Abstract: 一种氮化镓类半导体激光二极管，能够使用半极性面形成500nm以上的光的激光振荡。活性层(29)设置成产生波长500nm以上的光，因此应限制在中心半导体区域(29)的光的波长为长波长，使用双层结构的第一导光层(27)和双层结构的第二导光层(31)。由AlGaN及InAlGaN的至少任意一种构成的包层(21)的材料不同于III族氮化物半导体，并且第一外延半导体区域(15)的厚度(D15)比中心半导体区域(19)的厚度(D19)厚，但第一～第三界面J1、J2、J3上的失配位错密度为1×106cm-1以下。III族氮化物半导体激光二极管中，能够避免c面作为滑移面作用时的晶格驰豫在界面J1、J2、J3的该半导体层中产生。
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公开(公告)号：CN103403884A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280010022.5
申请日：2012-02-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/035209 , B82Y20/00 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B29/68 , H01L31/035236 , H01L31/109 , H01L31/1844 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的是提供一种光电二极管等，该光电二极管可以在1.5μm至1.8μm的近红外波长范围内具有足够高的灵敏度并且可以具有低暗电流。根据本发明的光电二极管（10）包括：缓冲层（2），其设置为与InP衬底（1）的顶部相邻并与之接触；和吸收层（3），其位于缓冲层上并与之接触。吸收层包括50或更多个对，其中第一半导体层（3a）和第二半导体层（3b）构成一对，第一半导体层（3a）具有0.73eV或更小的带隙能量，第二半导体层（3b）具有比第一半导体层（3a）的带隙能量大的带隙能量。第一半导体层（3a）和第二半导体层（3b）形成应变补偿量子阱结构，并且每层都具有不小于1nm且不大于10nm的厚度。
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公开(公告)号：CN102187482B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200980141390.1
申请日：2009-10-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/32 , H01L21/205 , H01S5/343
CPC classification number: H01L21/0254 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种制造氮化物基半导体发光元件的方法，该方法在形成p型氮化镓基半导体区域和势垒层时可减少阱层的劣化。在生长出氮化镓基半导体区域(13)后，在衬底(11)上生长势垒层(21a)。势垒层(21a)在时刻t1～t2的期间内在生长温度TB下形成。生长温度TB(＝T2)在摄氏760度以上、摄氏800度以下的范围内。在时刻t2，势垒层(21a)的生长结束。在生长出势垒层(21a)后，不中断生长而在衬底(11)上生长阱层(23a)。阱层(23a)在时刻t2～t3的期间内在生长温度TW(＝T2)下形成。生长温度TW与生长温度TB相同，并且可在摄氏760度以上、摄氏800度以下的范围内。阱层(23a)的铟含量为0.15以上。继而，不中断生长而反复进行阱层和势垒层的生长。
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公开(公告)号：CN102422497B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201080020695.X
申请日：2010-02-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/32341 , B82Y20/00 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01S5/2009 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光二极管，其具有能够提供较高的光限制及载流子限制的覆层。在(20-21)面GaN衬底(71)上，以产生晶格弛豫的方式生长n型Al0.08Ga0.92N覆层(72)。在n型覆层(72)上，以产生晶格弛豫的方式生长GaN光导层(73a)。在光导层(73a)上，以不产生晶格弛豫的方式生长有源层(74)、GaN光导层(73b)、Al0.12Ga0.88N电子阻挡层(75)及GaN光导层(73c)。在光导层(73c)上，以产生晶格弛豫的方式生长p型Al0.08Ga0.92N覆层(76)。在p型覆层(76)上，以不产生晶格弛豫的方式生长p型GaN接触层(77)，从而制作半导体激光器(11a)。结(78a)～(78c)的位错密度大于其它结的位错密度。
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公开(公告)号：CN102292884B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200980155417.2
申请日：2009-12-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02389 , B82Y20/00 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2301/173
Abstract: 提供一种氮化物半导体发光元件，其包括设置在具有半极性面的GaN支撑基体上的发光层，可抑制因错配位错导致的发光效率的降低。氮化物半导体发光元件(11)包括：包含六方晶系氮化镓的支撑基体(13)；包含InX1AlY1Ga1-X1-Y1N(0＜X1＜1，0＜Y1＜1，X1+Y1＜1)层(21)的n型氮化镓系半导体层(15)；发光层(17)；及p型氮化镓系半导体层(19)。该InAlGaN层(21)设置在半极性主面(13a)和发光层(17)之间。InAlGaN层(21)的带隙(E)为氮化镓的带隙(E)以上，因此可提供向发光层(17)的载流子及光的封闭效果。虽InAlGaN层(21)的c面(Sc2)相对于法线轴(AX)倾斜，但以c面为主的滑移面的错配位错的密度相比AlGaN有所降低。
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