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公开(公告)号：CN102105835A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128974.5
申请日：2009-07-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G02F1/3775 , G02F1/3558 , G02F2202/101 , Y10T156/1075
Abstract: 本发明公开了一种具有提高的性能保持寿命的波长变换元件。也公开了一种制造波长变换元件的方法。波长变换元件(10a)具有光波导(13)，并对从所述光波导(13)的一端(13a)侧输入的入射光(101)的波长进行变换，使得从所述光波导(13)的另一端(13b)侧输出出射光(102)。所述波长变换元件(10a)包含由AlxGa(1-x)N(0.5≤x≤1)构成的第一晶体(11)和组成与所述第一晶体(11)相同的第二晶体(12)。所述第一晶体和第二晶体(11，12)形成畴相反结构，在所述畴反转结构中极化方向沿所述光波导(13)周期性反转。所述畴相反结构对于所述入射光(101)满足准相位匹配条件。所述第一晶体和第二晶体(11，12)中的至少一种晶体具有1×103cm-2以上且小于1×107cm-2的位错密度。
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公开(公告)号：CN101644871A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910164134.6
申请日：2009-08-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G02F1/365
CPC classification number: G02F1/3558 , G02F1/353 , G02F2001/3548
Abstract: 本发明提供一种制造波长变换器的方法和由此能够提高透射率的波长变换器。制造波长变换器(10a)的方法包括下列步骤。首先，生长晶体。然后，以使畴彼此相反的方式将所述晶体分割成两个以上的部分，从而形成第一晶体(11)和第二晶体(12)。接着，以形成畴相反结构且所述畴相反结构对于所述入射光束(101)满足准相位匹配条件的方式对所述第一晶体(11)和第二晶体(12)进行嵌合，在所述畴相反结构中所述第一晶体(11)和第二晶体(12)的极向沿光波导(13)周期性反转。
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公开(公告)号：CN100567592C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200480000322.0
申请日：2004-01-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C23C16/279 , C23C16/274 , C30B29/04 , C30B33/00 , C30B33/06
Abstract: 本发明目的在于提供一种具有好的韧性、大的表面积和高质量的金刚石基板及制造该基板的方法，该基板可用于半导体材料、电子元件、光学元件等等。金刚石多晶膜层叠在金刚石单晶基板表面上而形成金刚石复合基板。在所述的金刚石复合基板中，优选具有金刚石单晶基板的最大表面积的主要面为{100}面，而且金刚石多晶膜层叠在平行于该面的反面上。金刚石单晶基板3可以由具有相同方位的主要面的多个金刚石单晶构成，而且这些多个金刚石单晶可以通过金刚石单晶层4连接而形成金刚石复合基板2。金刚石单晶也可以用作种子晶体以及在其表面通过气相合成提供金刚石单晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100336943C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200410100663.7
申请日：2004-12-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/365
Abstract: 一种金刚石单晶合成衬底，该衬底由具有并排设置成统一平面取向的多个金刚石单晶衬底构造而成，并通过利用气相合成在其上生长金刚石单晶体来全面整合，其中除了一个金刚石单晶衬底之外，所述多个金刚石单晶衬底中每一个的主平面的平面取向与平面{100}的偏差都小于1度，所排除的一个衬底的主平面的平面取向与平面{100}的偏差为1至8度，当金刚石单晶衬底并排设置时，一个金刚石单晶衬底设置在最外侧的外周缘部分中，而且该衬底设置成使得所述一个衬底主平面中的方向 朝向所设置的衬底外侧的外周缘方向，然后通过气相合成生长金刚石单晶体，从而使从一个金刚石单晶衬底生长的金刚石单晶体覆盖其他衬底上生长的金刚石单晶体，来获得全面的整合。
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公开(公告)号：CN1865534A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610073790.1
申请日：2006-04-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明的目的是得到一种适合用于半导体器件衬底或光学元件材料的高质量单晶金刚石，其具有更少畸变并且具有大的面积。本发明是一种通过化学气相沉积制备的单晶金刚石以及该金刚石的制备方法，其中，当将由两条相互垂直的线性偏振光组成的线性偏振光引入到单晶金刚石的一个主面上时，在从相反的主面出来的两条相互垂直的线性偏振光之间的最大延迟值横跨整个单晶金刚石最大不超过50nm/100μm的厚度。
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公开(公告)号：CN1840472A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610071559.9
申请日：2006-03-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B31/06
Abstract: 制造金刚石单晶衬底的方法，其中单晶从作为种衬底的金刚石单晶通过气相合成生长，所述方法包括：制备具有主表面的金刚石单晶种衬底作为种衬底，其中该主表面的沿面取向落在相对于{100}平面或{111}平面不超过8度的倾斜范围内；通过机械加工形成许多不同取向的平面，这些平面的主表面的外周边方向相对于该种衬底一侧的主表面倾斜；然后通过气相合成生长金刚石单晶。
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公开(公告)号：CN1708834A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380100646.7
申请日：2003-12-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/265 , C30B29/04
Abstract: 本发明制备n－型半导体金刚石的方法的特征在于，通过向结合有10ppm或以上N的单晶金刚石中注入Li离子，使得其中含有10ppm的Li离子，来制备结合有Li和N的金刚石，或者，在用Li和N离子掺杂单晶金刚石的过程中，注入离子，使得在后注入Li和N浓度各为10ppm或以上处的离子注入深度将会重叠，来制备结合有Li和N的金刚石，然后在800℃或以上至低于1800℃的温度退火金刚石，以电激活Li和N且恢复金刚石的晶体结构。在本发明中，n－型半导体金刚石在从晶体面至相同的深度结合了各为10ppm或以上的Li和N，其中其薄层电阻为107Ω/□或更低。
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公开(公告)号：CN1697894A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000322.0
申请日：2004-01-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C23C16/279 , C23C16/274 , C30B29/04 , C30B33/00 , C30B33/06
Abstract: 本发明目的在于提供一种具有好的韧性、大的表面积和高质量的金刚石基板及制造该基板的方法，该基板可用于半导体材料、电子元件、光学元件等等。金刚石多晶膜层叠在金刚石单晶基板表面上而形成金刚石复合基板。在所述的金刚石复合基板中，优选具有金刚石单晶基板的最大表面积的主要面为{100}面，而且金刚石多晶膜层叠在平行于该面的反面上。金刚石单晶基板3可以由具有相同方位的主要面的多个金刚石单晶构成，而且这些多个金刚石单晶可以通过金刚石单晶层4连接而形成金刚石复合基板2。金刚石单晶也可以用作种子晶体以及在其表面通过气相合成提供金刚石单晶。
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