公开(公告)号：CN103460529A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280015873.9

申请日：2012-03-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉田乔久 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  上野昌纪

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01S5/4087 ,  B82Y20/00 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/153 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种可小型化且可容易制作的多波长的光半导体元件。半导体激光元件（1A）包括：GaN基板（10），其主面（10a）具有第一面取向；激光构造部（20），其生长于主面（10a）的第一区域上，且包含活性层（24）；GaN薄膜（40），其经由接合层（41）而接合于主面（10a）的与第一区域不同的第二区域，且表面（40a）具有与第一面取向不同的第二面取向；以及激光构造部（30），其生长于GaN薄膜（40）的表面（40a）上，且包含活性层（34）。活性层（24、34）分别具有包含In的阱层，这些阱层的发光波长互不相同。

公开(公告)号：CN101958511B

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201010228912.6

申请日：2010-07-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  足立真宽 ,  德山慎司 ,  善积祐介 ,  住友隆道 ,  上野昌纪

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/20

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202

Abstract: 一种形成于半极性的主面上的长波长的III族氮化物半导体激光二极管，抑制活性层的结晶质量下降，并获得稳定的振荡模式。III族氮化物半导体激光二极管(11)具有：III族氮化物基板(13)，其具有半极性的主面(13a)；n型包层(15)，由含Al的III族氮化物构成；活性层(17)；p型包层(19)，由含Al的III族氮化物构成；第1导光层(21)，设置于n型包层和活性层之间；第2导光层(23)，设置于p型包层和活性层之间。导光层(21、23)包括由GaN构成的第1层(31、35)和由InGaN构成的第2层(33、37)，各导光层中的第1及第2层的总厚度大于0.1μm。

公开(公告)号：CN101911322B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200980101538.9

申请日：2009-08-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  上野昌纪 ,  秋田胜史 ,  京野孝史 ,  住友隆道 ,  中村孝夫

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L21/02458 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 在GaN基半导体光器件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)自与沿着第一GaN基半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面起，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向该第一GaN基半导体的m轴方向倾斜。GaN基半导体外延区域(15)设置在主面(13a)上。在GaN基半导体外延区域(15)上，设有有源层(17)。有源层(17)含有至少一个半导体外延层(19)。半导体外延层(19)包含InGaN。半导体外延层(19)的膜厚方向相对于基准轴(Cx)倾斜。该基准轴(Cx)朝向第一GaN基半导体的[0001]轴的方向。由此，提供可抑制由有源层中的In偏析所引起的发光特性降低的GaN基半导体发光器件。

公开(公告)号：CN103329276A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201180065914.0

申请日：2011-08-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 斋藤雄 ,  冈田政也 ,  上野昌纪 ,  木山诚

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789

Abstract: 异质结场效应晶体管(1)的制造方法具备如下工序：在支撑基板(10)上外延生长漂移层(20a)的工序；使用氢气作为载气，在1000℃以上的温度下，在漂移层(20a)上外延生长作为p型半导体层的电流阻挡层(20b)的工序；以及使用从由氮气、氩气、氦气及氖气构成的群中选择的至少一种气体作为载气，在电流阻挡层(20b)上外延生长接触层(20c)的工序。由此，抑制了电流阻挡层(20b)的受主浓度不足，因此能够降低漏极泄漏电流，能够抑制夹断特性的下降。

公开(公告)号：CN103299495A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201280004449.4

申请日：2012-03-06

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  索尼株式会社

Inventor： 熊野哲弥 ,  上野昌纪 ,  京野孝史 ,  盐谷阳平 ,  筑岛克典 ,  田才邦彦 ,  中岛博

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种具有降低的阈值电流的氮化镓基半导体激光器元件和制造氮化镓基半导体激光器元件的方法。所述氮化镓基半导体激光器元件具有n型包覆层15b、n侧光导层29、有源层27、p侧光导层31和p型包覆层23。有源层27的激射波长为400nm以上且550nm以下。n型包覆层15b为InxAlyGa1-x-yN(0

公开(公告)号：CN101661986B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN200910170459.5

申请日：2009-08-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  住友隆道 ,  善积祐介 ,  上野昌纪 ,  中村孝夫

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明涉及制造氮化物半导体光学器件和外延晶片的方法。本发明提供通过在氮化镓基半导体区域的半极性主面上生长半导体而制造具有令人满意的发光性能的氮化物半导体光学器件的方法；以及制造用于氮化物半导体光学器件的外延晶片的方法。其中，在步骤S106中，在将生长炉内的温度保持为TW的同时，在时刻t4和t5之间在半极性主面上生长InXGa1-XN阱层。在步骤S107中，在所述阱层的生长完成之后，立即在温度TW下开始生长保护层以覆盖所述阱层的主面。所述保护层由氮化镓基半导体构成，所述氮化镓基半导体的带隙能量大于所述阱层的带隙能量且等于或小于阻挡层的带隙能量。

公开(公告)号：CN103155156A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180049540.3

申请日：2011-07-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  斋藤雄 ,  冈田政也 ,  上野昌纪 ,  八重樫诚司 ,  井上和孝 ,  横山满德

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789

Abstract: 本发明提供一种垂直半导体器件，在该垂直半导体器件中，通过固定p型GaN势垒层的电势，肯定可以稳定地提高夹断特性和击穿电压特性。半导体器件包括：具有开口28的GaN基叠层15；再生长层27，其包括定位为覆盖开口的壁表面的沟道；与源电极S欧姆接触的n+型源层8；p型GaN势垒层6；和位于p型GaN势垒层6与n+型源层8之间的p+型GaN基补充层7。p+型GaN基补充层7和n+型源层8形成隧道结以将p型GaN势垒6的电势固定在源电势。

公开(公告)号：CN102318152B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200980156981.6

申请日：2009-12-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  上野昌纪 ,  秋田胜史 ,  京野孝史 ,  善积祐介 ,  住友隆道 ,  盐谷阳平

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3404 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种利用半极性面可提供低阈值的III族氮化物半导体激光器。半导体衬底13的主面13a相对于与GaN的c轴方向的基准轴Cx正交的基准面以50度以上且70度以下的范围的倾斜角AOFF向GaN的a轴方向倾斜。第一覆层15、有源层17和第二覆层19设置在半导体衬底13的主面13a上。有源层17的阱层23a包含InGaN。在该半导体激光器达到激光振荡之前自有源层出射的LED模式下的偏振度P为-1以上且0.1以下。III族氮化物半导体激光器的偏振度P使用LED模式下的光的该X1方向的电场分量I1与该X2方向的电场分量I2，由P＝(I1-I2)/(I1+I2)进行规定。

公开(公告)号：CN102934301A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201080067313.9

申请日：2010-12-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 高木慎平 ,  善积祐介 ,  片山浩二 ,  上野昌纪 ,  池上隆俊

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/0202 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32341

Abstract: 提供一种可提高谐振镜的平坦性且可降低阈值电流的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法。使基板产物(SP)的刻划槽(65a)的方向与支撑装置(71)的边缘(71b)的延伸方向一致，将基板产物(SP)设置于支撑装置(71)。以沿边缘(71b)延伸的基准线(X坐标A1、B1)为界将基板产物(SP)分为第1~第3区域(70a、70b、70c)。用支撑面(71a、71c)支撑基板产物(SP)的第1及第2区域(70a、70b)，并按压第3区域(70c)，从而进行基板产物(SP)的分离，形成另一基板产物(S P1)及激光条(LB1)。在距离支撑面(70a、70c)的边缘(70b、70d)之间的中心线(CNT)SHFT的位置，将刮刀(69)抵压到基板产物。

公开(公告)号：CN101556917B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200910134808.8

申请日：2009-04-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  上野昌纪 ,  中西文毅

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/52 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明提供了形成量子阱结构的方法以及制造半导体发光元件的方法，所述量子阱结构能够降低In组成在阱层厚度方向上的变化。在通过在GaN衬底主面上交替生长阻挡层和阱层而形成量子阱结构(有源层)的步骤中，通过生长InGaN而形成各个阱层，在第一温度下生长各个阻挡层，在低于所述第一温度的第二温度下生长各个阱层，且当形成各个阱层时，在供应Ga的原料气体(三甲基镓)之前，供应In的原料气体。