公开(公告)号：CN100513020C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200480015808.1

申请日：2004-12-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 真嶋正利 ,  下田浩平 ,  冈田一诚 ,  山川真弘 ,  春日隆

IPC: B22F9/24

Abstract: 一种通过在液相反应体系中使用还原剂还原待沉淀的金属的离子来制造金属粉末的方法，其中在金属离子和还原剂之间的氧化还原反应的交换电流密度为100μA/cm2或更小的条件下，还原所述金属离子，以使金属沉淀为粉末颗粒，所述交换电流密度是通过混合电位理论确定的。

公开(公告)号：CN1802229A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200480015808.1

申请日：2004-12-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 真嶋正利 ,  下田浩平 ,  冈田一诚 ,  山川真弘 ,  春日隆

IPC: B22F9/24

Abstract: 一种通过在液相反应体系中使用还原剂还原待沉淀的金属的离子来制造金属粉末的方法，其中在金属离子和还原剂之间的氧化还原反应的交换电流密度为100μA/cm2或更小的条件下，还原所述金属离子，以使金属沉淀为粉末颗粒，所述交换电流密度是通过混合电位理论确定的。