公开(公告)号：CN107924823B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201680049960.4

申请日：2016-08-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  土井秀之 ,  伊东洋典

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 在形成碳化硅层的步骤中，当X轴代表以百分比表示通过将硅烷的流量除以氢气的流量而获得的值的第一值且Y轴代表以sccm表示氨气的流量的第二值时，所述第一值和所述第二值落在由XY平面坐标中的第一坐标、第二坐标、第三坐标和第四坐标包围的四边形区域内。所述第一坐标为(0.05，6.5×10‑4)。所述第二坐标为(0.05，4.5×10‑3)。所述第三坐标为(0.22，1.2×10‑2)。所述第四坐标为(0.22，1.3×10‑1)。在所述形成碳化硅层的步骤之后，所述碳化硅层的载流子浓度的平均值为1×1015cm‑3以上且2×1016cm‑3以下。

公开(公告)号：CN107430995B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201680021301.X

申请日：2016-04-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  西口太郎 ,  日吉透

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/14 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 一种碳化硅外延基板的制造方法，其包括：在碳化硅单晶基板上外延生长第一层的步骤(S1)；和在所述第一层的最外表面形成第二层的步骤(S2)，所述第二层具有不同于所述第一层的化学组成或密度。所述第二层的厚度对所述第一层的厚度的比率大于0％且小于等于10％。

公开(公告)号：CN107430995A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680021301.X

申请日：2016-04-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  西口太郎 ,  日吉透

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/14 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 一种碳化硅外延基板的制造方法，其包括：在碳化硅单晶基板上外延生长第一层的步骤(S1)；和在所述第一层的最外表面形成第二层的步骤(S2)，所述第二层具有不同于所述第一层的化学组成或密度。所述第二层的厚度对所述第一层的厚度的比率大于0％且小于等于10％。

公开(公告)号：CN103959476B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201280058421.9

申请日：2012-11-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  和田圭司 ,  日吉透

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: MOSFET(1)设置有：衬底(10)，其由碳化硅制成并且在其上形成第一沟槽(17)，该第一沟槽(17)朝向衬底(10)的主表面(10A)开口；栅极绝缘膜(20)；以及栅电极(30)。衬底(10)包括：n型源极区(15)，其进一步包括衬底(10)的主表面(10A)和第一沟槽(17)的壁表面(17A)；p型体区(14)，其与源极区(15)接触并且进一步包括第一沟槽(17)的壁表面(17A)；n型漂移区(13)，其与体区(14)接触并且进一步包括第一沟槽(17)的壁表面(17A)；以及p型深区域(16)，其与体区(14)接触并且延伸到比第一沟槽(17)深的区域。第一沟槽(17)被形成为使得在壁表面(17A)和深区域(16)之间的距离随着离衬底(10)的主表面(10A)的距离增加而增加。

公开(公告)号：CN104854704B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201380065570.2

申请日：2013-11-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  和田圭司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 碳化硅膜(90)的第一和第二范围(RA，RB)具有界面(IF)。第一范围(RA)包括：具有第一导电类型的第一击穿电压保持层(81A)；以及提供在外边缘部(PT)中的界面(IF)处并具有第二导电类型的外边缘嵌入区(TB)。第二范围(RB)包括具有第一导电类型的第二击穿电压保持层(81B)。半导体元件(EL)形成在第二范围(RB)中。第一范围(RA)包括：在厚度方向上面对中心部(PC)中的半导体元件(EL)的中心区段(CC)；以及在厚度方向上面对外边缘部(PT)中的半导体元件(EL)的外边缘区段(CT)。在界面(IF)处，外边缘区段(CT)包括具有与中心区段(CC)的杂质浓度不同的杂质浓度的部分。

公开(公告)号：CN103890951B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201280049775.7

申请日：2012-09-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  和田圭司 ,  日吉透

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/049 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 用于制造半导体器件的方法包括：制备由碳化硅制成的衬底（30）的步骤；在该衬底（30）中，形成在衬底（30）的一个主表面（30A）侧上开口的沟槽（15）的步骤；以及在包括沟槽（15）的表面的区域中形成氧化物膜（40）的步骤。在形成氧化物膜（40）的步骤中，在包含氧的气氛中，在1250℃或更高的温度下加热衬底（30）。

公开(公告)号：CN103907195B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201280052435.X

申请日：2012-09-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  增田健良 ,  日吉透

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种MOSFET(1)设置有：衬底(10)，该衬底设置有沟槽(20)，该沟槽(20)具有相对于{0001}面具有50°至65°的偏离角的壁表面(20A)；氧化物膜(30)；和栅电极(40)。该衬底(10)包括源极区成为将体区(13)夹在源极区(14)和漂移区(12)之间。源极区(14)和体区(13)是借助离子注入形成的。在体区(13)中，内部区域(13A)垂直于衬底主表面(10A)的方向上具有1μm或更小的厚度，所述内部区域(13A)被夹在源极区(14)和漂移区(12)之间。体区(13)中的杂质浓度为3×1017cm-3或更大。(14)、体区(13)和漂移区(12)，漂移区(12)被形

公开(公告)号：CN103782391B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201280043216.5

申请日：2012-09-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 日吉透 ,  增田健良 ,  和田圭司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 当在平面图中观察时，终端区（TM）围绕元件区（CL）。热蚀刻碳化硅衬底（SB）的第一侧以在终端区（TM）处的碳化硅衬底（SB）中形成侧壁（ST）和底表面（BT）。侧壁（ST）具有{0?33?8}和{0?11?4}中的一种面取向。底表面（BT）具有{000?1}的面取向。在侧壁（ST）和底表面（BT）上，形成绝缘膜（8T）。第一电极（12）形成在元件区（CL）处的碳化硅衬底（SB）的第一侧上。第二电极（14）形成在碳化硅衬底（SB）的第二侧上。

公开(公告)号：CN103718298B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201280037159.X

申请日：2012-08-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 日吉透 ,  增田健良 ,  和田圭司

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/3081 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  Y10S438/931

Abstract: 衬底（1）具备相对于参考面具有5°以下的偏离角的主表面（MS）。参考面在六方晶系的情况下是{000-1}面且在立方晶系的情况下是{111}面。碳化硅层外延形成在衬底的主表面（MS）上。碳化硅层具备沟槽（6），沟槽（6）具有彼此相对的第一和第二侧壁（20a，20b）。第一和第二侧壁（20a，20b）中的每一个都包括沟道区。而且，第一和第二侧壁（20a，20b）中的每一个在六方晶系的情况下基本上都包括{0-33-8}面和{01-1-4}面之一，在立方晶系的情况下基本上包括{100}面。

公开(公告)号：CN105789029A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610129950.3

申请日：2010-12-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  和田圭司 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明涉及晶体管、晶体管制造方法以及衬底。公开了一种半导体器件(1)，其具有半导体层(21?25)和衬底(2)。半导体层(21?25)由碳化硅制成，并且包括电流路径的至少一部分。衬底(2)具有用于支承半导体层(21?25)的第一表面(2A)和面对第一表面(2A)的第二表面(2B)。另外，衬底(2)由具有4H型单晶结构的碳化硅制成。并且，衬底(2)具有在光致发光测量时，在500nm附近波长处的峰强度与在390nm附近波长处的峰强度的比率为0.1或更小的物理特性。所公开的方法得到具有低导通电阻的半导体器件(1)。