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公开(公告)号：CN105803532B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201410837415.4
申请日：2014-12-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种热电材料，其特征在于，含有CsAg5Te3晶体材料。所述热电材料700K时最佳热电优化值ZT可达1.6，并且具有较高稳定性，可多次循环使用。本申请还公开了一种CsAg5Te3晶体材料的制备方法，以Cs、Ag、Te为原料，采用高温固相法，一步合成CsAg5Te3晶体材料，在大幅缩短合成时间的同时，得到高纯度的产品。
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公开(公告)号：CN105734668B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201610182753.8
申请日：2016-03-28
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种Ba3P3O10Cl单晶的生长方法，包括：1)采用BaCO3与NH4H2PO4作为原料，经烧结后得到多晶原料；2)将多晶原料与BaCl2、CsCl混合研磨，得到原料混合物，并将原料混合物进行真空密封；3)对真空密封后的所述原料混合物高温加热熔融，之后降温，得到Ba3P3O10Cl单晶。本发明采用合成的多晶原料混合一定比例的BaCl2与CsCl，熔封在密闭的石英管内，采用真空密闭助熔剂坩埚下降法生长，并调整生长过程中的温度等参数，从而得到了能够符合实用要求的厘米级的高质量大尺寸Ba3P3O10Cl单晶，尺寸约为Φ10×50mm，且在紫外可见光区域透过率可达90％以上。
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公开(公告)号：CN105714372B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201610181678.3
申请日：2016-03-28
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长装置，包括：炉体；用于支撑所述炉体的炉体支架以及位于所述炉体内的炉膛，所述炉膛包括位于其上端的高温区和下端的低温区。所述炉体支架上设置有升降装置，以控制位于炉膛内的坩埚托杆的升降，进而控制待加热原料物质在所述高温区与所述低温区之间往复运动移动。该晶体生长装置结构新颖，简单，不仅可以适用于Ba3P3O10Cl单晶的生长，而且还可适用于一系列易氧化、非一致熔融或分解温度低于熔点的化合物的晶体生长，具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN103484939B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201310469418.2
申请日：2013-10-10
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及红外非线性光学晶体Ba3BSbS6及其制备方法，属于无机非线性光学材料领域。采用高温固相法合成，合成红外非线性光学晶体Ba3BSbS6，属于六方晶系，空间群为化合物Ba3BSbS6在2.05μm激光激发下,其粉末倍频强度为AgGaS2的3倍。
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公开(公告)号：CN106835284A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710035153.3
申请日：2017-01-18
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/46 , C30B1/10 , G02F1/3551
Abstract: 本发明涉及一种相位匹配的红外非线性光学晶体材料，其具有如下所示的分子式：RbXSn2Se6。其中，X为13主族元素。该红外非线性光学晶体材料的晶体结构属于三方晶系，空间群为R3。本发明所述的红外非线性光学晶体材料，具有优良的二阶非线性光学性质以及大小适中的双折射率，较宽的透光范围，具有强的红外倍频响应，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的4～5倍，且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的8～9倍，可用于中红外探测器和激光器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106757368A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710046540.7
申请日：2017-01-18
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一类晶体材料、其制备方法及含有该晶体材料的热电材料及其制备方法。该晶体材料分子通式为RECuTe2，RE为稀土元素Ho或Er，且空间群为该晶体材料为纯相结构，具有较高的稳定性。采用该晶体材料热压制备的热电材料性能优异，在750K时热导率为0.55–0.59W/m·K，电导可达143–166S/cm，塞贝克系数可达199–211μV/K，ZT值为0.84–0.87，可与目前被广泛研究甚至商业化的中温热电材料相媲美。
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公开(公告)号：CN106757364A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611073007.1
申请日：2016-11-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/46 , C30B1/10 , G02F1/3551
Abstract: 本发明涉及光学晶体AZn4In5Se12及其制备方法以及用作红外非线性光学材料的用途，其中，A为Rb或Cs。所述光学晶体具有优良的二阶非线性光学性质以及较宽的透光范围，具有强的红外倍频响应和高的激光损伤阈值，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的3.5～4倍且其激光损伤阈值是AgGaS2的13倍，可用于中红外探测器和激光器。
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公开(公告)号：CN106087063A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610705013.8
申请日：2016-08-23
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/46 , C30B1/10 , G02F1/3551
Abstract: 本发明涉及一种红外非线性光学晶体，其具有如下所示的分子式：CsZn4Ga5S12。该红外非线性光学晶体的晶体结构属于三方晶系，空间群为R3。本发明所述的新型红外非线性光学晶体，具有优良的二阶非线性光学性质以及较宽的透光范围，具有强的红外倍频响应和高的激光损伤阈值，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的6.5倍且其激光损伤阈值是AgGaS2的36倍，可用于中红外探测器和激光器。此外，本申请所提供的制备红外非线性光学晶体的方法操作简单，得到的样品具有较高的结晶度和纯度。
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公开(公告)号：CN102874827B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210371924.3
申请日：2012-09-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C01B35/18
Abstract: 本发明提供碘方硼石的固相制备方法。以MO、M2O3、M3O4中任意一种金属氧化物与B2O3、B、I2混合置于真空氛围，加热，恒温，降至室温，即可得碘方硼石M3B7O13I的多晶粉体。所述方法具有成本低廉、操作简单、无毒气泄漏等优点。
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公开(公告)号：CN105714372A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610181678.3
申请日：2016-03-28
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B11/006 , C30B11/00 , C30B29/10
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长装置，包括：炉体；用于支撑所述炉体的炉体支架以及位于所述炉体内的炉膛，所述炉膛包括位于其上端的高温区和下端的低温区。所述炉体支架上设置有升降装置，以控制位于炉膛内的坩埚托杆的升降，进而控制待加热原料物质在所述高温区与所述低温区之间往复运动移动。该晶体生长装置结构新颖，简单，不仅可以适用于Ba3P3O10Cl单晶的生长，而且还可适用于一系列易氧化、非一致熔融或分解温度低于熔点的化合物的晶体生长，具有广泛的应用价值。
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