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公开(公告)号：CN112420512A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011323060.9
申请日：2020-11-23
Applicant: 上海新微科技集团有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/18 , H01L21/67
Abstract: 本申请公开了一种键合结构中的薄膜晶圆和剩余晶圆的分离方法，包括：获取包括第一晶圆和第二晶圆，注入离子到第二晶圆，从而在第二晶圆的内部形成缺陷层；沿第二晶圆的注入面与第一晶圆进行键合，形成键合结构；将键合结构置于晶圆花篮中，第一晶圆位于第二晶圆的上方；未键合区域由晶圆花篮的悬臂支撑，第二晶圆中与未键合区域同侧的一端依靠与第一晶圆的键合力悬空，键合结构中与未键合区域相对的一端由晶圆花篮的卡槽支撑；将晶圆花篮和键合结构进行整体退火处理；键合结构沿第二晶圆的缺陷层所在的位置完成薄膜晶圆和剩余晶圆的分离。本申请涉及的分离方法避免了第一晶圆和第二晶圆之间的相对滑动对薄膜晶圆表面的损伤，从而提高了产品的质量与良率。
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公开(公告)号：CN112018025A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910471852.1
申请日：2019-05-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体异质键合结构的制备方法，包括：提供单晶Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体基底和异质支撑衬底，且单晶Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体基底具有第一键合面，异质支撑衬底具有第二键合面；于第一键合面上形成第一氧化铝介质层，于第二键合面上形成第二氧化铝介质层；将第一氧化铝介质层与第二氧化铝介质层进行键合。氧化铝薄膜具有很高的表面能，可在低温键合条件下得到很高的键合质量，且氧化铝薄膜是非晶态材料，对水分子具有很好的吸收性和透过性，可以有效的排除键合过程中在键合界面产生的气体，因此，本发明通过采用氧化铝介质层实现Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体异质键合，可以获得高的键合强度、键合界面无泡的高质量键合界面。
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公开(公告)号：CN111962148A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010772092.0
申请日：2020-08-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种单晶钻石薄膜的制备方法，包括以下步骤：获取钻石衬底和异质衬底；对钻石衬底的表面进行He离子注入，使注入的离子在钻石衬底相应的深度下聚集形成缺陷层，将钻石衬底中缺陷层之上的钻石薄膜作为同质外延的衬底；采用同质外延在钻石薄膜上生长一层单晶钻石薄膜；将单晶钻石薄膜与异质衬底键合，形成键合结构；对键合结构进行湿法腐蚀或电化学腐蚀，将缺陷层去除，使钻石薄膜转移至异质衬底表面；若对键合结构进行电化学腐蚀，则在将外延后的钻石薄膜与异质衬底键合步骤之前，对进行同质外延后的钻石衬底进行高温退火，使缺陷层发生石墨化，形成石墨化的缺陷层；其中，He离子的注入能量和注入剂量根据溶解缺陷层的方法分梯度设定。
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公开(公告)号：CN111884616A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010717349.2
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及薄膜材料技术领域，特别涉及一种衬底基板/压电材料薄膜结构及其制备方法和应用。方法包括：提供衬底基板和压电材料基板，衬底基板和/或压电材料基板的近表面层中具有通过离子注入形成的第一缺陷层；键合衬底基板和压电材料基板，得到包括衬底基板层和压电材料基板层的键合结构；其中，衬底基板和/或压电材料基板的、靠近第一缺陷层的表面为键合面；加工键合结构，使键合结构中的压电材料基板层形成具有预设厚度的压电材料薄膜层，以及使第一缺陷层形成多孔层，得到具有多孔层的衬底基板/压电材料薄膜结构。本公开能够减少键合面处的体声波反射，提高利用上述薄膜结构制备的声表面波器件的性能。
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公开(公告)号：CN111883646A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010645103.9
申请日：2020-07-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/253 , H01L41/08
Abstract: 本发明涉及材料制备技术领域，特别涉及一种硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法，包括：获取钽酸锂单晶晶圆片；在所述钽酸锂单晶晶圆片的表面制作热膨胀抑制层，对所述热膨胀抑制层和所述钽酸锂单晶晶圆片进行离子注入得到第一衬底结构，在所述钽酸锂单晶晶圆片内形成离子注入损伤层；本申请实施例所述的硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法，在对钽酸锂单晶晶圆片离子注入前先在其表面制作一层热膨胀抑制层，热膨胀抑制层在离子注入的过程中能够抑制钽酸锂的各向异性热膨胀形变，减小钽酸锂的弯曲幅度，提高离子注入的深度均匀性，并最终提高剥离的钽酸锂单晶薄膜的厚度均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111883644A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010719055.3
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/04 , H01L41/08 , H01L41/083 , H01L41/253 , H01L41/27 , H01L41/312
Abstract: 本发明涉及一种异质压电薄膜结构及其制备方法，该异质压电薄膜结构包括衬底层；层叠在衬底层上的介质层；层叠在介质层上的过渡层；以及，层叠在过渡层上的压电薄膜层；其中，衬底层的热膨胀系数小于压电薄膜层的热膨胀系数；过渡层与压电薄膜层的组分相同，且过渡层的晶格常数大于压电薄膜层的晶格常数；所述过渡层内具有拉应力，所述异质压电薄膜结构的晶圆bow值小于所述衬底层对应的初始衬底晶圆的晶圆bow值。本发明异质压电薄膜结构中压电薄膜层可以承受更高的退火温度而不致损坏，从而可以使该结构中经过离子注入的薄膜层中离子注入缺陷恢复的更加完全，晶格质量好，进而有利于提升基于薄膜压电材料的相关元器件的性能。
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公开(公告)号：CN111817681A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010603082.4
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器的制备方法，涉及半导体器件技术领域。本发明的薄膜体声波谐振器的制备方法，包括以下步骤：对压电单晶衬底的正面进行离子注入形成注入损伤层，在压电单晶衬底的正面进行金属沉积，并图案化；在衬底晶圆的正面进行刻蚀，并图案化；将压电单晶衬底的正面与衬底晶圆的正面进行键合，形成键合结构；对键合结构进行退火处理，使键合结构沿注入损伤层剥离，得到位于衬底晶圆上的压电单晶薄膜；在压电单晶薄膜的表面制作电极，得到薄膜体声波谐振器。本发明可以实现衬底晶圆上的特定厚度薄膜的转移，解决了压电单晶薄膜的厚度不均匀性的问题，本发明制备的薄膜体声波谐振器的器件性能稳定，良率高。
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公开(公告)号：CN111799368A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010602406.2
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/313 , H01L41/33 , H01L41/22
Abstract: 本发明涉及半导体材料制备领域，本发明公开了一种降低薄膜剥离热应力的异质结构薄膜的制备方法，具体地，首先提供异质结构薄膜衬底，该异质结构薄膜衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；在第一表面上依次沉积第一铟层和第一金层，形成第一待键合衬底；其次，提供支撑衬底；在支撑衬底的第三表面依次沉积第二铟层和第二金层，形成第二待键合衬底；将第一待键合衬底置于第二待键合衬底上，且第一金层与该第二金层接触，形成待键合衬底；最后，对该第二表面施加作用力，同时对待键合衬底进行键合、退火和剥离转移，得到异质结构薄膜。本发明提供的异质结构薄膜的制备方法具有提高剥离转移后的压电薄膜面积和不易造成薄膜裂片的特点。
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公开(公告)号：CN111740005A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010553392.X
申请日：2020-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/257 , H01L41/29 , H01L41/047
Abstract: 本发明涉及一种压电薄膜高温极化方法，包括：制备压电薄膜、热致相变材料与支撑衬底的复合结构；然后对复合结构进行高温退火，再以热致相变材料作为底电极，在压电薄膜上施加极化电场；最后对极化后的压电薄膜进行表面处理。本发明通过引入相变材料，一方面，相变材料在退火温度下金属化，作为底电极施加极化电压，可以提高压电薄膜的极化一致性；另一方面，相变材料在器件工作温度下绝缘化，可以作为高阻隔离层提升压电器件的射频性能。
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公开(公告)号：CN111722318A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010602370.8
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种基于内扩散和离子注入的铌酸锂波导制备方法，包括以下步骤：获取铌酸锂晶体；在所述铌酸锂晶体表面沉积钛层，将沉积有钛层的铌酸锂晶体进行高温扩散处理，获得钛扩散后的铌酸锂晶体；对所述钛扩散后的铌酸锂晶体进行清洗处理，去除所述光刻处理后残留的光刻胶以及所述高温扩散处理后残余的钛层；对所述钛扩散后的铌酸锂晶体进行区域离子注入处理，获得注入离子后的铌酸锂晶体；其中，所述区域离子注入处理中注入的离子为能够提高所述铌酸锂晶体抗光折变性的离子；对所述注入离子后的铌酸锂晶体进行退火处理。该制备方法在内扩散技术的基础上注入能够提高铌酸锂抗光折变性的离子，能够有效减小铌酸锂光波导光损伤效应。
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