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公开(公告)号：CN110176930A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910454948.7
申请日：2019-05-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明提供一种测量传输曲线跳变高度的多位分辨率子流水线结构，包括：一分辨率为n位的子模数转换器，用于对输入的模拟电压信号进行量化输出数字电压信号；一分辨率为n位的子数模转换器，用于将子模数转换器输出的数字电压信号转换成相应的模拟电压信号；一分辨率为n位的译码器，其用于对n位二进制输入信号进行译码，及一开关电容放大单元，用于当其处于正常模式时，对输入的模拟电压信号进行采样和残差放大；当其处于测试模式时，测量传输曲线在每个判决电平处所对应的跳变高度。本发明可在2n个时钟周期完成传输曲线高度的测量，测量速度快；将测量结果送入A/D转换器后端数字域进行校正，可提升A/D转换器线性度10-15dB。
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公开(公告)号：CN108988861A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810884372.3
申请日：2018-08-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明公开一种电流模余量放大器，包括：基准电流源、开关电流数模转换器及电阻反馈放大网络，所述基准电流源与开关电路数模转换器及电阻反馈放大网络相连，所述开关电路数模转换器还与电子反馈放大网络相连；所述基准电流源用于产生基准电流，所述开关电流数模转换器用于产生模拟电流信号，所述电阻反馈放大网络用于将电流信号通过电阻转换为电压信号，并对电压值余量进行放大，以适合后级流水线继续进行量化转化。本发明简化了水线模数转换器中的余量放大器的时序设计，提升余量放大器的速度，相较于传统结构具有时序电路设计简单、转换速度快等优点。可广泛应用于模数转换器系统。
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公开(公告)号：CN105720927B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201610040162.7
申请日：2016-01-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03F1/14
CPC classification number: H03F1/14 , H03F3/45183 , H03F3/4521 , H03F2203/45288 , H03F2203/45352 , H03F2203/45526
Abstract: 本发明提供一种频率补偿的跨导放大器，包括NMOS管M1和M2构成的跨导放大器输入级，PMOS管M3和M4构成的跨导放大器第一级有源负载，恒流源Iss构成的跨导放大器第一级尾电流源，PMOS管M5构成的跨导放大器第二级输入管，NMOS管M6构成的跨导放大器第二级恒流源，电容CL构成的跨导放大器负载电容，增益级GAIN、补偿电阻Rc和补偿电容Cc顺序串联构成的跨导放大器频率补偿网络。本发明中的频率补偿网络，能够产生一个很低频的左半平面零点，该左半平面零点能够和跨导放大器的第一非主极点形成零极点抵消，不会降低主极点频率，并能改善跨导放大器的幅频特性曲线，使得在高频处向上抬起，大大增加了单位增益带宽，保证了理想的相位裕度，明显提高跨导放大器的品质因素。
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公开(公告)号：CN105720935B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201610039247.3
申请日：2016-01-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明提供一种衬底输入结构的跨导放大器，包括PMOS管M1、M2、M3和M4构成的衬底输入正反馈输入级结构，NMOS管M5、M6、M7、M8和PMOS管M9、M10构成的自偏置有源负载结构，恒流源，跨导放大器补偿电容CC和负载电容CL。本发明分别将输入级中PMOS管M3和M4的衬底和其栅极相连，从而直接将输入信号加在PMOS管M3和M4栅极之上，连接方式非常简单，非理想的寄生效应被降到最小，既能实现提高输入级跨导的思路，又不需要引入RC网络，大大减小了电路设计成本，使得电路非常容易实现，而且没有静态功耗；同时补偿电容的连接方式，将跨导放大器的第一个非主极点推向更高的频率，使得跨导放大器单位增益带宽增加的同时，保持了合适的相位裕度，增强了跨导放大器的稳定性。
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公开(公告)号：CN106027030A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610335138.6
申请日：2016-05-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03K19/094
CPC classification number: H03K19/094
Abstract: 本发明公开了一种高速高线性全差分跟随器，包括源极跟随器，所述源极跟随器包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、采样开关KP、采样开关KN和两个采样电容CL，该全差分跟随器还包括输入管衬底电压偏置电路，所述输入管衬底电压偏置电路包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管。在本发明中，输入管M1和M2的衬底电压会随着输入电压VIP和VIN的变化而变化，这会大大缓解传统输入NMOS管的衬底偏置效应，使得源极跟随器的输出阻抗趋于稳定，从而明显提高源极跟随器的线性度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106026954A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610307297.5
申请日：2016-05-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03F3/45
CPC classification number: H03F3/45183 , H03F2203/45631
Abstract: 本发明提供一种运算放大器频率补偿电路，包括增益电路、输出电路以及增益电路的尾电流源自举电路，其中增益电路的接地端分别与尾电流源自举电路的第一端和第二端连接，增益电路的输出端分别与输出电路的第一输入端、尾电流源自举电路的输入端连接，尾电流源自举电路的输出端连接偏置电压并通过第一电阻连接输出电路的第二输入端，输出电路的第二输入端通过第一电容连接增益电路的输出端。本发明基于由第一电阻和第一电容构成的RC网络，使运算放大器产生左半平面零点z，并且通过调节RC的大小，可以实现左半平面零点z和运算放大器第一非主极点的完全抵消，从而实现运算放大器的频率补偿；同时，本发明可以明显提高运算放大器的单位增益带宽。
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公开(公告)号：CN105763172A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610076103.5
申请日：2016-02-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
CPC classification number: H03K3/012 , H03K3/356008
Abstract: 本发明公开了一种高速低功耗触发器，包括控制信号生成电路、使能单元和锁存器结构，所述锁存器结构包括两输入端、两输出端、两使能端、第二使能端和接地端，所述使能单元包括两使能电路，所述控制信号生成电路的输出信号X和外部控制信号D作为第一使能电路的输入信号，所述第一使能电路的输出端与第一使能端连接，所述控制信号生成电路的输出信号X和外部控制信号D的反相信号DB作为第二使能电路的输入信号，所述第二使能电路的输出端与第二使能端连接；本发明所提出的触发器结构和传统结构相比，电路结构简单，并且锁存器的输出端寄生电容很小，提高了触发器的速度，并且没有静态功耗。
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公开(公告)号：CN105720935A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610039247.3
申请日：2016-01-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
CPC classification number: H03F3/45183 , H03F3/45497 , H03F2200/411 , H03F2203/45528 , H03G1/007
Abstract: 本发明提供一种衬底输入结构的跨导放大器，包括PMOS管M1、M2、M3和M4构成的衬底输入正反馈输入级结构，NMOS管M5、M6、M7、M8和PMOS管M9、M10构成的自偏置有源负载结构，恒流源，跨导放大器补偿电容CC和负载电容CL。本发明分别将输入级中PMOS管M3和M4的衬底和其栅极相连，从而直接将输入信号加在PMOS管M3和M4栅极之上，连接方式非常简单，非理想的寄生效应被降到最小，既能实现提高输入级跨导的思路，又不需要引入RC网络，大大减小了电路设计成本，使得电路非常容易实现，而且没有静态功耗；同时补偿电容的连接方式，将跨导放大器的第一个非主极点推向更高的频率，使得跨导放大器单位增益带宽增加的同时，保持了合适的相位裕度，增强了跨导放大器的稳定性。
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公开(公告)号：CN105700609A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610256167.3
申请日：2016-04-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/56
Abstract: 本发明提供一种参考电压产生电路，包括：电平转换电路，包括第一电荷泵、第一差分运算放大器、第一NMOS晶体管、第一电阻、第二电阻及第三电阻，其中，第一差分运算放大器、第一电荷泵、第一NMOS晶体管及第一电阻构成第一单位增益结构；用于通过所述第一单位增益结构输出参考电压，并通过第一电阻、第二电阻及第三电阻以差分形式将所述参考电压输出到所述前级驱动电路；前级驱动电路，包括第二差分运算放大器和第三差分运算放大器、第二电荷泵和第三电荷泵、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管以及第四电阻，其中，第二差分运算放大器、第二电荷泵、第二NMOS晶体管构成第二单位增益结构，第三差分运算放大器、第三电荷泵、第一PMOS晶体管构成第三单位增益结构；用于根据所述第二单位增益结构及第三单位增益结构对所述电平转换电路输出的参考电压进行驱动；如此，本发明实施例提供的参考电压产生电路具有更高的建立精度和更大的输出摆幅。
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公开(公告)号：CN104993830A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510481115.1
申请日：2015-08-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明提供一种双通道时分交织结构异步逐次比较型模数转换器，包含时分交织异步逐次比较单元，该时分交织异步逐次比较单元包括采样开关S10和S20，电容阵列C1和电容阵列E1，启动单元F1、F2、…、Fn，切换开关SW1、SW2、SW3、SW4、…、SW2n-1、SW2n，比较器A1、A2、…、An，寄存器B1、B2、…、Bn，寄存器D1、D2、…、Dn，重置单元G1和G2。本发明由于采用了双通道异步逐次比较结构，对一组比较器进行双通道复用，且采用异步逐次比较方式，减少了数字逻辑的延时，因此相比于传统的逐次比较型模数转换器，具有更快的速度，因而本发明提供的模数转换器具有高速度和低功耗的特性，特别适用于对模数转换器速度和功耗性能要求较高的场合。
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