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公开(公告)号：CN102703858B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210193088.4
申请日：2012-06-13
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明公开了一种含金属类金刚石薄膜制备方法，所述方法为采用多离子束辅助沉积系统（IBAD）、通过调节溅射靶材的溅射气体压力、脉冲基体负偏压和靶电流，采用在基体中加入非碳化物形成元素，制备类金刚石薄膜，所得到的类金刚石薄膜在保持高硬度的同时改善了薄膜的结合力，提高了薄膜的韧性。本发明是在金属基体上沉积一种含非碳化物形成元素(如：Ag)的类金刚石薄膜，用以克服中频磁控溅射镀膜方法带来的载能粒子能量及流量不能精确控制的缺点，并使该薄膜具有高硬度、低摩擦系数、良好膜基结合力等优点，并能保持一定韧性，有效减少薄膜在工作过程中产生裂纹，起皱和分层的现象。
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公开(公告)号：CN102323170B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201110161565.4
申请日：2011-06-16
Applicant: 中国地质大学(北京) , 兰州微纳仪器科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种超硬金刚石薄膜力学性能的测试方法，所述测试方法为采用微米压痕法测量金刚石薄膜的硬度和弹性模量；利用自动加载机构对金刚石薄膜连续施加数N至上千N范围的载荷，通过人造金刚石压头将连续载荷施加至金刚石薄膜表面，压入深度控制在1/10-1/15膜厚范围内，通过位移传感器和计算机处理得到材料的载荷-深度曲线，再按设定的卸载速率得到卸载时的载荷-深度曲线，将两组数据经过计算得到材料的弹性模量及硬度。本发明采用微米压痕法测量金刚石薄膜的硬度和弹性模量；利用廉价的金刚石压头代替昂贵的镀金刚石膜压针，降低了实验的成本，减少了实验误差，并能满足对厚金刚石膜的硬度、弹性模量及膜基结合力的测量要求。
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公开(公告)号：CN101367645B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200810117838.3
申请日：2008-08-06
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种铁氧体陶瓷软磁材料制备方法，属于电子陶瓷制备及应用技术领域。所述陶瓷为纯相尖晶石相铁氧体。所述材料制备方法包括“配料→高能球磨→烘干→混合整粒→过筛→压制成型→烧结”等工艺步骤。与传统铁氧体材料制备方法相比，所述方法只需一次烧结，简称“一步合成法”；由于制备工艺更简单，降低了设备和工艺成本，提高了工艺可靠性和可控性；采用高纯高耐磨氧化锆磨介，可精确控制掺杂元素比例；采用特殊烧结助熔剂，烧结温度低。由于材料组成精确可控、晶粒大小均匀可控、缺陷少，所得铁氧体材料磁学性能优异，高频特性好，品质因素高，可广泛用于高质量高频器件制备和生产。本发明也可用于其他类型电子陶瓷材料等。
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公开(公告)号：CN101818332A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010130135.1
申请日：2010-03-23
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种工具涂层材料及制备方法，属于材料制备及应用技术领域。所述材料为具有超硬自润滑特性的金刚石/类金刚石复合多层涂层材料。所述方法其特征在于，首先利用酸、碱混合液分别对基体进行预处理，然后采用热丝化学气相沉积在基体上合成超高硬度、晶形良好的金刚石作为复合涂层的主体，再利用磁过滤真空阴极电弧在金刚石主体上沉积高硬度的类金刚石薄膜作为自润滑表层。为了提高金刚石薄膜和基体、类金刚石薄膜和金刚石薄膜之间的结合力，各层之间分别镀制了一层过渡层。所述方法具有工艺简单、合成条件精确可控、成膜质量高、产品收率高、成本低廉等优点，所获得的金刚石/类金刚石复合多层材料具有超高硬度、极低摩擦因数和极低磨损率，表现出优异的自润滑抗摩擦磨损性能，对工具或模具在苛刻服役条件下的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN101787520A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010132904.1
申请日：2010-03-24
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: C23C16/27 , C23C14/35 , C23C16/513 , C23C16/02
Abstract: 钨钛共掺杂类金刚石(DLC)涂层材料及其制备技术，特征是首先利用超声波清洗去除工件表面污染层，利用辉光放电对工件表面进行氩离子刻蚀清洗，获得原子级的清洁表面；然后利用反应磁控溅射沉积方法制备梯度过渡层，最后在过渡层上利用磁控溅射+辉光放电等离子体增强化学气相沉积方法制备钨钛共掺杂DLC涂层，合成的DLC涂层同时含有碳、钨和钛等元素，其中钨含量为2-5％，钛含量为0.1-2.0％，具有优异的膜/基结合力和低的摩擦系数及磨损率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101787518A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010132905.6
申请日：2010-03-24
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 一种制备掺杂类金刚石(DLC)涂层的多离子束溅射沉积方法，特征是首先利用超声波清洗去除工件表面污染层，利用离子源产生的氩离子束对工件表面进行离子束轰击清洗，获得原子级的清洁表面；然后利用离子束辅助溅射沉积方法制备梯度过渡层；最后在梯度过渡层上利用多离子束溅射+低能离子束辅助沉积合成多元掺杂DLC涂层。利用多离子束溅射+低能离子束辅助沉积合成多元掺杂DLC涂层的过程中，在溅射离子源轰击石墨靶和金属靶产生的碳粒子和金属粒子沉积到工件表面的同时，辅助沉积离子源产生的气体离子持续轰击生长的膜层表面，调控膜层微观结构和实现多元素掺杂。
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公开(公告)号：CN101787512A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200910217544.2
申请日：2009-12-31
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 一种多元金属元素掺杂类金刚石膜的制备方法，特征是首先利用超声波清洗技术去除基体表面污染层，利用离子源产生的惰性气体离子束对基体表面进行离子束轰击清洗，然后在高工件负偏压下利用阴极电弧源产生的金属离子对基体表面进行金属离子轰击清洗，再利用阴极电弧沉积或离子束辅助磁控溅射制备梯度过渡层，最后在过渡层上利用离子束沉积+镶嵌复合靶磁控溅射合成多元金属元素掺杂DLC膜，离子束沉积通过向离子源中通入含碳气体实现，采用镶嵌复合靶掺杂多元金属，嵌镶复合靶的主体材料为Ti、Cr、W、Zr、Nb、Ta中的任何一种，镶嵌块材料为一种或多种除主体材料之外的其他金属。
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公开(公告)号：CN101768727A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910217543.8
申请日：2009-12-31
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 一种复合真空沉积设备，由真空室4、阴极电弧蒸发源2、中频磁控溅射源7、直流磁控溅射源8、气体离子源10、工件架3等组成；抽气口1设置在真空室4后部，阴极电弧蒸发源2安装在靠近抽气口1的真空室壁上，中频磁控溅射源7安装在真空室4两侧中间位置的真空室壁上，直流磁控溅射源8安装在真空室前门9上；通入反应气体的气体离子源10安装在真空室4中心位置，离子束喷向抽气口1方向，离子源10背部和侧面设置气体离子源挡板5；工作气体从安装在中频磁控溅射源7和直流磁控溅射源8附近的工作气体进气管道6通入真空室4。这样的布置可在真空室内形成理想的反应气体浓度分布，充分发挥各成膜源的优势，显著抑制薄膜缺陷。
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公开(公告)号：CN114486850B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202210085000.0
申请日：2022-01-25
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明提供了一种Au/ND/C3N4复合材料及其制备方法和应用，涉及水生环境污染物检测技术领域。具体包括：首先借助Z204镍触媒催化剂通过一步法制备具有多孔结构的ND/C3N4杂化物，再利用柠檬酸钠去还原氯金酸和十六烷基三甲溴化铵的混合物以负载异面体金纳米粒子，即可制备得到Au/ND/C3N4复合材料。本发明制备工艺操作简单，仅两步制成，所用设备均为现有技术中常规设备，反应过程能耗低，生产过程易于控制。制备出来的复合材料具有SERS检测灵敏度高，信号重现性高，环境稳定性好，自清洁能力强的优点，尤其适合对水体中抗生素进行超痕量检测。
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公开(公告)号：CN114720532B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210163896.X
申请日：2020-08-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: G01N27/333 , G01N27/48 , C23C16/27
Abstract: 本发明提供了一种自支撑硼掺杂金刚石电化学传感器及其应用。该自支撑硼掺杂金刚石电化学传感器的制备方法包括如下步骤：1)以纳米金刚石粉为种晶籽料，均匀铺在预处理后的金属基材的表面，机械研磨后得到种晶后的金属基材；2)将所述种晶后的金属基材利用热丝化学气相沉积技术进行镀膜；其中，在金刚石形核阶段，以甲烷为碳源，氢气为刻蚀气体；在金刚石生长阶段，以乙醇为碳源，硼酸三甲酯为硼源；3)脱膜后封装，即得。本发明提供的自支撑硼掺杂金刚石电化学传感器可以满足在线监测系统对传感器提出的精准长效检测要求，有效克服了BDD薄膜传感器工作寿命短的缺点，具有在线监测水体中重金属离子，尤其是Pb2+的应用潜力。
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