一种高性能掺杂镍锌系铁氧体软磁材料及制备方法

    公开(公告)号:CN101640090A

    公开(公告)日:2010-02-03

    申请号:CN200910089645.6

    申请日:2009-07-28

    Abstract: 本发明涉及一种高性能掺杂Ni-Zn系铁氧体软磁材料及制备方法,属于电子陶瓷制备及应用技术领域。所述材料主成分为Fe 2 O 3 47.0~50.0mol%、ZnO 24.0~26.0mol%和NiO24.0~26.0mol%,外加副成分为Bi 2 O 3 0.5~5.0wt%、MnCO 3 0.5~5.0wt%,并至少含有一种以上如下掺杂成分:Al 2 O 3 0~75mol%、Pr 6 O 11 0.1~10mol%和WO 3 0.2~10mol%。所述材料制备方法依次包括“配料→高能球磨→烘干→混合整粒→过筛→压制成型→烧结”工艺方法和步骤,仅需要一个铁氧体烧结合成步骤,经济、简单、可靠。用本发明提供的材料配方及制备方法所得Ni-Zn系铁氧体软磁材料的烧结体的平均晶粒尺寸为1~10μm,在频率1MHz时的起始磁导率μ i 至少为100,居里温度Tc至少为300℃,矫顽力小于4.5Oe;截止频率fr高于10MHz,1k-100MHz范围内磁损耗(μ″/μ′)小于2.00,介电损耗(ε″/ε′)小于0.03,综合性能优良,特别适合高频大磁场通讯器件应用。

    一种制备铁氧体陶瓷软磁材料新方法

    公开(公告)号:CN101367645B

    公开(公告)日:2011-08-10

    申请号:CN200810117838.3

    申请日:2008-08-06

    Abstract: 本发明涉及一种铁氧体陶瓷软磁材料制备方法,属于电子陶瓷制备及应用技术领域。所述陶瓷为纯相尖晶石相铁氧体。所述材料制备方法包括“配料→高能球磨→烘干→混合整粒→过筛→压制成型→烧结”等工艺步骤。与传统铁氧体材料制备方法相比,所述方法只需一次烧结,简称“一步合成法”;由于制备工艺更简单,降低了设备和工艺成本,提高了工艺可靠性和可控性;采用高纯高耐磨氧化锆磨介,可精确控制掺杂元素比例;采用特殊烧结助熔剂,烧结温度低。由于材料组成精确可控、晶粒大小均匀可控、缺陷少,所得铁氧体材料磁学性能优异,高频特性好,品质因素高,可广泛用于高质量高频器件制备和生产。本发明也可用于其他类型电子陶瓷材料等。

    一种高性能掺杂镍锌系铁氧体软磁材料及制备方法

    公开(公告)号:CN101640090B

    公开(公告)日:2012-01-11

    申请号:CN200910089645.6

    申请日:2009-07-28

    Abstract: 本发明涉及一种高性能掺杂Ni-Zn系铁氧体软磁材料及制备方法,属于电子陶瓷制备及应用技术领域。所述材料主成分为Fe2O3 47.0~50.0mol%、ZnO 24.0~26.0mol%和NiO24.0~26.0mol%,外加副成分为Bi2O3 0.5~5.0wt%、MnCO3 0.5~5.0wt%,并至少含有一种以上如下掺杂成分:Al2O3 0~75mol%、Pr6O11 0.1~10mol%和WO3 0.2~10mol%。所述材料制备方法依次包括“配料→高能球磨→烘干→混合整粒→过筛→压制成型→烧结”工艺方法和步骤,仅需要一个铁氧体烧结合成步骤,经济、简单、可靠。用本发明提供的材料配方及制备方法所得Ni-Zn系铁氧体软磁材料的烧结体的平均晶粒尺寸为1~10μm,在频率1MHz时的起始磁导率μi至少为100,居里温度Tc至少为300℃,矫顽力小于4.5Oe;截止频率fr高于10MHz,1k-100MHz范围内磁损耗(μ″/μ′)小于2.00,介电损耗(ε″/ε′)小于0.03,综合性能优良,特别适合高频大磁场通讯器件应用。

    一种制备铁氧体陶瓷软磁材料新方法

    公开(公告)号:CN101367645A

    公开(公告)日:2009-02-18

    申请号:CN200810117838.3

    申请日:2008-08-06

    Abstract: 本发明涉及一种铁氧体陶瓷软磁材料制备方法,属于电子陶瓷制备及应用技术领域。所述陶瓷为纯相尖晶石相铁氧体。所述材料制备方法包括“配料→高能球磨→烘干→混合整粒→过筛→压制成型→烧结”等工艺步骤。与传统铁氧体材料制备方法相比,所述方法只需一次烧结,简称“一步合成法”;由于制备工艺更简单,降低了设备和工艺成本,提高了工艺可靠性和可控性;采用高纯高耐磨氧化锆磨介,可精确控制掺杂元素比例;采用特殊烧结助熔剂,烧结温度低。由于材料组成精确可控、晶粒大小均匀可控、缺陷少,所得铁氧体材料磁学性能优异,高频特性好,品质因素高,可广泛用于高质量高频器件制备和生产。本发明也可用于其他类型电子陶瓷材料等。

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