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公开(公告)号：CN108231898B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201711343954.2
申请日：2017-12-14
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 一种低导通电阻的碳化硅功率半导体器件，所述低导通电阻的碳化硅功率半导体器件为轴对称结构，包括：N型衬底，在N型衬底的上设有N型漂移区，在N型漂移区中对称设置一对P型基区，在P型基区中设有P+型体接触区和N+型源区，在N型漂移区的表面设有栅氧层，在栅氧层的表面设有多晶硅栅。其特征在于：在P型基区体内设有由N‑型区构成的阵列，上表面与栅氧层相分离，所述N‑型区在器件栅宽方向上N‑型区与P型基区间隔分布，且N‑型区到栅氧层的距离、厚度和掺杂浓度使得N‑型区在自然状态下恰好完全夹断。这种结构的优点在于维持器件击穿电压的同时，有效降低器件导通电阻，提升器件开态电流能力，降低开态能量损耗。
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公开(公告)号：CN108549385B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201810492962.1
申请日：2018-05-22
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G05D1/02
Abstract: 本发明公开了一种结合A*算法和VFH避障算法的机器人动态路径规划方法，将机器人所处的环境表示成栅格地图，并用A*算法在栅格地图中搜索出一条全局初始路径；机器人沿初始路径向目标点运动，判断是否遇到障碍物，遇到则采用VFH算法进行避障，否则继续向目标点运动；在避障时，首先沿初始路径中设置阶段目标点，生成当前位置到阶段目标点之间的避障路径并前进一步，更新当前位置，判断机器人当前位置和阶段目标点之间是否有遮挡，有则重新计算避障路径，无则将机器人沿避障路径向阶段目标点前进一步，循环直至机器人抵达阶段目标点并回到初始路径上继续向终点运动。两种算法的结合提高了机器人路径规划的效率，保证了机器人在室内动态环境下的自主导航能力。
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公开(公告)号：CN108134665B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201711384586.6
申请日：2017-12-20
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种面向IoT应用的8比特AES电路，属于保密或安全通信装置的技术领域。该电路包括：并行处理sbox运算和移位操作以及列混合运算的数据处理模块、并行处理sbox运算和字节循环移位操作以及异或运算的密钥扩展模块、控制模块、密钥加模块，数据处理模块和密钥扩展模块共用一个sbox核，采用寄存器到寄存器的方式实现移位操作，以较少的周期以及逻辑组合实现了高吞吐率的8比特AES电路。
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公开(公告)号：CN107689787B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201710675218.0
申请日：2017-08-09
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03K17/687
Abstract: 一种用于半桥结构的高压侧栅驱动电路，其中的脉冲滤波电路包括两条信号通路，两条通路均设有缓冲电路、倒相器单元和整形电路，两个倒相器单元均有四个端口，两个倒相器单元的第一端口为输入端，两个倒相器单元的第二端口分别为输出端，两个倒相器单元的第三端口为固定电位端，两个倒相器单元的第四端口为浮动电位端；若第一端口和第四端口的电压差的绝对值高于倒相器单元阈值电压VTH，第四端口的电信号可以通过第一倒相器单元或第二倒相器单元传递至第二端口；若第一端口和第四端口的电压差绝对值不高于倒相器单元阈值电压VTH，则第四端口的电信号无法通过第一倒相器单元或第二倒相器单元传递至第二端口。
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公开(公告)号：CN107493095B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201710674866.4
申请日：2017-08-09
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03K17/08 , H03K17/567 , H03K19/003
Abstract: 一种硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管混合的栅驱动系统，包括驱动输入级、逻辑使能电路、电流源电路、IGBT栅极电压对时间的变化率检测电路、IGBT集电极电流对时间的二阶微分变化率检测电路以及IGBT管、肖特基二极管D1和采样电阻Rx。通过对IGBT的栅极电压VG和栅极电压的变化率dVG/dt以及集电极电流的二阶变化率d(dIc/dt)/dt进行采样和检测，实时的掌握IGBT开启过程的各个阶段，之后经过逻辑使能电路的判断并对栅驱动电路中的电流源电路进行控制，便可以改变IGBT开启过程的驱动电流大小，从而达到在IGBT的开启过程中抑制电流振荡减小电流过冲和开启损耗的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107085132B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201710351208.1
申请日：2017-05-18
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G01R19/00 , H03K19/0185
Abstract: 一种正电压供电下的高精度负压检测电路，包括采样电压生成电路、带隙基准电压源、高精度电压比较器和输出驱动器，采样电压生成电路包括低压线性稳压管LDO和电阻分压网络，低压线性稳压管LDO稳定输出固定2.5V电压Vo与输入的负电压信号IN通过电阻分压得到正采样电压Vn，将Vn与带隙基准电压源产生的正基准电压Vref通过高精度电压比较器进行比较，Vn、Vref分别连接高精度电压比较器的负、正向输入端，比较结果通过输出驱动器输出对应的逻辑控制信号OUT，当输入信号IN为要检测的负电压信号时，输出驱动器输出逻辑高电平“1”，否则输出逻辑低电平“0”，实现了正电压供电下输入负电压信号的检测。
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公开(公告)号：CN108231898A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711343954.2
申请日：2017-12-14
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 一种低导通电阻的碳化硅功率半导体器件，所述低导通电阻的碳化硅功率半导体器件为轴对称结构，包括：N型衬底，在N型衬底的上设有N型漂移区，在N型漂移区中对称设置一对P型基区，在P型基区中设有P+型体接触区和N+型源区，在N型漂移区的表面设有栅氧层，在栅氧层的表面设有多晶硅栅。其特征在于：在P型基区体内设有由N‑型区构成的阵列，上表面与栅氧层相分离，所述N‑型区在器件栅宽方向上N‑型区与P型基区间隔分布，且N‑型区到栅氧层的距离、厚度和掺杂浓度使得N‑型区在自然状态下恰好完全夹断。这种结构的优点在于维持器件击穿电压的同时，有效降低器件导通电阻，提升器件开态电流能力，降低开态能量损耗。
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公开(公告)号：CN108134665A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711384586.6
申请日：2017-12-20
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
CPC classification number: H04L9/0631 , H04L9/0863 , H04L9/0891 , H04L63/0428 , H04L67/12
Abstract: 本发明公开了一种面向IoT应用的8比特AES电路，属于保密或安全通信装置的技术领域。该电路包括：并行处理sbox运算和移位操作以及列混合运算的数据处理模块、并行处理sbox运算和字节循环移位操作以及异或运算的密钥扩展模块、控制模块、密钥加模块，数据处理模块和密钥扩展模块共用一个sbox核，采用寄存器到寄存器的方式实现移位操作，以较少的周期以及逻辑组合实现了高吞吐率的8比特AES电路。
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公开(公告)号：CN106959723A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710351210.9
申请日：2017-05-18
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G05F1/567
CPC classification number: G05F1/567
Abstract: 一种宽输入范围高电源抑制比的带隙基准电压源，包括电压预调节电路和带隙基准核电路，电压预调节电路产生一个低温漂、高电源抑制比的预调节电压Vreg对带隙基准核电路进行供电，带隙基准核电路包括启动电路、负温度系数电流ICTAT产生电路、正温度系数电流IPTAT产生电路和非线性电流INL产生电路，非线性电流INL产生电路用于补偿负温度系数电流ICTAT产生电路中的高阶温度分量，通过叠加电流ICTAT、IPTAT、INL并由电流‑电压转换电路得到近似零温度系数的基准电压Vref。
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公开(公告)号：CN119315976A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411383990.1
申请日：2024-09-30
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明公开了一种提升氮化镓半桥功率芯片可靠性的电平移位电路，包括脉冲产生电路、电平转换支路、噪声消除电路、负VS容差提升电路、锁存模块；噪声消除电路可以有效抑制dVS/dt噪声的影响，负VS容差提升电路可以提升电路对VS负电压的容差，保证输入信号可以准确地传入锁存模块进行输出，提高氮化镓半桥功率芯片的可靠性。
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