公开(公告)号：CN105827223B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201610098736.6

申请日：2016-02-23

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 孙伟锋 ,  张允武 ,  禹括 ,  祝靖 ,  徐申 ,  钱钦松 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H03K17/687 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种集成自举的高压驱动芯片及其工艺结构，巧妙地利用高压电平移位电路中通过集成工艺实现的寄生的高压二极管对自举电容进行充电，高压电平移位电路的电源端为高侧浮动电源VB，参考地为浮动电压PGD。PGD由自举控制电路进行控制，VB和PGD之间设有第一寄生二极管和第二寄生二极管，自举控制电路由高侧信号和低侧信号控制，当低侧输出信号LO为高电平且高侧输出信号HO为低电平，或者当低侧输出信号LO为低电平且高侧输出信号HO为低电平时，自举控制电路的输出PGD为高电平VCC，VCC通过第一寄生二极管和第二寄生二极管对外部自举电容进行单向充电。本发明充电速度快、充电效率高、电路结构简单、成本低。

公开(公告)号：CN106959723B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201710351210.9

申请日：2017-05-18

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 祝靖 ,  冷静 ,  禹括 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G05F1/567

Abstract: 一种宽输入范围高电源抑制比的带隙基准电压源，包括电压预调节电路和带隙基准核电路，电压预调节电路产生一个低温漂、高电源抑制比的预调节电压Vreg对带隙基准核电路进行供电，带隙基准核电路包括启动电路、负温度系数电流ICTAT产生电路、正温度系数电流IPTAT产生电路和非线性电流INL产生电路，非线性电流INL产生电路用于补偿负温度系数电流ICTAT产生电路中的高阶温度分量，通过叠加电流ICTAT、IPTAT、INL并由电流‑电压转换电路得到近似零温度系数的基准电压Vref。

公开(公告)号：CN105827223A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610098736.6

申请日：2016-02-23

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 孙伟锋 ,  张允武 ,  禹括 ,  祝靖 ,  徐申 ,  钱钦松 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H03K17/687 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  H03K17/687 ,  H01L29/7818

Abstract: 本发明公开了一种集成自举的高压驱动芯片及其工艺结构，巧妙地利用高压电平移位电路中通过集成工艺实现的寄生的高压二极管对自举电容进行充电，高压电平移位电路的电源端为高侧浮动电源VB，参考地为浮动电压PGD。PGD由自举控制电路进行控制，VB和PGD之间设有第一寄生二极管和第二寄生二极管，自举控制电路由高侧信号和低侧信号控制，当低侧输出信号LO为高电平且高侧输出信号HO为低电平，或者当低侧输出信号LO为低电平且高侧输出信号HO为低电平时，自举控制电路的输出PGD为高电平VCC，VCC通过第一寄生二极管和第二寄生二极管对外部自举电容进行单向充电。本发明充电速度快、充电效率高、电路结构简单、成本低。

公开(公告)号：CN106959723A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201710351210.9

申请日：2017-05-18

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 祝靖 ,  冷静 ,  禹括 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G05F1/567

CPC classification number: G05F1/567

Abstract: 一种宽输入范围高电源抑制比的带隙基准电压源，包括电压预调节电路和带隙基准核电路，电压预调节电路产生一个低温漂、高电源抑制比的预调节电压Vreg对带隙基准核电路进行供电，带隙基准核电路包括启动电路、负温度系数电流ICTAT产生电路、正温度系数电流IPTAT产生电路和非线性电流INL产生电路，非线性电流INL产生电路用于补偿负温度系数电流ICTAT产生电路中的高阶温度分量，通过叠加电流ICTAT、IPTAT、INL并由电流‑电压转换电路得到近似零温度系数的基准电压Vref。