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公开(公告)号：CN114823266A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210030989.5
申请日：2022-01-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够稳定地使等离子体点火的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置能够通过感应耦合在处理室内产生等离子体，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：以能够与所述处理室内连通的方式安装在所述处理室的壁上的VUV灯；设置在所述VUV灯与所述处理室之间的开闭门，其用于对所述VUV灯与所述处理室之间进行开关；和用于将所述开闭门和所述VUV灯之间的部分与所述处理室内连接的旁通管线。
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公开(公告)号：CN107527784A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710474908.X
申请日：2017-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种对矩形的被处理基板的外周侧的区域在周向上进行更加均匀的等离子体处理的技术。本发明的等离子体处理装置(1)利用形成于阴极电极(13)与矩形的阳极电极部(3)之间的处理气体的电容耦合等离子体(P)对矩形的被处理基板(G)实施等离子体处理。此时，阳极电极部(3)在径向上被分割成多个径向分割电极(34、33、32)，外周侧的径向分割电极(32)进一步被分割成角部侧的角部分割电极(32b)和边部侧的边部分割电极(32a)。在这些角部分割电极(32b)和边部分割电极(32a)中的至少一者接地端(104)侧设置有阻抗调整部(52、51)。
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公开(公告)号：CN103247510B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310047105.8
申请日：2013-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 通过以期望的处理分布进行感应耦合等离子体处理。利用具备高频天线的感应耦合等离子体处理装置，在不同的时间实施第一处理和第二处理，使得在处理结束的时刻对基板得到所期望的处理分布，其中，上述高频天线具有供给有高频电力而形成外侧感应电场的形成为螺旋状的外侧天线、和在外侧天线的内侧同心状地设置、供给有高频电力而形成内侧感应电场的形成为螺旋状的内侧天线，第一处理为使在内侧天线中流动相对较大的电流值的电流，利用在与内侧天线对应的部分形成的内侧感应电场生成局部的等离子体进行处理，第二处理为使在外侧天线中流动相对较大的电流值的电流，利用在与上述外侧天线对应的部分形成的外侧感应电场生成局部的等离子体进行处理。
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公开(公告)号：CN101848596B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201010141151.0
申请日：2010-03-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种电感耦合等离子处理装置的罩固定器具和罩固定装置。在电感耦合等离子处理装置中抑制覆盖窗构件的下表面的罩的破损和微粒的产生，而且能够容易地装卸罩。电感耦合等离子处理装置的电介体罩包括具有下表面以及与该下表面连续的侧端的被支承部。电介体罩固定器具包括：支承部，其与电介体罩的被支承部的下表面抵接，以被支承部夹在其与作为支承电介体壁的支承构件的支承梁和电介体壁中的至少一个之间的方式支承被支承部；被固定部，其与该支承部相连接，其一部分被配置在被支承部的侧端的侧方，以其与支承梁的位置关系不发生变化的方式被固定。
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公开(公告)号：CN102821534B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210189576.8
申请日：2012-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提供能够进行矩形基板的外侧区域的等离子分布控制的电感耦合等离子用天线单元。在天线单元（50）中，天线（13）的形成感应电场的部分整体构成与矩形基板（G）对应的矩形平面，并且，天线（13）具有将多条天线电线卷绕成漩涡状而成的第一天线部（13a）和第二天线部（13b），第一天线部（13a）的多条天线电线被设置成，形成矩形平面的四个角部、并且在与矩形平面不同的位置将四个角部结合起来，第二天线部（13b）的多条天线电线被设置成，形成矩形平面的四条边的中央部、并且在与矩形平面不同的位置将四条边的中央部结合起来。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101974735B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201010557565.1
申请日：2008-11-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/306 , H01L21/205 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种感应耦合等离子体处理装置和等离子体处理方法，该感应耦合等离子体处理装置能够不提高装置成本和电力成本地在等离子体处理的过程中进行等离子体状态的控制。在处理室(4)的上方，隔着电介质壁(2)配置有通过被供给高频电力在处理室(4)内形成感应电场的高频天线(13)，通过等离子体发光状态检测部(40)检测通过感应电场在所述处理室内形成的感应耦合等离子体的发光状态，根据该等离子体发光状态检测部(40)的检测信息，控制单元(50)控制调节包括高频天线的天线电路的特性的调节单元(21)，由此控制等离子体状态。
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公开(公告)号：CN103533739A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310390661.5
申请日：2010-03-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种电感耦合等离子处理装置的罩固定器具和罩固定装置。在电感耦合等离子处理装置中抑制覆盖窗构件的下表面的罩的破损和微粒的产生，而且能够容易地装卸罩。电感耦合等离子处理装置的电介体罩包括具有下表面以及与该下表面连续的侧端的被支承部。电介体罩固定器具包括：支承部，其与电介体罩的被支承部的下表面抵接，以被支承部夹在其与作为支承电介体壁的支承构件的支承梁和电介体壁中的至少一个之间的方式支承被支承部；被固定部，其与该支承部相连接，其一部分被配置在被支承部的侧端的侧方，以其与支承梁的位置关系不发生变化的方式被固定。
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公开(公告)号：CN102724803A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210201923.4
申请日：2009-05-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种即使对于大型基板，也能够得到均匀的等离子体分布的感应耦合等离子体处理装置。在处理室（4）的上方隔着电介质壁（2），具有高频天线（13），其包括，在处理室（4）内，主要在外侧部分形成感应电场的外侧天线部（13a）、主要在内侧部分形成感应电场的内侧天线部（13b）、和在它们中间部分形成感应电场的中间天线部（13c），在外侧天线部（13a）和中间天线部（13c）分别连接有控制感应耦合等离子体的等离子体密度分布的可变电容器（21a、21c）。各天线部，构成螺旋状的多重天线，而且，在其配置区域按照能够形成均匀电场的方式设定缠绕方法，按照在各天线部的配置区域间能够实现电场的均匀化的方式设定缠绕数目。
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公开(公告)号：CN101440484B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200810181115.X
申请日：2008-11-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种感应耦合等离子体处理装置和等离子体处理方法，该感应耦合等离子体处理装置能够不提高装置成本和电力成本地在等离子体处理的过程中进行等离子体状态的控制。在处理室(4)的上方，隔着电介质壁(2)配置有通过被供给高频电力在处理室(4)内形成感应电场的高频天线(13)，通过等离子体发光状态检测部(40)检测通过感应电场在所述处理室内形成的感应耦合等离子体的发光状态，根据该等离子体发光状态检测部(40)的检测信息，控制单元(50)控制调节包括高频天线的天线电路的特性的调节单元(21)，由此控制等离子体状态。
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公开(公告)号：CN102280338A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110154174.X
申请日：2011-06-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够抑制设置于电介质窗的内侧的电介质保护罩局部地削减而消耗，能够通过电介质保护罩的长寿命化实现生产性的提高的等离子体处理装置及其电介质窗结构。在配设于电介质窗的外侧的高频天线施加高频电力从而在处理空间产生电感耦合等离子体的等离子体处理装置，电介质窗具备：窗部件，其以夹装于处理空间与高频天线之间的方式被配设，并由电介质构成；梁部件，其用于支承窗部件；电介质保护罩，其覆盖窗部件的处理空间侧的面以及梁部件的处理空间侧的面，从而保护来自等离子体的腐蚀；以及低电容率电介质层，其至少设置于梁部件与电介质保护罩之间，且由具有比保护罩的电容率更低的电容率的材料形成。
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