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公开(公告)号：CN104931137B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510270265.8
申请日：2015-05-25
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹谐振腔型等离子芯片的制备方法，包括清洗硅基片、镀SiO2层、涂底、前烘、对准曝光和显影、后烘、腐蚀、去除光刻胶涂层、镀金属膜九个步骤，既简化了在硅材料中加工周期结构的加工工艺，更有利于实现批量生产，又解决了传统的交替往复式硅刻蚀工艺，大大提高了结构的光滑平整性。依据此方法制备的太赫兹谐振腔型等离子芯片创造性的在做好结构的硅材料上镀上了一层金属膜，使得整个结构可等效为金属等离子微结构太赫兹芯片，解决了硅材料不能激发太赫兹表面波的难题。
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公开(公告)号：CN105467498A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201610005225.5
申请日：2016-01-05
Applicant: 上海理工大学
IPC: G02B5/30
CPC classification number: G02B5/3033
Abstract: 本发明涉及一种超薄的反射式宽频太赫兹波偏振转换器，具有单个周期结构，包括一个薄膜衬底以及用于调节反射光在两个垂直偏振分量上的相位差和振幅的双矩形金属阵列层，薄膜衬底前表面上通过光刻工艺和磁控溅射法镀膜方法制得周期排列的双矩形金属阵列层，周期排列的双矩形金属阵列结构的一个周期由两个尺寸不同的矩形组成，通过改变两个尺寸不同的矩形的长、宽和单个周期结构的长、宽以及薄膜衬底的厚度来调节反射光的偏振态。本发明与传统的偏振转换器相比较，具有转换频率宽，转换效率高，超薄等优点；偏振转换器结构简单，取材广泛，便于加工，适用范围广，并可根据实际应用场合及要求，通过结构参数的调整来实现转换频段、转换频宽的调节。
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公开(公告)号：CN105223163A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510635153.8
申请日：2015-09-30
Applicant: 上海理工大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本发明涉及一种基于古依相移π反转检测物体精细结构的装置，通过设计迈克尔逊干涉仪的一路光（即参考光束）为平面光，一路光（即泵浦光束）为聚焦光，根据古依相移，两者的相位相差正好为π，相互会合干涉时信号相干相消为背景基底。背景信号采集完后，再将待测样品固定在三维电机上，调节三维电机上下左右在第二聚焦透镜焦平面范围内移动待测样品的位置，利用不同精细结构导致返回光的相位不同来调节最后两路光相互干涉的结果。根据测得的两维光波信号强度推算，得出待测样品表面或者内部的精细结构。该装置简单易操作，成本低，应用范围广。
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公开(公告)号：CN104730026A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510143610.1
申请日：2015-03-30
Applicant: 上海理工大学
IPC: G01N21/3586
Abstract: 本发明涉及一种基于太赫兹波的气体检测识别分类系统，通过太赫兹波气体检测装置使太赫兹波与气体分子在密闭的腔内产生共振作用，气体原子周围的电子被激发产生跃迁，造成了分子的转动和振动，得到特征吸收峰，检测气体原子\分子的吸收谱线，并利用启发式算法对检测气体谱线进行准确识别，系统中采用了密闭腔、真空泵、压强监测装置以及启发式算法，使得太赫兹波与腔内气体可以在不同的压强条件下相互作用，并通过进一步的分类达到预测未知气体的功能，具有装置简单，操作容易，应用范围广的优点。
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公开(公告)号：CN103278886B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310210216.6
申请日：2013-05-30
Applicant: 上海理工大学
IPC: G02B6/24
Abstract: 一种太赫兹双波长环路耦合器，其特征在于，具有：复数个传递单元和基体，其中，传递单元分为用于传输第一电磁波的第一传递单元和用于传输第二电磁波的第二传递单元，传递单元排列成为两个轮廓线为光滑的开放曲线的开放区域和一个轮廓线为光滑的闭合曲线的环路区域，环路区域分为由第一传递单元组成的和由第二传递单元组成的两部分，开放区域由第一传递单元与第二传递单元相间排列组成，开放区域也可以一个由第二传递单元组成的部分与第一传递单元与第二传递单元相间排列的部分构成，另一个由第一传递单元与第二传递单元相间排列的部分和第一传递单元组成的部分构成，在同一区域内，相邻的传递单元之间的距离为固定值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102496835B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201110428386.2
申请日：2011-12-20
Applicant: 上海理工大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 一种超纯本征砷化镓材料的m-i-n二极管太赫兹超宽频辐射源，包括七层，自上而下依次为：上电极层、NiCr或半透明导电膜层、超纯本征砷化镓层、掺杂硅的n型砷化镓缓冲层、砷化镓基底、In或者AuGeNi的合金层、下电极层；每层紧密相连；上电极层有一个窗口，上、下电极层采用金或者良导体金属材料，并与外接电源连接，飞秒激光器发射的飞秒激光脉冲通过窗口照射到超纯本征砷化镓层中，同时太赫兹电磁波从超纯本征砷化镓层中通过窗口辐射出来。本发明结构简单，使用方便，不但得到了频谱宽度大于4太赫兹、脉冲宽度约1皮秒的太赫兹电磁波，而且通过增加光电导偶极芯片两电极之间的外加电压，可以调控所辐射太赫兹电磁场的强度。
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公开(公告)号：CN102361039B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201110338693.1
申请日：2011-10-31
Applicant: 上海理工大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种基于透明导电层的黑硅太阳能电池的制备方法，结构层自下而上依次为：银抗氧化层、铝导电层、P型硅层、黑硅吸收层和ITO透明导电层，其中铝导电层为太阳能电池的正极，ITO透明导电层为太阳能电池的负极。制备方法：先对对P型硅层清洗；采用直流溅射法在P型硅层的一面制备铝导电层；采用离子束溅射的方法，在铝导电层下方制备银抗氧化层；将制成的样品置于密封腔内，在P型硅层未镀膜的一面用飞秒激光器加工出黑硅吸收层；再将样品置于管式气氛炉中进行退火；最后在黑硅吸收层上方采用离子束溅射方法制备ITO透明导电层。本发明可有效减少黑硅吸收层表面能量转移损耗，大幅提升黑硅太阳能电池的能量转换效率。
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公开(公告)号：CN103257141A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310156306.1
申请日：2013-05-02
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明涉及一种同步监测泵浦光斑与样品表面微结构的装置及调整方法，包括激光光源，隔离器，透镜，旋转底座，分束片，衰减片，CCD图像传感器，样品台，二维步进电机，第一反射镜，第二反射镜，第三反射镜，光垃圾桶；分束片固定在旋转底座上，样品台固定在二维电机上；激光光源发出的激光沿水平方向依次经过隔离器、透镜、分束片聚焦样品台上，分束片下方，与激光垂直方向依次排衰减片和CCD图像传感器，经分束片反射激光垂直向上依次经过第一反射镜、第二反射镜、第三反射镜后光反射回样品背面，光垃圾桶为移动件，用于遮挡光路。通过移动光垃圾桶和调整分束片方向，实现泵浦光斑与反射及透射型样品表面微结构的监测，构成简单，容易操作。
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公开(公告)号：CN102897001A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210382729.0
申请日：2012-10-10
Applicant: 上海理工大学
IPC: B60H1/24 , B60R16/033
CPC classification number: Y02T10/88
Abstract: 本发明涉及汽车设备领域，具体涉及一种太阳能换气系统。基于太阳能供电的汽车换气系统，包括一外壳、一汽车换气系统，还包括一太阳能蓄电系统，所述太阳能蓄电系统连接所述汽车换气系统的电源端。由于采用以上技术方案，本发明环保节能、结构简单、制作成本低，降温通风效果佳，并在汽车燃油不足时，能够提供必要的能源。
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公开(公告)号：CN102564996A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210001579.4
申请日：2012-01-05
Applicant: 上海理工大学 , 上海高晶影像科技有限公司 , 上海市分析测试协会
IPC: G01N21/35
Abstract: 一种地沟油检测系统，在飞秒激光器出射口设置半反半透分束镜，将脉冲激光分成泵浦光光路和探测光光路；泵浦光光路依次连接光斩波器、第一衰减片、第一反射镜、第二反射镜、第一聚焦透镜、砷化镓光电导天线，在第二和第三抛物面镜的共焦点上设置样品盒；在探测光光路上，依次有第二准直透镜、半波片、光路延迟器件、第三反射镜、偏振片和高阻硅反射镜，经电光晶体取样后的飞秒激光经由四分之一波片、第三聚焦透镜，第四反射镜、第四聚焦透镜、沃尔斯通棱镜、第二和第三衰减片，对准于光电探测器上进行探测，记录由于太赫兹电磁波引起的电压幅值的变化，从而得到包含地沟油信息的时域太赫兹信号。本发明检测过程简单、高效迅速，检测结果准确。
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