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公开(公告)号：CN113013252B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110191415.1
申请日：2021-02-19
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L29/423 , H02N1/04
Abstract: 本发明提供了一种突触晶体管及其制备方法，属于突触晶体管技术领域。本发明提供了一种突触晶体管，包括自下而上依次设置的有源层、绝缘层、栅极、易失电子层、感应电极1、易得电子层、感应电极2和基板；所述有源层为长方体；所述绝缘层包覆于所述有源层顶面的中部和两个相对侧面的中部；所述栅极包覆于所述绝缘层的表面；所述有源层顶面的两端未包覆绝缘层的部分分别设有漏电极和源电极；所述栅极的上表面依次接触设置易失电子层和感应电极1；所述基板的下表面依次接触设置感应电极2和易得电子层；所述栅极和基板之间垂直设置有支撑柱，使易得电子层与感应电极1之间形成空隙。
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公开(公告)号：CN111610234B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010644636.5
申请日：2020-07-07
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及气体传感器技术领域，尤其涉及一种场效应晶体管丙酮气体传感器及其制备方法。本发明提供的场效应晶体管丙酮气体传感器，包括依次层叠设置的绝缘衬底、栅电极层、栅电极绝缘层、有源层和电极层；所述电极层包括源电极和漏电极；所述有源层的材料为异质结结构的n‑In2O3/p‑CuO复合金属氧化物纳米纤维。本发明采用常见的半导体材料In2O3和CuO，使所述气体传感器具有良好的电导率和物理化学稳定性；所述气体传感器采用In2O3和CuO构建异质结结构，增加了气体催化活性，有利于提高气体传感器的传感性能，促进实用化；所述气体传感器以纳米纤维场效应晶体管为平台，功耗低，敏感性高。
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公开(公告)号：CN111682077A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010609257.2
申请日：2020-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/34 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种突触晶体管及其制备方法，所述突触晶体管从外到里依次包括：带有凹槽的凹字形的栅极层和带有凹槽的凹字形的绝缘层和有源层；所述绝缘层设置在所述栅极层的凹槽内，所述有源层设置在所述绝缘层的凹槽内；所述有源层上设置有源电极和漏电极。本发明采用带有凹槽的凹字形的栅极层和带有凹槽的凹字形的绝缘层，通过栅极对导电沟道成半包围结构，使栅极可以从三个方向对导电沟道进行控制，克服了晶体管栅极只能在一个方向上控制沟道电流，栅极对导电沟道的控制能力不强的技术缺陷，极大地提升了栅极对沟道电流的控制能力，提高突触晶体管的性能，实现了在保证性能的同时缩小特征尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106252394B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201610754922.0
申请日：2016-08-30
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种具有成分缓变有源层结构的氧化物薄膜的场效应晶体管器件及其制备方法，属于薄膜晶体管器件技术领域。缓变结构氧化物有源层所采用结构为：ZnSnO/ZnSnO:X%HfO2/ZnSnO:Y%HfO2其中（X
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公开(公告)号：CN105973548B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201610296409.1
申请日：2016-05-07
Applicant: 上海大学
IPC: G01M3/40
Abstract: 本发明公开了一种基于活泼金属电学法的水汽透过率测试夹具，包括夹具盖和夹具座，所述夹具座外部开设有外螺纹，内部设置有测试腔，所述测试腔内设置有用于放置封装器件的绝缘卡槽，所述绝缘卡槽开设有通孔，所述通孔用于放置测试探针，与所述封装器件的测试电极相接触，所述夹具盖内部开设有与夹具座开设的外螺纹相对应的内螺纹。在基于活泼金属（钙、镁等）电学法测量水汽透过率的过程中，采用本发明对封装器件进行夹紧后再开始测量，能够有效得提高测量结果的准确性与测试过程的稳定性，并且本发明能够适应多种不同规格的封装器件的测量，具有测试效率高、制造成本低、且易于操作等特点。
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公开(公告)号：CN105742172A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610225855.3
申请日：2016-04-13
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/283 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78606 , H01L21/283 , H01L29/66742
Abstract: 本发明公开了一种具有正电荷阻挡层的金属氧化物薄膜晶管器件及其制备方法，依次由基板、栅极、绝缘层、金属氧化物半导体有源层、源极、漏极、钝化层构成底栅结构，并在金属氧化物半导体有源层中间沉积一层厚度为0.5～5nm的正电荷阻挡层，形成复合有源功能层。在本发明薄膜晶管器件的各结构中，采用正电荷阻挡层能有效地抑制在光照偏压下空穴向绝缘层/有源层界面处移动，提升薄膜晶体管器件的稳定性，同时使得金属氧化物薄膜晶体管的迁移率不受影响。这种结构容易实现且制备方法简单，同时还能有效地避免氧化物薄膜在刻蚀过程中造成的损伤。适用于大面积制备，可在基于氧化物薄膜晶体管的平板显示器件中获得广泛应用。
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公开(公告)号：CN104596906A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510025295.2
申请日：2015-01-16
Applicant: 上海大学
IPC: G01N15/08
Abstract: 本发明涉及一种多测量头的水氧透气率测量系统，包括一个公共腔，所述公共腔是由上基板，下基板和边桶构成的一个密闭空间，工作时充以高纯惰性气体；在公共腔的上基板上固定有多个与上基板中心等距的测量探头腔，在公共腔体的下基板的中心固定有一个共用的真空蒸发腔；在每一个测量探头腔下有一个与之对接的移动腔，所述移动腔内装有一个蒸镀有活泼金属膜的石英晶振片，所述石英晶振片的上下电极经电线穿过移动腔的移动腔体和公共腔的边桶连接到振荡器形成振荡信号，通过各自的电子开关再转接到膜厚测量仪，所述膜厚测量仪连接计算机。在本发明中提供了多测量头可以同时测量多个样品大大提高了仪器的利用率。
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公开(公告)号：CN103446773A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310392950.9
申请日：2013-09-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种传送带式可蒸发材料提纯装置。包括一个带有一个进料系统和多个出料系统的真空腔体，所述真空腔体内装又多个传送带式提纯单元，每个传送带式提纯单元有上下成对叠置安装的两个传送带系统，其中下传送带系统为蒸发传送带系统，上传送带系统为收集传送带系统，本发明的传送带式提纯装置提供的原料瓶由于在真空腔体外因此在原材料用完后可以通过关断真空阀门的情况下通过真空接头进行更换，当然在更换后还需要对原料瓶部分进行局部的抽空，本发明的传送带式提纯装置提供的低温料瓶、剩余料瓶、高纯料瓶都在真空腔体外，因此当这些料瓶装满后可以通过关断真空阀门的情况下的真空接头处进行更换。
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