公开(公告)号：CN116625419A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310625449.6

申请日：2023-05-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 董艳华 ,  王婉玥 ,  王廷云 ,  黄怿 ,  黄彩红 ,  陈美 ,  文建湘

IPC: G01D5/353

Abstract: 本发明属于光纤传感技术领域，具体涉及一种基于Sagnac辅助参考干涉仪的光纤低频弱磁探测传感系统。传感系统中激光器输出光强通过1×2耦合器分为两路光信号，两路光信号经过具有相同光程差、载波调制的参考干涉仪和传感干涉仪，干涉仪基于高灵敏度、高稳定、低偏振噪声的直线型Sagnac结构，在外界环境相同的情况下，仅传感干涉仪受到低频弱磁场调制，根据辅助参考干涉原理，可降低系统低频本底噪声，实现低频弱磁探测。本发明在系统结构上具有低频降噪、结构简单、稳定性强、灵敏度高等优势，可广泛应用于干涉型光纤低频弱信号传感。

公开(公告)号：CN116500720A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310290976.6

申请日：2023-03-23

Applicant: 上海大学

Inventor： 王廷云 ,  文建湘 ,  陈艳 ,  王伟琪 ,  董艳华

IPC: G02B6/02 ,  C03B37/018

Abstract: 本发明公开了一种在O+E波段具有宽带宽和高增益的光纤及其调控方法，包括纤芯和包层(0)，纤芯由外向内包括第一疏松层(1)、第一芯层(2)、第二疏松层(3)、第二芯层(4)和内纤芯(5)，第一疏松层(1)、第二疏松层(3)由掺杂高折射率GeO2和P2O5的石英材料构成，第一芯层(2)和第二芯层(4)中按照顺序掺杂Al2O3、氧化铋和PbO；通过调控Al2O3、氧化铋和PbO的掺杂摩尔比调控光纤的增益性能。本共掺石英光纤在1260～1460nm波段内光纤增益均大于15dB，尤其在1420nm处增益可达到20dB以上。光纤结构简单，掺杂浓度均匀可控，可广泛应用于有源光纤放大器、高阶涡旋光放大器、光纤激光器、光纤传感器等领域。

公开(公告)号：CN115728864A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211493010.4

申请日：2022-11-25

Applicant: 上海大学

Inventor： 陈伟 ,  许青向 ,  王廷云 ,  黄素娟 ,  张小贝 ,  庞拂飞 ,  文建湘 ,  董艳华 ,  李萍 ,  洪祎 ,  彭剑傲 ,  张颖 ,  王洋

IPC: G02B6/032 ,  G02B6/02

Abstract: 本发明属于光纤通信技术领域，具体涉及一种太赫兹反谐振空芯光纤。所述太赫兹反谐振空芯光纤，包括空气纤芯、内包层和外包层；所述内包层包括若干环绕所述空气纤芯设置的内包层单元，所述内包层单元包括椭圆形包层管和圆形嵌套管；所述椭圆形包层管的短轴方向指向所述空气纤芯；所述圆形嵌套管的圆心位于椭圆形包层管的短轴上；所述外包层包括外包层套管和涂覆层；所述外包层套管的内壁与所述椭圆形包层管相切。本发明光纤可以用于传输太赫兹波，达到低损耗传输，延长太赫兹波的传输距离，该光纤在传输过程中具有低损耗、单模传输及传输带宽宽等优点，适合替代空间太赫兹波传输进行长距离传输。

公开(公告)号：CN114167542A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202110608432.0

申请日：2021-06-01

Applicant: 上海大学

Inventor： 文建湘 ,  万英 ,  陈子睿 ,  王廷云 ,  庞拂飞

IPC: G02B6/02 ,  G02B6/032 ,  H01S3/067

Abstract: 本发明公开了一种超低噪声系数有源光纤，由外向内依次包括：外层结构、内层结构和空心区域，所述空心区域中布置有微毛细管；内层结构的内表面或外表面有掺杂区。在制备过程中，通过在内套管内侧或外侧掺杂稀土离子，有效的降低光纤放大器或者光纤激光器中的噪声系数，从而使光‑光转换效率提高，并实现高阶模式输出。与实芯有源光纤相比，具有低传输损耗、噪声系数低、抗辐射、传输性能易调节的优点。用该光纤作为增益介质组成的激光器和放大器相比于常规的实芯增益光纤组成的激光器和放大器而言，具有转换效率高、稳定性高、线宽窄以及单色性好等优势，同时有一定克服极端环境的能力。

公开(公告)号：CN111090142B

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202010073619.0

申请日：2020-01-22

Applicant: 上海大学

Inventor： 文建湘 ,  蔡奇招 ,  王廷云 ,  董艳华 ,  陈振宜

IPC: G02B6/02 ,  G02B6/036 ,  C03B37/018

Abstract: 本发明涉及一种基于高温掺杂改进化学气相沉积法（MCVD）和原子层沉积技术（ALD）结合，MCVD工艺与液相掺杂工艺结合，MCVD工艺与高温蒸发掺杂工艺结合或MCVD工艺与外部气相沉积（OVD）结合的Bi/Er/La/Al共掺L波段(1565‑1625nm)或C+L波段(1530nm‑1625nm)石英光纤及其制备方法，属于光纤技术领域。所述光纤由纤芯、内包层和包层组成，其特征在于所述纤芯由GeO2材料构成，内包层由Bi/Er/La/Al共掺材料，包层由纯石英构成。利用高温掺杂MCVD和ALD技术交替沉积不同掺杂离子，沉积浓度为0.01~15.0mol%，或MCVD工艺与液相掺杂结合工艺，或MCVD工艺与外部气相沉积（OVD）结合。本发明的光纤具有掺杂浓度可控，掺杂组分均匀，荧光强度强，增益谱宽，增益高等优点，在宽带光纤通信传输与光放大及光传感领域等有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN113568244A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110806275.4

申请日：2021-07-16

Applicant: 上海大学

Inventor： 王廷云 ,  潘香萍 ,  董艳华 ,  文建湘 ,  陈秀秀 ,  黄怿 ,  张小贝

IPC: G02F1/39 ,  G02B6/02 ,  C03B37/018

Abstract: 本发明公开了一种半导体量子点和稀土共掺石英放大光纤及其制备方法，光纤包括纤芯和包层，纤芯包括外层的二氧化硅疏松层和中部的掺杂层，掺杂层中掺杂PbS量子点、稀土氧化物和金属氧化物。本发明利用热原子层沉积(T‑ALD)技术的优势或等离子体增强原子层沉积(PE‑ALD)技术的优势，将半导体量子点、稀土氧化铒材料与光纤制备相结合，在稀土石英放大光纤中掺入一定浓度的半导体量子点，可以解决稀土掺杂光纤放大增益带宽受限，噪声系数大等关键科学问题，会使其发光强度显著增强，在超宽谱，高增益，低损耗，低噪声石英光纤放大器领域具有应用潜力。

公开(公告)号：CN111308829A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010279664.1

申请日：2020-04-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 董艳华 ,  赵阳阳 ,  苏采芸 ,  王廷云 ,  文建湘 ,  黄怿 ,  张小贝 ,  商娅娜 ,  庞拂飞

IPC: G02F1/39 ,  C03C25/465 ,  C03C25/42 ,  C03B37/025

Abstract: 本发明涉及一种PbS/SiO2共掺纳米集成锥形光纤放大器及其制备方法，属于光纤技术和纳米材料制备技术领域。该纳米集成锥形光纤放大器由锥型光纤和光纤表面利用原子层沉积技术制备的PbS/SiO2共掺纳米薄膜组成，通过渐逝波原理实现光纤放大效果。所述纳米薄膜由交替沉积的PbS和SiO2纳米材料构成，薄膜厚度可达μm级别。本发明中的SiO2能够有效改善PbS颗粒表面缺陷结构，提高稳定性与分散性，从而提高发光效率，还可降低纳米半导体薄膜的折射率。所制备的PbS/SiO2共掺纳米薄膜具有分散性高、高掺杂浓度、损耗低、发光效率高、稳定性强等优点。可实现结构简单、价位低廉、易于产业化生产的高增益光纤放大器。

公开(公告)号：CN110187432A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910365060.6

申请日：2019-04-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 文建湘 ,  刘正 ,  王廷云 ,  董艳华 ,  庞拂飞 ,  赵子文 ,  陈振宜

IPC: G02B6/02 ,  C03B37/10 ,  C03B37/027

Abstract: 本发明公开了一种有源微晶光纤的制备方法及装置，将预制棒放置于拉丝炉中进行拉丝，拉制出的光纤在未涂覆状态下引入磁场诱导作用并结合激光处理技术，激光光束经过聚焦整形作用在光纤上，经激光处理再结晶后获得有源微晶光纤。合适的激光处理功率直接影响着硅酸盐玻璃光纤中晶体结构、种类、结晶度、晶粒尺寸、含量和玻璃残余相的多少。外加磁场诱导，改变了结晶过程的热力学与动力学，使得到的晶体粒度分布更佳均匀，减小了凝聚现象，使得晶粒尺寸更小。

公开(公告)号：CN103901545B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410107217.2

申请日：2014-03-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 郭强 ,  黄怿 ,  王朴朴 ,  陈莉 ,  华阳 ,  商娅娜 ,  文建湘 ,  王廷云

IPC: G02B6/32

Abstract: 本发明述及一种透镜自耦合型光纤适配器，包括一个耦合透镜组、一个透镜套筒、一个粗纤芯法兰、一个细纤芯法兰、一个粗纤芯限位管和一个细纤芯限位管；所述耦合透镜组通过胶结方式封装在透镜套筒内部；所述粗纤芯法兰和细纤芯法兰的中心孔均为具有内台阶的中心孔，所述粗纤芯法兰和细纤芯法兰的内台阶的中心孔对接，将所述透镜套筒滑配固定，通过螺钉紧固或胶结方式封装，所述粗纤芯限位管固定在所述粗纤芯法兰的中心孔处，所述细纤芯限位管固定在所述细纤芯法兰的中心孔处。本发明可用于芯径不匹配光纤之间的光耦合，采用由多片光学透镜组成的光路系统进行扩束或缩束光耦合，适用于不同芯径光纤跳线的接插连接。

公开(公告)号：CN105467511A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510941655.3

申请日：2015-12-16

Applicant: 上海大学

Inventor： 文建湘 ,  王廷云 ,  董艳华 ,  王杰 ,  庞拂飞 ,  陈振宜 ,  郭强

IPC: G02B6/02 ,  C03B37/014 ,  C03B37/018

CPC classification number: G02B6/02395 ,  C03B37/014 ,  C03B37/018

Abstract: 本发明涉及一种基于原子层沉积技术（ALD）的具有超宽带、高增益特性的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法，属光纤技术领域。它由纤芯，内包层和包层组成，其特征在于所述纤芯由GeO2材料构成，内包层由Bi/Er或Bi/Er/Al共掺材料构成，包层由纯石英构成，两种光纤结构如图1(a)所示，纤芯直径Φ=5~20μm，内包层直径Φ=8~50μm，包层直径Φ=40~400μm；如图1（b）所示，纤芯直径Φ=5~80μm，包层直径Φ=60~400μm。利用ALD技术交替沉积不同掺杂离子，沉积浓度为0.01-10mol%。本发明的光纤结构简单、合理，具有均匀分布与掺杂浓度可控等优点。