公开(公告)号：CN111090142B

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202010073619.0

申请日：2020-01-22

Applicant: 上海大学

Inventor： 文建湘 ,  蔡奇招 ,  王廷云 ,  董艳华 ,  陈振宜

IPC: G02B6/02 ,  G02B6/036 ,  C03B37/018

Abstract: 本发明涉及一种基于高温掺杂改进化学气相沉积法（MCVD）和原子层沉积技术（ALD）结合，MCVD工艺与液相掺杂工艺结合，MCVD工艺与高温蒸发掺杂工艺结合或MCVD工艺与外部气相沉积（OVD）结合的Bi/Er/La/Al共掺L波段(1565‑1625nm)或C+L波段(1530nm‑1625nm)石英光纤及其制备方法，属于光纤技术领域。所述光纤由纤芯、内包层和包层组成，其特征在于所述纤芯由GeO2材料构成，内包层由Bi/Er/La/Al共掺材料，包层由纯石英构成。利用高温掺杂MCVD和ALD技术交替沉积不同掺杂离子，沉积浓度为0.01~15.0mol%，或MCVD工艺与液相掺杂结合工艺，或MCVD工艺与外部气相沉积（OVD）结合。本发明的光纤具有掺杂浓度可控，掺杂组分均匀，荧光强度强，增益谱宽，增益高等优点，在宽带光纤通信传输与光放大及光传感领域等有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN111090142A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN202010073619.0

申请日：2020-01-22

Applicant: 上海大学

Inventor： 文建湘 ,  蔡奇招 ,  王廷云 ,  董艳华 ,  陈振宜

IPC: G02B6/02 ,  G02B6/036 ,  C03B37/018

Abstract: 本发明涉及一种基于高温掺杂改进化学气相沉积法（MCVD）和原子层沉积技术（ALD）结合，MCVD工艺与液相掺杂工艺结合，MCVD工艺与高温蒸发掺杂工艺结合或MCVD工艺与外部气相沉积（OVD）结合的Bi/Er/La/Al共掺L波段(1565-1625nm)或C+L波段(1530nm-1625nm)石英光纤及其制备方法，属于光纤技术领域。所述光纤由纤芯、内包层和包层组成，其特征在于所述纤芯由GeO2材料构成，内包层由Bi/Er/La/Al共掺材料，包层由纯石英构成。利用高温掺杂MCVD和ALD技术交替沉积不同掺杂离子，沉积浓度为0.01~15.0mol%，或MCVD工艺与液相掺杂结合工艺，或MCVD工艺与外部气相沉积（OVD）结合。本发明的光纤具有掺杂浓度可控，掺杂组分均匀，荧光强度强，增益谱宽，增益高等优点，在宽带光纤通信传输与光放大及光传感领域等有广泛的应用前景。