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公开(公告)号:CN111308829A
公开(公告)日:2020-06-19
申请号:CN202010279664.1
申请日:2020-04-10
Applicant: 上海大学
IPC: G02F1/39 , C03C25/465 , C03C25/42 , C03B37/025
Abstract: 本发明涉及一种PbS/SiO2共掺纳米集成锥形光纤放大器及其制备方法,属于光纤技术和纳米材料制备技术领域。该纳米集成锥形光纤放大器由锥型光纤和光纤表面利用原子层沉积技术制备的PbS/SiO2共掺纳米薄膜组成,通过渐逝波原理实现光纤放大效果。所述纳米薄膜由交替沉积的PbS和SiO2纳米材料构成,薄膜厚度可达μm级别。本发明中的SiO2能够有效改善PbS颗粒表面缺陷结构,提高稳定性与分散性,从而提高发光效率,还可降低纳米半导体薄膜的折射率。所制备的PbS/SiO2共掺纳米薄膜具有分散性高、高掺杂浓度、损耗低、发光效率高、稳定性强等优点。可实现结构简单、价位低廉、易于产业化生产的高增益光纤放大器。
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公开(公告)号:CN111471979A
公开(公告)日:2020-07-31
申请号:CN202010279847.3
申请日:2020-04-10
Applicant: 上海大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/455 , H01S3/067 , G02B6/02
Abstract: 本发明涉及一种PbS/PbSe核壳结构纳米薄膜及集成锥形光纤放大器,属于光纤技术和纳米材料制备技术领域。该纳米集成锥形光纤放大器由锥型光纤和光纤表面利用原子层沉积技术制备的PbS/PbSe核壳结构纳米薄膜组成,通过渐逝波原理实现光纤放大效果。所述纳米薄膜由核壳结构PbS/PbSe纳米材料组成,所述的核壳结构PbS/PbSe纳米材料包括PbS内核和包覆于所述PbS内核表面的PbSe外壳。本发明结合了PbS和PbSe纳米材料的发光特性,通过控制内核和外壳的沉积厚度精确调整发光波段,提高发光效率;PbSe外壳能够有效改善内核表面缺陷结构,提高内核的稳定性与分散性。所制备的核壳结构PbS/PbSe纳米半导体具有发光效率高、带宽精确可控、分散性高、掺杂浓度可控、损耗低、稳定性强等优点。
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