公开(公告)号：CN1526807A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200410005492.X

申请日：2004-02-19

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 松永裕嗣 ,  大户秀 ,  山田健二 ,  清水英贵 ,  津金贤 ,  小国诚基 ,  木村善哉

IPC: C11D7/26 ,  H05K3/26

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/042 ,  C11D3/046 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3723 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明提供了能在短时间内将半导体基板上的蚀刻残渣完全除去，且不会将铜配线材料和绝缘膜材料等氧化或腐蚀，而且安全且对环境压力小的洗涤液。本发明涉及(1)半导体基体用洗涤液，其特征在于：含有氧化剂、酸及氟化合物，添加碱性化合物使pH调整为3～10，且水的浓度为80重量％以上；(2)半导体基体用洗涤液，其特征在于：含有氧化剂、酸、氟化合物及腐蚀抑制剂，通过添加碱性化合物使pH调整为3～10，且水的浓度为80重量％以上；及实施了金属配线的半导体基体的洗涤方法，其特征在于：使用前述的洗涤液。