公开(公告)号：CN100382304C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200510009366.6

申请日：2005-02-17

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  株式会社东芝 ,  富士通株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 龟山工次郎 ,  铃木彰 ,  冈山芳央 ,  梅本光雄 ,  高桥健司 ,  寺尾博 ,  星野雅孝

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，提高可靠性。本发明的半导体装置包括：支承板(5)，其粘接在所述半导体衬底(1)的表面上，使其覆盖介由由氧化硅膜或氮化硅膜等构成的绝缘层(2)形成在半导体衬底(1)上的焊盘电极(3)；通孔(8)，其从所述半导体衬底(1)的背面到达所述焊盘电极(3)的表面，其中，靠近所述焊盘电极表面的部分的开口直径大于靠近所述半导体衬底(1)背面的部分的开口直径。

公开(公告)号：CN1992151A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610064213.6

申请日：2006-12-28

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 龟山工次郎 ,  铃木彰 ,  及川贵弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2224/16145

Abstract: 一种半导体装置的制造方法。在使用支承体的半导体装置的制造方法中，不使制造工序复杂化，而谋求提高可靠性和成品率。以抗蚀剂层或保护层(20)作为掩模顺序蚀刻除去第二绝缘膜(9)、半导体基板(1)、第一绝缘膜(2)和钝化膜(4)。通过该蚀刻粘接层(5)在该开口部(21)内一部分露出。在此时多个半导体装置分割成各个半导体芯片。接着，如图10所示，通过开口部(21)对露出的粘接层(5)供给溶解剂(25)(例如酒精或丙酮)，通过使粘接力逐渐降低，从半导体基板(1)剥离除去支承体(6)。

公开(公告)号：CN1905175A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610110017.8

申请日：2006-07-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 铃木彰 ,  三坂荣一

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种确保高的成品率且可靠性高的半导体装置及其制造方法。在半导体基板(1)的表面形成凹部(5)，在绝缘性基板(6)(玻璃等)上形成与该凹部(5)对应的凸部(7)。然后，使凹部(5)与凸部(7)嵌合，经由粘接层(8)而将半导体基板(1)与绝缘性基板(7)接合。对半导体基板(1)的背面进行背部研磨，露出凸部(7)，然后进行形成通孔(10)、形成贯通电极(14)、形成导电端子(18)以及切割等工序。此时，半导体基板(1)的表面及侧面被绝缘性基板(6)覆盖(保护)。另外，凸部(7)具有规定的宽度，切割在凸部(7)的中点附近进行。

公开(公告)号：CN1244153C

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN02103206.8

申请日：2002-01-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 谷口敏光 ,  森真也 ,  石部真三 ,  铃木彰

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/0922

Abstract: 本发明的课题是减少微细晶体管与高耐压晶体管的线宽离散性。在以P型的半导体衬底(1)上的台阶差部为边界形成了P型阱(2)和N型阱(3)的结构中，其特征在于：在台阶差的低的部分处形成的上述P型阱(2)上形成了具有第1线宽的第1晶体管(微细晶体管)，在台阶差的高的部分处形成的上述N型阱(3)上形成了具有比第1晶体管的线宽粗的第2线宽的第2晶体管(高耐压晶体管)。

公开(公告)号：CN1658385A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200510009350.5

申请日：2005-02-17

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 龟山工次郎 ,  铃木彰 ,  冈山芳央

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，可在抑制蚀刻工序增加的同时，最大限度地抑制半导体装置的电气特性的劣化。本发明的半导体装置在半导体衬底(10)的表面形成层积第一阻挡层(12)和铝层而构成的焊盘电极层14。另外，在半导体衬底(10)的表面粘接支承衬底(16)。在半导体衬底(10)的背面、及从半导体衬底10的背面到第一阻挡层(12)的通孔(18)内形成第二阻挡层(19)。进而完全或不完全埋入通孔(18)内而形成再配线层(21)。在再配线层(21)上形成球状端子(22)。

公开(公告)号：CN1591789A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410006626.X

申请日：2004-02-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 铃木彰 ,  野间崇 ,  篠木裕之 ,  高尾幸弘 ,  石部真三 ,  大塚茂树 ,  山口惠一

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/482 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 一种半导体装置的制造方法。其在形成有第一配线(3)的半导体晶片(1a)的表面上介由树脂(5)粘接成为支撑板的玻璃基板(4)。背研磨与粘接有该基板(4)的面相对的面，使半导体晶片(1a)的厚度变薄。这时，为除去由背研磨处理产生的划痕带来的半导体晶片(1a)面内的凹凸进行湿蚀刻处理。然后对与粘接有玻璃基板(4)的面相对的面进行蚀刻，使沿着边界S的区域形成带有锥度的槽。为了圆滑该蚀刻形成的槽的表面的凹凸或形成棱角的部分的尖端部进行湿蚀刻。通过上述湿蚀刻处理，背研磨后，提高形成蚀刻后形成的绝缘膜、配线、保护膜的包覆性，从而提高半导体装置的有效利用率和可靠性。

公开(公告)号：CN1551347A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410038457.8

申请日：2004-04-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  铃木彰 ,  篠木裕之

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/50 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/14806 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，不使用昂贵的装置，以低的制造成本制造层积型MCM。介由绝缘膜2在第一半导体装置100a的半导体芯片1的表面形成第一配线3A及第二配线3B。在形成有这些第一配线3A及第二配线3B的半导体芯片1的表面粘接具有露出第二配线3B的开口部12的玻璃衬底4。另外，第三配线9自半导体芯片1的背面介由绝缘膜7向半导体芯片1的侧面延伸，连接到第一配线3A上。然后，介由开口部12将另一半导体装置100b的导电端子11B连接到第二配线3B。