公开(公告)号：CN1886789A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200480035523.4

申请日：2004-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉基 ,  金朱镐 ,  黄仁吾 ,  尹斗燮

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B7/24065 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24802

Abstract: 一种超分辨率信息存储介质，包括：基底；第一超分辨率层，形成在基底之上；第二超分辨率层，形成在第一超分辨率层之上；和插入层，设置在第一超分辨率层和第二超分辨率层之间。

公开(公告)号：CN1705912A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200380101900.5

申请日：2003-10-20

Applicant: 三星电子株式会社 ,  独立行政法人产业技术总合研究所

Inventor： 金朱镐 ,  富永淳二

IPC: G03F1/08

CPC classification number: G11B7/261 ,  B41M5/26 ,  B41M5/368 ,  B41M5/46 ,  B41M5/465

Abstract: 本发明提供了一种图案形成材料体，该图案形成材料体包括：在目标衬底上形成的热敏材料层；在热敏材料层和目标衬底之间形成的第一光/热转换层；和在热敏材料层与第一光/热转换层相对的表面上形成的第二光/热转换层，该热敏材料层置于第一和第二光/热转换层之间。使用在热敏材料层的两个表面上形成的第一和第二光/热转换层中产生的热，能够在由光致抗蚀剂制成的热敏材料层中形成宽高比更高的精细图案。

公开(公告)号：CN1656607A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN03811443.7

申请日：2003-03-28

Applicant: 三星电子株式会社 ,  独立行政法人产业技术总合研究所

Inventor： 金朱镐 ,  富永淳二

IPC: H01L21/324

Abstract: 提供使用通过加热引发的化学反应和扩散制造化合物半导体和化合物绝缘体的方法，使用该方法形成的化合物半导体和化合物绝缘体，以及包括该化合物半导体或化合物绝缘体的光电池、电子电路、晶体管和存储器。制造化合物半导体或化合物绝缘体的该方法包括：形成叠层结构，其包括置于含氧和/或硫的电介质层之间的对氧和/或硫是高度活性的稀土过渡金属中间层；以及加热该叠层结构，从而在电介质层与中间层之间引发化学反应和扩散，其中为了化合物半导体和化合物绝缘体，在不同温度下进行该加热。

公开(公告)号：CN1653533A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03811109.8

申请日：2003-05-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  独立行政法人产业技术总合研究所

Inventor： 金朱镐 ,  富永淳二

IPC: G11B7/24

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B7/24 ,  G11B7/243 ,  G11B7/257 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/259 ,  G11B2007/24306 ,  Y10T428/21

Abstract: 提供一种简单－结构的无掩模层记录媒体和信息记录和复制方法，它们解决在复制过程中产生的相关热稳定性问题。记录媒体包括在第一和第二介电层之间的高熔点记录层。在记录媒体上记录信息的方法，包括激光束照射到记录媒体上以在高熔点的记录层和第一和第二介电层中引发反应和扩散。通过上述方法，复制记录在这种超分辨率近场记录媒体上信息的方法，包括利用高熔点记录层和第一和第二介电层的结晶颗粒产生等离子体振子作为散射源，以复制记录在记录层中的信息，不管所使用激光衍射极限。

公开(公告)号：CN1672202A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN03817344.1

申请日：2003-06-24

Applicant: TDK株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  日本先锋公司 ,  夏普株式会社 ,  三星日本株式会社

Inventor： 菊川隆 ,  富永淳二 ,  岛隆之 ,  橘昭弘 ,  藤宽 ,  金朱镐

IPC: G11B7/24 ,  G11B7/004

CPC classification number: G11B7/2433 ,  G11B7/00452 ,  G11B7/242 ,  G11B7/257 ,  G11B2007/2432

Abstract: 通过分解贵金属氧化物并使贵金属氧化物层变形，在包括贵金属氧化物层的光学记录媒体中形成记录标记串。贵金属颗粒不可逆地淀积在以记录标记串形成的贵金属氧化物层中，并且将再现数据的激光束辐射在由此淀积的贵金属颗粒上，由此读取记录标记串。记录标记串包括具有短于0.37λ/NA的长度的至少一个记录标记，其中λ是激光束的波长，NA是辐射激光束的光学系统。根据本发明，在以这种方式记录和再现具有小于分辨率极限的尺寸的记录标记或具有等于或大于该分辨率极限但接近该分辨率极限的尺寸的记录标记的情况下，可以获得高再现输出，并且对于在记录标记串中的所有的记录标记中的每个记录标记，可以实现高再现持久性。

公开(公告)号：CN101300624B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200680040936.0

申请日：2006-12-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 裴在喆 ,  金朱镐 ,  李坰根 ,  赵辉 ,  福泽成敏 ,  菊川隆 ,  小林龙弘

IPC: G11B7/0045

CPC classification number: G11B7/0062 ,  G11B7/00736 ,  G11B7/1267 ,  G11B20/10055

Abstract: 一种优化光记录介质的写入条件的方法，包括：在光记录介质上按照写入条件写入测试模式数据；将通过再现写入的测试模式数据检测的误差模式二进制信号与测试模式数据的校正模式二进制信号进行比较；以及基于比较的结果来确定光记录介质的最佳写入条件。