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公开(公告)号：CN112513738A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050814.7
申请日：2019-07-18
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本申请的课题是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其用于形成能够在制造半导体装置的光刻工艺中很好地作为防反射膜和平坦化膜使用的抗蚀剂下层膜。解决手段是，一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有树脂、酸催化剂或其盐、以及溶剂，并且所述抗蚀剂下层膜形成用组合物不含有作为单体的交联剂，所述树脂具有主链包含至少1个‑C(＝O)‑O‑基的重复结构单元和侧链包含至少1个羟基的重复结构单元，或者具有主链包含至少1个‑C(＝O)‑O‑基且侧链包含至少1个羟基的重复结构单元，这些重复结构单元中不具有包含环氧环或氧杂环丁烷环的有机基，相对于该树脂100质量份，所述酸催化剂或其盐为0.1～10质量份，该酸催化剂为一元酸时，25℃水中的酸解离常数pKa为‑0.5以下，或者该酸催化剂为多元酸时，25℃水中的酸解离常数pKa1为‑0.5以下。
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公开(公告)号：CN112166379A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201980035022.2
申请日：2019-05-21
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/02 , C08G10/00 , G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：碳原子数6～60的芳香族化合物(A)、与碳原子数3～60的环式羰基化合物(B)所具有的羰基的反应生成物；以及溶剂，上述反应生成物中，上述环式羰基化合物(B)的1个碳原子连接2个上述芳香族化合物(A)。
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公开(公告)号：CN110809739A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201880043979.7
申请日：2018-07-06
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G77/14 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供能够用光致抗蚀剂的曝光后的显影所使用的碱性显影液，与光致抗蚀剂的显影同时将存在于其下层的抗蚀剂下层膜也按照抗蚀剂图案同时除去的抗蚀剂下层膜。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，上述抗蚀剂下层膜是在上层抗蚀剂显影时与该上层抗蚀剂一起按照抗蚀剂图案用碱性显影液溶解除去的含有硅的抗蚀剂下层膜，上述组合物包含成分(a)和要素(b)，该成分(a)为包含水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合的硅烷化合物，该要素(b)为引起在碱性显影液中溶解的要素。引起在碱性显影液中溶解的要素(b)包含于上述成分(a)的化合物的结构中。引起在碱性显影液中溶解的要素(b)为光产酸剂。
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公开(公告)号：CN112236720B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201980034895.1
申请日：2019-05-21
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，对所谓的高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。制作一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含碳原子数6～60的芳香族化合物(A)与碳原子数3～60的含氧化合物(B)所具有的碳氧间双键的反应生成物、以及溶剂，上述含氧化合物(B)在一分子中具有1个部分结构：‑CON＜或‑COO‑，上述反应生成物中，上述含氧化合物(B)的1个碳原子连接2个上述芳香族化合物(A)。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN116057104A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180057971.8
申请日：2021-08-03
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G61/00
Abstract: 提供应对可以获得显示高的纯水接触角，对上层膜的密合性高，不易剥离的疏水性的下层膜，且涂布性良好这样的要求，并且，能够发挥对抗蚀剂下层膜所使用的药液也显示充分的耐性等其它良好的特性的新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：溶剂；以及包含下述式(1)、和/或下述式(2)所示的单元结构(A)的聚合物。(式中，Ar1和Ar2各自表示苯环、或萘环，Ar3表示可以包含氮原子的碳原子数6～60的芳香族化合物，R1、和R2各自为取代Ar1、和Ar2的环上的氢原子的基团，R3、和R8选自碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数2～10的炔基、碳原子数6～40的芳基、和它们的组合，R4、和R6选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基和杂环基，R5、和R7选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基和杂环基，n1和n2各自为0～3的整数，n3为1以上，并且为能够在Ar3上进行取代的取代基数以下的整数，n4为0或1，在n4为0时，R8与Ar3所包含的氮原子结合。)
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公开(公告)号：CN115943348A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202180043357.6
申请日：2021-06-17
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明提供抗蚀剂下层膜形成用组合物，该组合能够形成显示出高耐蚀刻性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，即使对于所谓的高低差基板也具有良好的被覆性、埋入后的膜厚差小、并且平坦的膜。此外，还提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含碳原子数为6～120的芳香族化合物(A)与下述式(1)表示的化合物的反应产物、和溶剂。式(1)中，Z表示‑(C＝O)‑或‑C(‑OH)‑，Ar1和Ar2各自独立地表示可以被取代的苯基、萘基、蒽基或芘基，环Y表示可以被取代的脂肪族环、可以被取代的芳香族环、或可以被取代的脂肪族环和芳香族环的稠环。
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公开(公告)号：CN115943036A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202180050951.8
申请日：2021-08-18
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: B32B27/30
Abstract: 本发明提供一种包含在大气压下是难以加热、相对于基板垂直诱发了微相分离结构的嵌段共聚物的层、其制造方法以及使用了垂直相分离的嵌段共聚物层的半导体装置的制造方法。所述嵌段共聚物层是在低于大气压的压力下用能够引起诱导自组装的温度进行加热而形成的垂直相分离的嵌段共聚物层。所述垂直相分离优选包含层状形状部分。所述层状形状部分优选含有PMMA。所述加热温度优选为290℃以上。优选所述嵌段共聚物层之下还具有该嵌段共聚物表面能的中和层。
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公开(公告)号：CN109791376B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201780060916.8
申请日：2017-10-02
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/40 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供在溶剂显影光刻工艺中用于涂布在经图案化的抗蚀剂膜上而使图案反转的涂布用组合物的制造方法。解决手段是一种涂布于经图案化的抗蚀剂膜的组合物的制造方法，其包含下述工序：将水解性硅烷在非醇系亲水性溶剂中水解并缩合而获得水解缩合物的工序(A)；对该水解缩合物进行溶剂置换，而将该非醇系亲水性溶剂置换成疏水性溶剂的工序(B)。一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在基板上涂布抗蚀剂组合物而形成抗蚀剂膜的工序(1)；将该抗蚀剂膜曝光和显影的工序(2)；对工序(2)的显影中或显影后获得的经图案化的抗蚀剂膜涂布通过上述制造方法获得的组合物，而在图案间形成涂膜的工序(3)；将经图案化的抗蚀剂膜蚀刻除去而使图案反转的工序(4)。一种制造方法，曝光使用ArF激光(波长193nm)或EUV(波长13.5nm)进行。一种制造方法，显影为采用有机溶剂的负型显影。
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