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公开(公告)号：CN110600472A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910427945.4
申请日：2019-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/77
Abstract: 本发明公开了一种集成电路器件以及制造集成电路器件的方法，其中该集成电路器件包括：鳍型有源区，在衬底上沿着平行于衬底的顶表面的第一方向延伸；栅极结构，在鳍型有源区上延伸，并且沿着平行于衬底的顶表面且不同于第一方向的第二方向延伸；以及源极/漏极区，在从栅极结构的一侧延伸到鳍型有源区中的凹入区域中，源极/漏极区包括：在凹入区域的内壁上的上半导体层，具有第一杂质浓度，并且包括间隙；以及间隙填充半导体层，其填充间隙并且具有大于第一杂质浓度的第二杂质浓度。
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公开(公告)号：CN109786334A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811324293.3
申请日：2018-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238
Abstract: 提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法可以将掺杂剂注入到衬底中以形成初始杂质区并加热衬底以将初始杂质区转换成杂质区。加热衬底可以在约800℃至约950℃的环境温度下执行约20分钟至约50分钟。该方法还可以包括在杂质区中形成第一沟槽和第二沟槽以限定有源鳍，以及分别在第一沟槽和第二沟槽中形成第一隔离层和第二隔离层。第一隔离层和第二隔离层可以暴露有源鳍的相反侧。该方法还可以包括形成在有源鳍的相反侧和上表面上延伸的栅极绝缘层，以及形成横越有源鳍的栅电极。
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公开(公告)号：CN109308228A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201810845313.5
申请日：2018-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F11/1004 , G06F11/1048 , G11C5/04 , G11C29/52 , G11C2029/0411 , G06F3/0658 , G06F3/0644 , G06F3/0656 , G11C29/42
Abstract: 本发明可提供一种存储器模块、一种校正存储器模块的错误的方法和一种存储器系统。所述存储器系统包括多个存储器芯片和存储关于所述多个存储器芯片的DQ组管理信息的存储器控制器。存储器控制器可包括：错误校正码(ECC)引擎，其连接至所述多个存储器芯片中的每一个的DQ接触点，ECC引擎被构造为关于被发送至DQ接触点的数据执行数据校正算法；以及DQ组管理器，其被构造为将DQ接触点分组为对应于校正数据宽度的DQ组，并且存储用于管理DQ组的DQ组管理信息。
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公开(公告)号：CN101329914B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN200810110170.X
申请日：2008-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/06
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C2211/5641 , G11C2211/5646
Abstract: 本发明提供了一种具有可存储指示被写到多个存储单元的数据位的数目的信息的块状态确认单元的半导体装置、一种基于被写入的数据位的数目读取存储器数据的方法和/或一种存储指示被写入的数据位的数目的信息的存储器编程方法。该半导体装置可包括控制器和一个或多个存储块。每个存储块可包括块状态确认单元和多个存储单元，块状态确认单元存储指示被写到存储单元的数据位的数目的信息，每个存储单元存储数据。控制器可基于块状态确认单元中的信息中指示的数据位的数目来从存储块读取该数据位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101556963B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200810187116.5
申请日：2008-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14679 , H01L27/14609 , H04N5/335 , H04N5/3355
Abstract: 一种子像素、单位像素、图像传感器及其操作方法。所述图像传感器包括按阵列布置的多个单位像素。每个单位像素包括配置为由具有相同波长的光照射的多个子像素。每个子像素包括多个浮体晶体管。每个浮体晶体管包括源区、漏区、位于源区和漏区之间的浮体区域以及在浮体区域上形成的栅电极。
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公开(公告)号：CN101566729A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910135055.2
申请日：2009-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B27/2214 , H04N13/305
Abstract: 本发明提供了一种显示装置和该显示装置的透镜片。所述显示装置包括：显示面板，多个像素以矩阵形式排列在显示面板上；透镜片，设置在显示面板之上并包括设置在透镜片上的多个棱镜透镜。所述多个棱镜透镜的每个棱镜透镜包括第一表面、第二表面和第三表面。棱镜透镜的每个表面设置为沿与棱镜透镜的纵向基本平行的第一方向延伸。
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公开(公告)号：CN101556963A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200810187116.5
申请日：2008-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N3/15
CPC classification number: H01L27/14679 , H01L27/14609 , H04N5/335 , H04N5/3355
Abstract: 一种子像素、单位像素、图像传感器及其操作方法。所述图像传感器包括按阵列布置的多个单位像素。每个单位像素包括配置为由具有相同波长的光照射的多个子像素。每个子像素包括多个浮体晶体管。每个浮体晶体管包括源区、漏区、位于源区和漏区之间的浮体区域以及在浮体区域上形成的栅电极。
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公开(公告)号：CN101545771A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910129834.1
申请日：2009-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01C3/08
CPC classification number: G01C3/08 , G01S7/4863 , G01S17/89
Abstract: 本发明公开了测距传感器及三维彩色图像传感器。测距传感器可以包括：光电转换区；第一电荷存储区和第二电荷存储区；第一沟槽和第二沟槽；和/或第一垂直光栅极和第二垂直光栅极。光电转换区可以在衬底中和/或可以用第一杂质掺杂以便响应接收的光而产生电荷。第一电荷存储区和第二电荷存储区可以在衬底中和/或可以用第二杂质掺杂以便收集电荷。第一沟槽和第二沟槽可以形成为在衬底中分别具有与第一电荷存储区和第二电荷存储区对应的深度。第一垂直光栅极和第二垂直光栅极可以分别在第一沟槽和第二沟槽中。三维彩色图像传感器可以包括多个单元像素。每个单元像素可以包括多个彩色像素和测距传感器。
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公开(公告)号：CN101498874A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910002997.3
申请日：2009-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3651 , G02F1/136213 , G02F1/13624 , G02F2203/30 , G09G3/3659 , G09G2300/0443 , G09G2300/0447 , G09G2300/0809 , G09G2310/0262 , G09G2320/028
Abstract: 提供了一种液晶显示器(LCD)，其可以在防止亮度降低的同时提高横向边侧的可见性。该LCD包括：第一和第二栅极线，彼此平行排列且依次传送栅极电压；数据线，与所述第一和第二栅极线交叉且传送数据电压；像素电极，布置在像素上，且包含通过第一电荷共享电容器而彼此连接的第一和第二子像素电极；第一开关器件，连接到所述第一栅极线、数据线和第一子像素电极；第二开关器件，通过第二电荷共享电容器连接到所述第一子像素电极；以及第三开关器件，连接到所述第二栅极线和第二子像素电极，并且通过所述第二电荷共享电容器也连接到所述第一子像素电极。
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