显示装置及其制造方法
    52.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1897298A

    公开(公告)日:2007-01-17

    申请号:CN200610125714.0

    申请日:2006-07-03

    CPC classification number: G02F1/1362 G02F2001/1351

    Abstract: 本发明公开了一种显示装置,其包括:基板、形成在基板上的薄膜晶体管、与薄膜晶体管连接的第一电极、形成在第一电极上的有机层、形成在有机层上的第二电极、形成在第二电极上的保护层和形成在保护层上的透明层。保护层吸收紫外线并保护有机层不受紫外线的损伤。通过蒸发工艺形成保护层,从而减少在形成保护层的过程中对有机层的损伤。保护层也可在透明层的形成过程中保护有机层。

    利用多晶硅的薄膜晶体管制造方法

    公开(公告)号:CN1639872A

    公开(公告)日:2005-07-13

    申请号:CN02825279.9

    申请日:2002-01-29

    CPC classification number: H01L29/66757 H01L29/78675

    Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管制造方法。在绝缘基片上形成非晶硅薄膜,并且通过横向结晶工序进行结晶,同时用激光照射非晶硅薄膜以形成多晶硅薄膜。接着,利用包含按3∶1∶2比例混合的Cl2、SF6、Ar混合气体通过等离子干蚀刻除去从多晶硅薄膜表面突出的突出部,以对多晶硅薄膜表面进行平坦化处理,然后制作布线图案形成半导体层。形成覆盖半导体层的栅极绝缘层后,在半导体层对面的栅极绝缘层上形成栅极。通过向半导体层注入杂质,以栅极为中心两侧形成源极和漏极区域,并形成分别与源极和漏极区域电连接的源极和漏极。

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