包括薄膜晶体管的场致发光装置及制造场致发光装置方法

    公开(公告)号:CN1578551A

    公开(公告)日:2005-02-09

    申请号:CN200410007734.9

    申请日:2004-03-05

    CPC classification number: H01L27/3244 H01L27/3262

    Abstract: 本发明提供包括薄膜晶体管的场致发光装置及制造场致发光装置的方法。一种场致发光装置包括:一场致发光元件和一与该场致发光元件电连接薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括:一栅极电极,形成在一衬底上方;一绝缘层,形成在该栅极电极上方;一第一半导体图形,形成在该绝缘层上方。一蚀刻停止层形成在该第一半导体层上方。一第二半导体图形在该蚀刻停止层一侧形成在该蚀刻停止层上方,而一第三半导体图形在该蚀刻停止层另一侧形成在该蚀刻停止层上方。一源极电极形成在该第二半导体图形上方,而一漏极电极形成在该第三半导体图形上方。

    包括薄膜晶体管的场致发光装置及制造场致发光装置方法

    公开(公告)号:CN100470875C

    公开(公告)日:2009-03-18

    申请号:CN200410007734.9

    申请日:2004-03-05

    CPC classification number: H01L27/3244 H01L27/3262

    Abstract: 本发明提供包括薄膜晶体管的场致发光装置及制造场致发光装置的方法。一种场致发光装置包括:一场致发光元件和一与该场致发光元件电连接薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括:一栅极电极,形成在一衬底上方;一绝缘层,形成在该栅极电极上方;一第一半导体图形,形成在该绝缘层上方。一蚀刻停止层形成在该第一半导体层上方。一第二半导体图形在该蚀刻停止层一侧形成在该蚀刻停止层上方,而一第三半导体图形在该蚀刻停止层另一侧形成在该蚀刻停止层上方。一源极电极形成在该第二半导体图形上方,而一漏极电极形成在该第三半导体图形上方。

    有机发光显示装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100463037C

    公开(公告)日:2009-02-18

    申请号:CN200510084696.1

    申请日:2005-07-18

    Abstract: 一种OLED,包括显示面板、印刷电路板、信号传输部件以及电压传输部件。显示面板具有显示区域和外围区域。显示面板通过有机发光元件在显示区域内显示图像。印刷电路板将驱动信号和电压施加到显示面板上。信号传输部件将印刷电路板电连接到显示面板,以将驱动信号和电压传输到显示面板。电压传输部件将电压传输到显示面板。因此,施加到显示面板的电流量增加。

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