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公开(公告)号：CN114171460A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202110911116.0
申请日：2021-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体器件，包括：基板；第一纳米线至第六纳米线，在第一方向上延伸并彼此间隔开；第一栅电极至第三栅电极，在第二方向上延伸并分别在基板的第一区域至第三区域上；第一界面层，在第一栅电极与第二纳米线之间，该第一界面层具有第一厚度；第二界面层，在第三栅电极与第六纳米线之间，该第二界面层具有第二厚度。第一栅电极至第三栅电极可以分别围绕第一纳米线和第二纳米线、第三纳米线和第四纳米线以及第五纳米线和第六纳米线。第一内部间隔部可以在第一栅电极至第三栅电极中的至少一个的侧壁上。在第一方向上，第一纳米线的第一长度可以小于第三纳米线的第二长度。
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公开(公告)号：CN112542454A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010731905.1
申请日：2020-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/732
Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括：位于衬底中的阱区；位于所述阱区中的杂质区；位于所述杂质区上的第一有源鳍；位于所述阱区上的第二有源鳍；以及穿透所述第二有源鳍并且连接到所述阱区的连接图案。所述衬底和所述杂质区包括具有第一导电类型的杂质。所述阱区包括具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的杂质。所述第一有源鳍包括：在垂直于所述衬底的顶表面的方向上彼此间隔开的多个第一半导体图案。所述第一半导体图案和所述杂质区包括具有所述第一导电类型的杂质。
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公开(公告)号：CN111403387A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201910740640.9
申请日：2019-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/04 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一半导体层，具有第一区域和第二区域；多个第一沟道层，在第一半导体层的第一区域上沿垂直方向彼此隔开；第一栅电极，围绕所述多个第一沟道层；多个第二沟道层，在第一半导体层的第二区域上沿垂直方向彼此隔开；以及第二栅电极，围绕所述多个第二沟道层，其中，所述多个第一沟道层中的每个具有第一晶向，并且所述多个第二沟道层中的每个具有不同于第一晶向的第二晶向，其中，所述多个第一沟道层中的每个的厚度不同于所述多个第二沟道层中的每个的厚度。
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公开(公告)号：CN110504320A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910405404.1
申请日：2019-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供了VFET器件。一种VFET器件包括基板，该基板包括第一突出部和第二突出部。该VFET器件包括位于第一突出部和第二突出部之间的隔离区域。该VFET器件包括分别位于第一突出部和第二突出部上的第一硅化物区域和第二硅化物区域。此外，该VFET器件包括位于第一硅化物区域和第二硅化物区域上的接触部。还提供了形成VFET器件的相关方法。
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公开(公告)号：CN110021667A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811601984.3
申请日：2018-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明可提供一种垂直场效应晶体管，所述垂直场效应晶体管包括：第一源极/漏极区；沟道结构，从所述第一源极/漏极区向上突出且被配置成用作沟道，所述沟道结构在平面图中具有二维结构，所述沟道结构在所述沟道结构的至少一侧处具有开口，所述沟道结构包括一个或两个第一部分以及一个或多个第二部分，所述一个或两个第一部分在第一方向上延伸，且所述一个或多个第二部分连接到所述一个或两个第一部分中的对应的一者或多者且在第二方向上延伸，所述第二方向与所述第一方向不同；栅极结构，水平地环绕所述沟道结构；以及第二源极/漏极区，在所述沟道结构上向上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103325833B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201310089305.X
申请日：2013-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/08 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供种场效应晶体管以及包括其的半导体器件和集成电路器件。根据该场效应晶体管,源极区和漏极区被提供在衬底上以及鳍部被提供为从衬底突出。鳍部将源极区和漏极区彼此连接。栅电极图案设置在鳍部上并且延伸以交叉鳍部。栅电介质层设置在鳍部和栅电极图案之间。半导体层设置在鳍部和栅电介质层之间。半导体层和鳍部分别具有彼此不同的掺杂剂浓度。
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公开(公告)号：CN119521734A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202410449365.6
申请日：2024-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置包括：衬底，其包括有源图案；沟道图案，其位于有源图案上，沟道图案包括彼此间隔开的多个半导体图案；源极/漏极图案，其电连接到多个半导体图案；内部栅电极，其位于多个半导体图案中的相邻的第一半导体图案与第二半导体图案之间；内部栅极绝缘层，其位于内部栅电极与第一半导体图案和第二半导体图案之间；内部高k电介质层，其位于内部栅电极与内部栅极绝缘层之间；以及内部间隔件，其位于内部栅极绝缘层与源极/漏极图案之间。由于内部栅极绝缘层包括内部栅极间隔件，因此内部栅电极可以稳定地填充内部栅极空间。结果，可以改善半导体装置的电特性。
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公开(公告)号：CN110021667B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201811601984.3
申请日：2018-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明可提供一种垂直场效应晶体管，所述垂直场效应晶体管包括：第一源极/漏极区；沟道结构，从所述第一源极/漏极区向上突出且被配置成用作沟道，所述沟道结构在平面图中具有二维结构，所述沟道结构在所述沟道结构的至少一侧处具有开口，所述沟道结构包括一个或两个第一部分以及一个或多个第二部分，所述一个或两个第一部分在第一方向上延伸，且所述一个或多个第二部分连接到所述一个或两个第一部分中的对应的一者或多者且在第二方向上延伸，所述第二方向与所述第一方向不同；栅极结构，水平地环绕所述沟道结构；以及第二源极/漏极区，在所述沟道结构上向上。
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公开(公告)号：CN119153466A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410559158.6
申请日：2024-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开涉及半导体装置。示例的半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一桥接图案，在第一区域上在第一方向上延伸；第一栅极结构，在与第一方向相交的第二方向上延伸；第一外延图案，在第一栅极结构的侧表面上连接到第一桥接图案；第一内间隔件，置于基底与第一桥接图案之间和第一栅极结构与第一外延图案之间；第二桥接图案，在第二区域上在第一方向上延伸；第二栅极结构，在第二方向上延伸；第二外延图案，在第二栅极结构的侧表面上连接到第二桥接图案；以及第二内间隔件，置于基底与第二桥接图案之间和第二栅极结构与第二外延图案之间。
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公开(公告)号：CN110931430B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201910534783.4
申请日：2019-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/092
Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件可以包括：第一布线图案，在衬底上沿第一方向延伸；以及第二布线图案，在所述第一布线图案上。第二布线图案可以与第一布线图案间隔开并沿第一方向延伸。半导体器件还可以包括：第一栅极结构，至少部分地围绕所述第一布线图案和所述第二布线图案；第二栅极结构，沿第一方向与所述第一栅极结构间隔开；第一源/漏区，在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间；第一间隔部，在所述第一源/漏区的底表面和所述衬底之间；第一源/漏接触，在所述第一源/漏区上；以及第二间隔部，在所述第一源/漏接触和所述第一栅极结构之间。
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