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公开(公告)号：CN112242120B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202010672870.9
申请日：2020-07-14
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: G09G3/3208 , G09G3/3233 , G09G3/3266 , G09G3/3291 , H10K59/131 , H10K59/121
Abstract: 提供了显示装置。显示装置包括连接到扫描线和与扫描线相交的数据线的像素，其中，像素包括发光元件、配置成根据从数据线接收到的数据电压来控制供给到发光元件的驱动电流的驱动晶体管以及配置成根据施加到扫描线的扫描信号来将数据线的数据电压施加到驱动晶体管的第一开关晶体管，其中，驱动晶体管包括具有氧化物半导体的第一有源层以及位于第一有源层上并且包括氧化物半导体的第一氧化物层，以及其中，第一开关晶体管包括位于第一有源层上并且包括与第一氧化物层相同的氧化物半导体的第二有源层。
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公开(公告)号：CN117116951A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311108509.3
申请日：2017-09-01
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/12 , H10K59/12 , H10K59/121 , G09G3/3225
Abstract: 提供一种显示装置，所述显示装置包括基体基底、第一晶体管、第二晶体管、有机发光二极管和电连接到第一晶体管的电容器。第一晶体管包括位于第一层间绝缘层下方的第一半导体图案和位于第一层间绝缘层上方并位于第二层间绝缘层下方的第一控制电极。第二晶体管包括位于第一层间绝缘层上方并位于第二层间绝缘层下方的第二控制电极。第二半导体图案位于第二层间绝缘层上方。
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公开(公告)号：CN117098411A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310546462.2
申请日：2023-05-15
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/12 , H10K59/80 , H10K50/844
Abstract: 公开了一种显示装置,该显示装置包括：第一基底，包括显示区域和非显示区域；第二基底，在第一基底上；以及密封构件，在非显示区域的密封区域中。第一基底包括：第一基体部；第一导电层，在第一基体部上，第一导电层包括第一信号线和下光阻挡层；缓冲层，在第一导电层上；半导体层，在缓冲层上，半导体层与下光阻挡层叠置；栅极绝缘层，在半导体层上；以及第二导电层，在栅极绝缘层上，第二导电层包括电连接到第一信号线的第二信号线和第三信号线以及与半导体层叠置的栅电极。在平面图中，第一信号线在第二信号线与第三信号线之间。第一信号线与密封构件叠置。
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公开(公告)号：CN107799535B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201710778238.0
申请日：2017-09-01
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/12 , H10K59/12 , H10K59/121 , G09G3/3225
Abstract: 提供一种显示装置及其制造方法，所述显示装置包括基体基底、第一晶体管、第二晶体管、有机发光二极管和电连接到第一晶体管的电容器。第一晶体管包括位于第一层间绝缘层下方的第一半导体图案和位于第一层间绝缘层上方并位于第二层间绝缘层下方的第一控制电极。第二晶体管包括位于第一层间绝缘层上方并位于第二层间绝缘层下方的第二控制电极。第二半导体图案位于第二层间绝缘层上方。
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公开(公告)号：CN116264799A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211456225.9
申请日：2022-11-21
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/124 , H10K59/123
Abstract: 提供了一种显示面板。显示面板的制造方法包括如下步骤：在支撑基板上的显示区域布置电路阵列，在所述支撑基板上的非显示区域布置多条连接线；在所述支撑基板上布置过孔膜；对所述过孔膜进行图案化而在所述支撑基板的所述非显示区域设置具有围绕所述显示区域的形态的密封孔；在封装基板上布置具有围绕所述显示区域的形态的密封层；将所述支撑基板与所述封装基板对准；以及接合所述支撑基板与所述封装基板。其中，布置所述电路阵列和所述多条连接线的步骤包括如下步骤：对缓冲膜上的半导体材料膜进行图案化，以布置与阻光图案重叠的有源层，并布置与所述密封孔和所述第一连接线图案之间的重叠区域中的至少一部分对应的蚀刻防止层。
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公开(公告)号：CN116033791A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211271504.8
申请日：2022-10-18
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/121 , H10K59/123 , H10K59/124 , H10K59/131 , H10K71/00
Abstract: 本公开涉及显示装置和制造该显示装置的方法。显示装置包括：第一导电层，包括第一电压线和第二电压线；缓冲层；半导体层，包括第一有源层和第二有源层；第一栅极绝缘层；第二导电层，包括与第一有源层重叠的第一栅电极和与第二有源层重叠的第二栅电极；钝化层；过孔层；堤图案层，包括彼此部分地间隔开的第一堤图案和第二堤图案；第三导电层，包括彼此间隔开的第一电极和第二电极；以及发光元件。钝化层包括氮化硅(SiNx)，并且氮化硅(SiNx)中的硅‑氢键(Si‑H)的数量与氮‑氢键(N‑H)的数量的比率在约1:0.6至约1:1.5的范围内。
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公开(公告)号：CN115867075A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211167146.6
申请日：2022-09-23
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/121 , H10K59/123 , H10K59/131 , H01L27/12
Abstract: 提供一种显示装置，包括：基底；第一半导体层，设置在所述基底上并且构成多个晶体管的半导体层；第二半导体层，设置在所述第一半导体层上并且构成多个晶体管的半导体层；第一数据导电层，设置在所述第二半导体层上；第一金属层，设置在所述第一数据导电层上；以及第二金属层，设置在所述第一金属层上，其中，所述第一金属层包括第一存储电极和第一输入电极，所述第二金属层包括第二存储电极和第二输入电极，所述第一存储电极和所述第二存储电极构成存储电容器，并且所述第一输入电极和所述第二输入电极构成输入电容器。
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公开(公告)号：CN114914305A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210555540.0
申请日：2017-09-05
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/77 , H01L21/34 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种薄膜晶体管阵列面板和相关制造方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括晶体管，所述晶体管可以包括半导体、源电极、漏电极和栅电极。半导体可以包括第一掺杂区、第二掺杂区、源区、漏区和沟道区。沟道区设置在源区与漏区之间。第一掺杂区设置在沟道区与源区之间。第二掺杂区设置在沟道区与漏区之间。第一掺杂区的掺杂浓度低于源区的掺杂浓度。第二掺杂区的掺杂浓度低于漏区的掺杂浓度。源电极电连接到源区。漏电极电连接到漏区。栅电极与沟道区叠置。
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