公开(公告)号：CN100398583C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200380102613.6

申请日：2003-10-27

Applicant: 触媒化成工业株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 中岛昭 ,  江上美纪 ,  小松通郎 ,  中田义弘 ,  矢野映 ,  铃木克己

IPC: C08G77/08 ,  C09D183/04 ,  C09D183/02 ,  C09D5/25 ,  H01L21/31 ,  C01B33/12

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C08G77/08 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供一种用于形成具有2.5或2.5以下较小的介电常数、杨氏模量为6.0GPa或6.0GPa以上、且疏水性优良的低介电常数无定形二氧化硅类被膜的涂布液及其配制方法。该涂布液为含有以如下方法获得的硅化合物的溶液：将原硅酸四烷基酯(TAOS)及特定烷氧基硅烷(AS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解而得到硅化合物；或使原硅酸四烷基酯(TAOS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解或部分水解后，与特定烷氧基硅烷(AS)或其水解产物或部分水解产物混合，再根据需要使其部分或全部水解而得到硅化合物。另外，该涂布液是将上述成分按特定比例混合，并在特定的操作条件下进行配制的。

公开(公告)号：CN1847305A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610073199.6

申请日：2006-04-12

Applicant: 触媒化成工业株式会社 ,  共荣社化学株式会社

Inventor： 熊泽光章 ,  平井俊晴 ,  细井弘之 ,  竹中直巳

IPC: C08L33/14 ,  C08K3/36 ,  G02B1/11

Abstract: 本发明提供作为防反射膜有用的耐擦伤性、耐化学试剂性、透明性、防反射性能等优良的用于形成低折射率膜的组合物。该用于形成低折射率膜的组合物由含有全氟基团的(甲基)丙烯酸酯树脂、和经通式RnSiX(4－n)表示的硅烷偶合剂处理的中空二氧化硅类微粒组成。式中，R：碳原子数为1～4的烷氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、全氟(甲基)丙烯酰基，X：碳原子数为1～4的烷氧基、硅烷醇基、卤原子或氢原子。

公开(公告)号：CN1278805C

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN03136718.6

申请日：2003-05-20

Applicant: 触媒化成工业株式会社

Inventor： 俵迫祐二 ,  金南宪 ,  平井俊晴

IPC: B22F9/24 ,  C03C17/06

Abstract: 本发明提供能用于形成防带电性和电磁屏蔽性优良，且制造可靠性和成本也非常理想的透明导电性覆膜的铟系金属微粒及其分散溶胶。该铟系金属微粒的特征是，平均粒径在2～200nm的范围内。上述铟系金属微粒可以只含有铟金属，也可以含有铟金属和选自Sb、Sn、Ag、Au、Zn、Cu、Bi、Cd的1种以上的金属成分。上述铟系金属微粒分散到水及/或有机溶剂而形成铟系金属微粒分散溶胶。该铟系金属微粒的制造方法的特征是，在含铟化合物及酮化合物、且溶剂中的醇含量在40重量%以上的混合醇溶液中加入还原剂。

公开(公告)号：CN1708563A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380102613.6

申请日：2003-10-27

Applicant: 触媒化成工业株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 中岛昭 ,  江上美纪 ,  小松通郎 ,  中田义弘 ,  矢野映 ,  铃木克己

IPC: C09D183/04 ,  C09D183/02 ,  C09D5/25 ,  C01B33/12

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C08G77/08 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供一种用于形成具有2.5或2.5以下较小的介电常数、杨氏模量为6.0GPa或6.0GPa以上、且疏水性优良的低介电常数无定形二氧化硅类被膜的涂布液及其配制方法。该涂布液为含有以如下方法获得的硅化合物的溶液：将原硅酸四烷基酯(TAOS)及特定烷氧基硅烷(AS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解而得到硅化合物；或使原硅酸四烷基酯(TAOS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解或部分水解后，与特定烷氧基硅烷(AS)或其水解产物或部分水解产物混合，再根据需要使其部分或全部水解而得到硅化合物。另外，该涂布液是将上述成分按特定比例混合，并在特定的操作条件下进行配制的。

公开(公告)号：CN1626584A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410090548.6

申请日：2004-11-08

Applicant: 触媒化成工业株式会社

Inventor： 村口良 ,  松田政幸 ,  西田広泰 ,  平井俊晴 ,  熊澤光章

IPC: C09C3/10 ,  C09C1/28 ,  C09D133/00

CPC classification number: C01G30/005 ,  B82Y30/00 ,  C01B33/146 ,  C01F7/02 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/40 ,  H01C17/06533

Abstract: 本发明提供了一种链氧化锑细颗粒团，它包含平均粒径为5－50nm、以链的形式连接并且平均连接数为2－30的氧化锑细颗粒。较佳地，所述细颗粒团用于形成硬涂膜。所述细颗粒团可通过以下方法制备：用阳离子交换树脂处理碱金属锑酸盐水溶液以制备锑酸(凝胶)分散液，然后用阴离子交换树脂处理所述分散液，和/或向所述分散液中加入碱。本发明还提供了一种具有膜的基材，它包含基材和硬涂膜，所述硬涂膜包含链无机氧化物细颗粒团和基质，其中，平均有2－30个无机氧化物细颗粒以链的形式连接。作为无机氧化物颗粒，优选二氧化硅颗粒或二氧化硅－氧化铝颗粒，更优选多孔颗粒和/或内部具有空穴的空心颗粒。通过形成该硬涂膜，可以得到具有硬涂膜的基材，它改善了膜对基材的粘着性和抗划伤性，防止了灰尘的附着，并且不会使产率下降。

公开(公告)号：CN1608986A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410084010.4

申请日：2004-10-13

Applicant: 触媒化成工业株式会社

Inventor： 村口良 ,  熊泽光章 ,  西田广泰 ,  平井俊晴

IPC: C01B33/18

CPC classification number: H01B1/08 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/60 ,  C09C1/3054 ,  Y10T428/2991

Abstract: 本发明提供一种折射率低并且具有导电性的氧化锑被覆氧化硅类微粒。此氧化锑被覆氧化硅类微粒由多孔质的氧化硅类微粒或内部具有空洞的氧化硅微粒上被覆氧化锑而形成。此氧化锑被覆氧化硅类微粒的折射率在1.35～1.60的范围内，体积电阻值在10～5000Ω/cm的范围内，平均粒径在5～300nm的范围内，氧化锑被覆层的厚度在0.5～30nm的范围内。