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公开(公告)号：CN102822385B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201080060782.8
申请日：2010-11-08
Applicant: 卡内基·梅隆大学
CPC classification number: C23C18/06 , C07F1/005 , C07F9/5045 , C09D11/101 , C09D11/322 , C09D11/52 , C23C18/08 , H05K3/105 , H05K3/125 , H05K2203/121
Abstract: 本发明公开了适用于在沉积和处理时形成导电性金属膜和线的金属络合物。金属络合物可以是共价络合物且可以包含第一和第二配体。可以使用低温处理将络合物转化成金属。金属膜和线可以具有与纯金属类似的低电阻率和功函数。可以使用钱币金属(如Ag、Au、Cu)。配体可以是配价键合的配体，包括胺、不对称胺和羧酸盐配体。可使用硫络合物。可使用羧酸盐配体。络合物可以具有高浓度的金属且可溶于芳香烃溶剂。可使配体适应于很好地挥发。可以进行喷墨打印。可以实现高收率的具有高导电率的金属。
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公开(公告)号：CN104017003B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410140044.4
申请日：2014-04-09
Applicant: 南京大学
IPC: C07F1/00
Abstract: 本发明公开了一种芳香基有机多齿配体?瓜环多孔框架聚合物及其合成方法，所述聚合物以瓜环、芳香基有机多齿配体和金属盐为原料，在水溶液中，瓜环分子通过芳香基有机多齿配体有序排列，形成包括所述芳香基有机多齿配体和瓜环的超分子自组装单体，所述超分子自组装单体中的瓜环端口羰基氧再与所述金属盐的金属离子配位，形成芳香基有机多齿配体?瓜环多孔框架聚合物。本发明的合成方法，操作简单、产率高，通过使用芳香基有机多齿配体，促进了瓜环分子有序排布，并抗衡了阴离子，解决了现有技术中无机阴离子填充孔穴的缺点，提高了芳香基有机多齿配体?瓜环多孔框架聚合物的孔道利用率高，为其在物质的吸附、分离，储能等方面的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN103890136B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280051106.3
申请日：2012-10-17
Applicant: 欧司朗OLED股份有限公司
Inventor： 安德烈亚斯·卡尼茨 , 雷娜特·克勒曼 , 贝内迪克特·亨德里克·桑德曼 , 冈特·施密德 , 扬·豪克·韦姆肯
CPC classification number: H01L51/0091 , C07F1/005 , C09K11/06 , C09K2211/188 , H01L51/002 , H01L51/506 , H05B33/14 , Y02E10/549
Abstract: 提出一种有机电子器件，所述有机电子器件包括具有p型掺杂物的有机功能层，其中p型掺杂物包括铜络合物，所述铜络合物具有至少一个配位体，所述配位体包含芳氧基基团和亚胺基团。此外，还提出一种铜络合物作为p型掺杂物的应用以及一种用于制造p型掺杂物的方法。
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公开(公告)号：CN105392861A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201480034558.X
申请日：2014-06-18
Applicant: 辛诺拉有限公司
CPC classification number: C07F9/5045 , C09K11/06 , C09K2211/1014 , C09K2211/1044 , C09K2211/1059 , C09K2211/1074 , C09K2211/188
Abstract: 本发明涉及一种发光的过渡金属络合物，所述过渡金属络合物具有单重态(S1)的发射(单重态收获)并且另外具有缩短的总发射寿命还具有基于能量低于单重态的三重态(T1)，各状态的占据和所实现的发射处于热平衡。
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公开(公告)号：CN105229014A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480014924.5
申请日：2014-03-14
Applicant: 西格纳化学有限责任公司 , 密执安州大学评议会
Abstract: 提供处理自燃的第1族金属/硅胶组合物的方法以使它们转化为不再是自燃的第1族金属/硅胶组合物。提供处理自燃的第1族金属/多孔金属氧化物组合物的方法以使它们转化为不再是自燃的第1族金属/多孔金属氧化物组合物。用少量的干氧或低浓度的干氧混合物处理所述自燃的第1族金属/硅胶组合物或所述自燃的第1族金属/多孔金属氧化物组合物以使它们转化为不再是自燃的或与干氧或空气反应的组合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102639540B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201080054078.1
申请日：2010-11-25
Applicant: 巴斯夫欧洲公司
CPC classification number: C07F1/005 , C07F3/003 , C07F5/069 , C07F15/025
Abstract: 本发明涉及一种多孔金属骨架材料，其包含至少一种至少双齿的有机化合物，所述有机化合物与至少一种金属离子配位，其中所述至少一种至少双齿的有机化合物衍生自2,5-呋喃二甲酸或2,5-噻吩二甲酸。本发明进一步涉及包含所述骨架材料的成型体、其制备方法及其用途，尤其是用于储存气体和分离气体。
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公开(公告)号：CN103429597A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280014435.0
申请日：2012-01-20
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 奥玛尔·M·亚纪 , 费尔南多·J·乌里韦-罗莫 , 费利佩·冈达拉-巴拉甘 , 大卫·凯尔·布里特
IPC: C07F1/02 , C07F1/00 , C07F3/02 , C07F3/00 , C07D249/04
CPC classification number: C07F1/005 , B01D2253/204 , B01J20/226 , C07D249/04 , C07F3/003 , C07F13/005 , C07F15/025 , C07F15/045 , Y02C10/08 , Y02C20/10
Abstract: 本公开提供了新型金属-三唑化物骨架，其使用方法，和包含其骨架的装置。
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公开(公告)号：CN102282179B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201080003564.0
申请日：2010-03-03
Applicant: SK新技术
CPC classification number: C07F11/005 , B01J31/24 , B01J2231/20 , B01J2531/0216 , B01J2531/0266 , B01J2531/62 , C07C2/36 , C07C2531/24 , C08F110/02 , C07C11/02 , C07C11/107 , C08F2500/02
Abstract: 本发明涉及一种包括手性配体的选择性乙烯低聚用铬络合物，还涉及使用该铬络合物由乙烯选择性地制备1-己烯或1-辛烯的方法。
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公开(公告)号：CN102282179A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201080003564.0
申请日：2010-03-03
Applicant: SK新技术
CPC classification number: C07F11/005 , B01J31/24 , B01J2231/20 , B01J2531/0216 , B01J2531/0266 , B01J2531/62 , C07C2/36 , C07C2531/24 , C08F110/02 , C07C11/02 , C07C11/107 , C08F2500/02
Abstract: 本发明涉及一种包括手性配体的选择性乙烯低聚用铬络合物，还涉及使用该铬络合物由乙烯选择性地制备1-己烯或1-辛烯的方法。
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公开(公告)号：CN102110785A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010546549.2
申请日：2010-11-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L51/52 , H01L51/56 , H01L51/50 , C07C211/54 , C07F1/00 , C07D487/14 , C07D311/82 , C07D211/32 , C07C50/28 , C07D401/04 , C07D487/22
CPC classification number: H01L51/0583 , H01L51/0591
Abstract: 本发明涉及用于有机器件的双层硬掩模，更具体地涉及一种用于制造含有活性有机层的衬底的方法，所述方法包括：提供含有有机材料第一层的衬底；在所述有机材料第一层上沉积第二层；在所述第二层上沉积第三层，其中，所述第二层在所述第三层沉积期间保护所述有机材料第一层；并且使所述第二层和所述第三层图案化，从而形成硬掩模。
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