公开(公告)号：CN103890136B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280051106.3

申请日：2012-10-17

Applicant: 欧司朗OLED股份有限公司

Inventor： 安德烈亚斯·卡尼茨 ,  雷娜特·克勒曼 ,  贝内迪克特·亨德里克·桑德曼 ,  冈特·施密德 ,  扬·豪克·韦姆肯

IPC: C09K11/06 ,  H05B33/14 ,  C07F1/00

CPC classification number: H01L51/0091 ,  C07F1/005 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/188 ,  H01L51/002 ,  H01L51/506 ,  H05B33/14 ,  Y02E10/549

Abstract: 提出一种有机电子器件，所述有机电子器件包括具有p型掺杂物的有机功能层，其中p型掺杂物包括铜络合物，所述铜络合物具有至少一个配位体，所述配位体包含芳氧基基团和亚胺基团。此外，还提出一种铜络合物作为p型掺杂物的应用以及一种用于制造p型掺杂物的方法。

公开(公告)号：CN106046030B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201610576712.7

申请日：2012-10-17

Applicant: 欧司朗OLED股份有限公司

Inventor： 安德烈亚斯·卡尼茨 ,  雷娜特·克勒曼 ,  贝内迪克特·亨德里克·桑德曼 ,  冈特·施密德 ,  扬·豪克·韦姆肯

IPC: C07F1/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/40 ,  H01L51/48 ,  H01L51/56 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46 ,  H01L51/54 ,  H05B33/14

Abstract: 提出一种有机电子器件，所述有机电子器件包括具有p型掺杂物的有机功能层，其中p型掺杂物包括铜络合物，其中铜络合物具有下式：其中所述至少一个有机功能层是空穴传导的。此外，还提出一种铜络合物作为p型掺杂物的应用以及一种用于制造p型掺杂物的方法。

公开(公告)号：CN106046030A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610576712.7

申请日：2012-10-17

Applicant: 欧司朗OLED股份有限公司

Inventor： 安德烈亚斯·卡尼茨 ,  雷娜特·克勒曼 ,  贝内迪克特·亨德里克·桑德曼 ,  冈特·施密德 ,  扬·豪克·韦姆肯

IPC: C07F1/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/40 ,  H01L51/48 ,  H01L51/56 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46 ,  H01L51/54 ,  H05B33/14

Abstract: 提出一种有机电子器件，所述有机电子器件包括具有p型掺杂物的有机功能层，其中p型掺杂物包括铜络合物，所述铜络合物具有至少一个配位体，所述配位体具有苯单元，其中，在所述苯单元的两个碳原子上分别直接连接作为取代基的芳氧基基团和亚胺基团，其中所述至少一个有机功能层是空穴传导的。此外，还提出一种铜络合物作为p型掺杂物的应用以及一种用于制造p型掺杂物的方法。