公开(公告)号：CN1494983A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03140681.5

申请日：2003-06-03

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 川桥信夫 ,  长谷川亨 ,  志保浩司 ,  河村知男 ,  河原弘二 ,  保坂幸生

IPC: B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26

Abstract: 本发明目的在于提供能有效抑制擦伤发生的抛光垫和多层抛光垫。本发明的抛光垫，其特征在于其中具有在抛光面侧形成的、且从呈环状、格状和螺旋状中选出至少一种形状的沟(a)、凹部(b)和贯穿抛光垫表里的通孔(c)中的至少一个部位，该部位内表面的表面粗糙度(Ra)处于20μm以下，用于化学机械抛光。

公开(公告)号：CN1487015A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03154996.9

申请日：2003-08-26

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 保坂幸生 ,  冈本隆浩 ,  长谷川亨 ,  川桥信夫 ,  森野克昭

IPC: C08L23/08 ,  C08J5/14 ,  B24D3/28

CPC classification number: B24B37/24 ,  B24D3/28 ,  C08L9/00 ,  C08L23/0853 ,  C08L2666/06 ,  C08L2666/08

Abstract: 本发明涉及研磨垫用组合物以及使用它的研磨垫。目的在于提供成形性及耐磨耗性优异，纵弹性模量的温度依赖性小的研磨垫用组合物以及使用它的研磨垫。本研磨垫用组合物含有非水溶性基质和分散于该非水溶性基质中的水溶性粒子，其中，上述非水溶性基质含有交联乙烯－醋酸乙烯共聚物、和/或不含有交联1，2－聚丁二烯，且相对于上述非水溶性基质全体，含有规定量。

公开(公告)号：CN1453328A

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN03122045.2

申请日：2003-04-22

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 服部雅幸 ,  安藤民智明 ,  西元和男 ,  川桥信夫

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明提供了一种化学机械研磨用水分散体，它难以腐败、几乎不引起划伤、仅产生少量凹坑、而且适合于用在半导体设备生产过程中的层间电介质的微隔离步骤或平面化步骤中。该化学机械研磨用水分散体含有处在水性介质中的二氧化铈颗粒；由具备在环上带有氮原子和硫原子的杂环结构的化合物，如异噻唑酮化合物构成的防腐剂；以及有机成分如有机磨粒，它由树脂颗粒、由具有特定分子量的水溶性聚合物或类似物构成的分散剂、表面活性剂和/或有机酸或其盐组成。以水性介质、二氧化铈颗粒、防腐剂和有机成分的总比例为100％质量计，二氧化铈颗粒、防腐剂和有机成分的含量分别为0.1－20％质量、0.001－0.2％质量和0.1－30％质量。该水分散体的pH值可以保持在中性范围内。

公开(公告)号：CN1321441C

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200410069162.7

申请日：2004-07-05

Applicant: 捷时雅株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 内仓和一 ,  西元和男 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫 ,  矢野博之 ,  松井之辉 ,  南幅学 ,  福岛大 ,  仓嶋延行

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明中所涉及的化学机械研磨用水性分散体含有：研磨粉粒成分(A)、喹啉羧酸及吡啶羧酸中至少一种所组成的成分(B)、喹啉羧酸及吡啶羧酸以外的有机酸组成的成分(C)、氧化剂成分(D)，且其中成分(B)的含量(WB)与成分(C)的含量(WC)的质量比(WB/WC)在0.01到2之间，氨及铵离子组成的氨成分浓度在0.005摩尔/升以下。这种化学机械研磨用水性分散体，可高效研磨各种被加工层各处，获得非常平坦且高精度的最终面。